南京XBM4551賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

公司成立于2023年，總部設(shè)立在深圳，同時(shí)在成都設(shè)有研發(fā)中心。**研發(fā)團(tuán)隊(duì)來(lái)自國(guó)內(nèi)外前列半導(dǎo)體公司，擁有多位海歸大廠技術(shù)骨干，都擁有著10年以上的芯片開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，擁有強(qiáng)大的研發(fā)創(chuàng)新能力。創(chuàng)立之初便推出了多款移動(dòng)電源SOC，幫助客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品升級(jí)，受到客戶的高度認(rèn)可。移動(dòng)電源SOC具有高集成、多協(xié)議雙向快充，集成了同步開(kāi)關(guān)升降壓變換器、電池充放電管理模塊、電量計(jì)算模塊、顯示模塊、協(xié)議模塊，并提供輸入/輸出的過(guò)壓/欠壓，電池過(guò)充/過(guò)放、NTC過(guò)溫、放電過(guò)流、輸出短路保護(hù)等保護(hù)功能，支持1-6節(jié)電池。30W-100W 2串-6串移動(dòng)電源。南京XBM4551賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

鋰電保護(hù)應(yīng)用原理圖①按鋰電池保護(hù)芯片的典型原理圖設(shè)計(jì)，鋰電保護(hù)的GND接電池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），請(qǐng)嚴(yán)格按照規(guī)格書(shū)中的典型原理圖來(lái)做。③鋰電池保護(hù)芯片帶VT腳的，VT腳通常可接芯片GND（B-），或者懸空。④典型應(yīng)用圖中的100Ω/1KΩ電阻與，濾除電池電壓的劇烈波動(dòng)和外部強(qiáng)烈電壓干擾，使得VDD電壓盡量穩(wěn)定，該電阻和電容缺一不可，缺少任何一個(gè)都會(huì)有少燒芯片的可能，增加生產(chǎn)的不良率（XB5432不加電容）。不同IC的電阻取值有差異，請(qǐng)根據(jù)***版的Datesheet的典型應(yīng)用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達(dá)應(yīng)用、LED照明應(yīng)用、射頻干擾應(yīng)用、負(fù)載電流劇烈變化的應(yīng)用如音頻功放等，可能需要增大RC濾波的網(wǎng)絡(luò)的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個(gè)，可以增強(qiáng)鋰電保護(hù)電路的系統(tǒng)級(jí)ESD，增強(qiáng)對(duì)尖峰電壓等外部信號(hào)的抗干擾能力。⑦鋰電保護(hù)芯片可并聯(lián)使用，減小內(nèi)阻，增強(qiáng)持續(xù)電流，多芯片并聯(lián)使用時(shí)，芯片VDD的RC網(wǎng)絡(luò)，電阻可共用，但電容須要一個(gè)保護(hù)芯片配一個(gè)電容。上海XBM7101賽芯方案公司4-5串鋰電池保護(hù) XBM4451/4551 4串和5串/集成Sense/NTC/SOP16。

    二級(jí)保護(hù)電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)二級(jí)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要點(diǎn)主要包括以下幾個(gè)方面：1.電路組成和工作原理二級(jí)保護(hù)電路通常包括***級(jí)靜電保護(hù)電路和第二級(jí)靜電保護(hù)電路。***級(jí)靜電保護(hù)電路連接于輸入管腳和接地端之間，而第二級(jí)靜電保護(hù)電路則包括電阻和MOS晶體管，其中MOS晶體管的源極和漏極均與輸出管腳相連，其柵極與接地端相連，襯體端也與接地端相連。這樣的設(shè)計(jì)可以在減少占用芯片面積的同時(shí)，維持相同的靜電保護(hù)效果3。2.保護(hù)電路的選擇和應(yīng)用在設(shè)計(jì)保護(hù)電路時(shí)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的保護(hù)元件。例如，瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）是一種常用的電子元件，用于保護(hù)電路免受過(guò)電壓的影響。在電力系統(tǒng)、通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)硬件和其他敏感電子設(shè)備中，TVS是不可或缺的保護(hù)元件1。3.電路的穩(wěn)定性和可靠性在設(shè)計(jì)二級(jí)保護(hù)電路時(shí)，還需要考慮電路的穩(wěn)定性和可靠性。例如，在激光二極管保護(hù)電路的設(shè)計(jì)中，需要重點(diǎn)分析電流、瞬態(tài)電壓處理等關(guān)鍵因素。

