各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件，其器件電流由伏安特性決定，除了改變加在二端間的電壓外，無法控制其陽極電流，故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件，其門極信號能控制元件的導通，但不能控制其關斷，稱半控型器件。可關斷晶閘管、功率晶體管等器件，其門極信號既能控制器件的導通，又能控制其關斷，稱全控型器件。后兩類器件控制靈活，電路簡單，開關速度快，廣fan應用于整流、逆變、斬波電路中，是電動機調速、發(fā)電機勵磁、感應加熱、電鍍、電解電源、直接輸電等電力電子裝置中的核xin部件。這些器件構成裝置不jin體積小、工作可靠，而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%～40%)。功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。新吳區(qū)環(huán)保電子元件銷售商城
80年代初期出現的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術提供了條件，推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。 80年代發(fā)展起來的靜電感應晶閘管、隔離柵晶體管，以及各種組合器件，綜合了晶閘管、 MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點，在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導性能，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應晶閘管保存了晶閘管導通壓降低的優(yōu)點，結構上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時必須在門極周圍先導通然后逐步橫向擴展的過程，所以比一般晶閘管有更高的開關速度，而且容許的結溫升也比普通晶閘管高。這些新器件，在更高的頻率范圍內滿足了電力電子技術的要求。梁溪區(qū)標準電子元件銷售價格實惠電力電子器件就好像現代電力電子裝置的心臟。
進一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應的影響。70年代中期發(fā)展起來的單極型MOS功率場效應晶體管， 由于不受少子儲存效應的限制，能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導通電流具有負溫度特性，不易出現熱激發(fā)二次擊穿現象；需要擴大電流容量時，器件并聯簡單，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅動功率；在制造工藝上便于大規(guī)模集成。但它的通態(tài)壓降較大，制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量jin達數十安，阻斷電壓近千伏。
從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件，主要用于相控電路。這些電路十分廣fan地用在電解、電鍍、直流電機傳動、發(fā)電機勵磁等整流裝置中，與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比，不jin體積小、工作可靠，而且取得了十分明顯的節(jié)能效果（一般可節(jié)電10～40%，從中國的實際看，因風機和泵類負載約占全國用電量的1/3，若采用交流電動機調速傳動, 可平均節(jié)電20%以上，每年可節(jié)電400億千瓦時）,因此電力電子技術的發(fā)展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單，逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術的應用推進到了以逆變、斬波為中心內容的新領域。這些器件已普遍應用于變頻調速、開關電源、靜止變頻等電力電子裝置中。電子元件的元件分類：電線與開關。
功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。其制造工藝既概括了第yi代功率電子器件向大電流、高電壓發(fā)展過程中所積累起來的各種經驗，又綜合了大規(guī)模集成電路的工藝特點。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積，因而能夠有效地減少當器件處于高頻工作狀態(tài)時寄生參數的影響，這對提高電路工作頻率和抑zhi外界干擾十分重要。 近期進展：2014年，美國奧巴馬政fu連同企業(yè)一道投資1.4億美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute，發(fā)展新一代寬禁帶電力半導體器件。電子元件的元件分類：端子與連接器。江陰口碑好的電子元件銷售網上價格
從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件，主要用于相控電路。新吳區(qū)環(huán)保電子元件銷售商城
電力二極管：結構和原理簡單，工作可靠； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關速度高，開關損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅動，驅動功率?。蝗秉c：開關速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO GTR：耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低；缺點：開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路復雜，存在二次擊穿問題 GTO：電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導調制效應，其通流能力很強；缺點：電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低 電力MOSFET：開關速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題；缺點：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 制約因素：耐壓，電流容量，開關的速度新吳區(qū)環(huán)保電子元件銷售商城
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