    多節(jié)鋰電保護(hù)產(chǎn)品二級(jí)保護(hù)二級(jí)保護(hù)是指使用PTC、MHP、等被動(dòng)組件來(lái)保護(hù)電池。鋰電池保護(hù)板分為一級(jí)保護(hù)和二級(jí)保護(hù)。一級(jí)保護(hù)通常指的是主動(dòng)組件保護(hù)，包括保護(hù)IC和MOSFET，它能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)電池的電壓和充放電電流，并在必要時(shí)MOSFET的導(dǎo)通或關(guān)斷，以防止電池過(guò)充、過(guò)放、過(guò)載及短路。而二級(jí)保護(hù)則是指使用PTC、MHP、絲等被動(dòng)組件來(lái)進(jìn)一步增強(qiáng)電池的安全性。這些組件通常是溫度敏感的，能夠在電池溫度異常升高時(shí)呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，阻止電流流動(dòng)，從而避免可能的危險(xiǎn)情況當(dāng)電池溫度異常升高時(shí)，PTC或MHP會(huì)呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，阻礙電池的充放電，從而防止鋰電池的起火。這種保護(hù)方式被稱(chēng)為二級(jí)保護(hù)，它是一種被動(dòng)組件保護(hù)，通常作為一級(jí)保護(hù)電路（IC/Mosfet）的補(bǔ)充。 鋰電充電管理、DC降壓 0.5-1A電流 +OVP過(guò)壓保護(hù) 。

    主要描述XBM4530系列產(chǎn)品內(nèi)置高精度的電壓檢測(cè)電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級(jí)保護(hù)芯片，通過(guò)檢測(cè)電池包中每一節(jié)電芯的電壓，為電池包提供過(guò)充電保護(hù)和過(guò)放保護(hù)1。功能特點(diǎn)高精度電池電壓檢測(cè)功能：過(guò)充電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)50mV），精度±25mV；過(guò)充電電壓0-（步進(jìn)50mV），精度±50mV；過(guò)放電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)100mV），精度±80mV；過(guò)放電電壓0V-（步進(jìn)100mV），精度±100mV1。保護(hù)延時(shí)內(nèi)置可選：可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的保護(hù)延時(shí)1。內(nèi)置斷線保護(hù)功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開(kāi)路漏級(jí)輸出、P溝道開(kāi)路漏級(jí)輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動(dòng)態(tài)輸出H、動(dòng)態(tài)輸出。 充電管理、放電保護(hù)芯片，電源正負(fù)極反接保護(hù)，電池極反接保護(hù)，兼容大小3mA-1000mA充電電流。廣州3T1FAA賽芯代理

帶電池正負(fù)極反接保護(hù)的充電管理。南京XBM4551賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

    單路??2~6串升降壓??30~100WDC移動(dòng)電源??SOCDS-6066是針對(duì)DC應(yīng)用場(chǎng)景開(kāi)發(fā)的一款高集成、多協(xié)議雙向快充DC移動(dòng)電源應(yīng)用??SOC，集成了同步開(kāi)關(guān)升降壓變換器、支持??2~6節(jié)電池串聯(lián)，支持??30~100W功率選擇，支持??A+A+Cinout+Cinout任意口快充，支持??DC插入自識(shí)別并雙向充放電，支持??CC-CV切換，支持??，集成電池充放電管理模塊、電量計(jì)算模塊、顯示模塊，并提供輸入/輸出的過(guò)壓/欠壓，電池過(guò)充/過(guò)放、NTC過(guò)溫、放電過(guò)流、輸出短路保護(hù)等保護(hù)功能。2.應(yīng)用領(lǐng)域空調(diào)服，加熱服，移動(dòng)電源其他電池供電的DC應(yīng)用設(shè)備。 南京XBM4551賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保