孝感高效PCB設(shè)計(jì)加工

等長線處理等長線處理的步驟：檢查規(guī)則設(shè)置→確定組內(nèi)長線段→等長線處理→鎖定等長線。（1）檢查組內(nèi)等長規(guī)則設(shè)置并確定組內(nèi)基準(zhǔn)線并鎖定。（2）單端蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距S≥3W，差分對(duì)蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距≥20Mil。（3）差分線對(duì)內(nèi)等長優(yōu)先在不匹配端做補(bǔ)償，其次在中間小凸起處理，且凸起高度＜1倍差分對(duì)內(nèi)間距，長度＞3倍差分線寬，（4）差分線對(duì)內(nèi)≤3.125G等長誤差≤5mil，＞3.125G等長誤差≤2mil。（5）DDR同組等長：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客戶有要求或者芯片有特殊要求時(shí)按特殊要求。（6）優(yōu)先在BGA區(qū)域之外做等長線處理。（7）有源端匹配的走線必須在靠近接收端一側(cè)B段做等長處理，（8）有末端匹配的走線在A段做等長線處理，禁止在分支B段做等長處理（9） T型拓?fù)渥呔€，優(yōu)先在主干走線A段做等長處理，同網(wǎng)絡(luò)分支走線B或C段長度＜主干線A段長度,且分支走線長度B、C段誤差≤10Mil，（10） Fly-By型拓?fù)渥呔€，優(yōu)先在主干走線A段做等長處理，分支線B、C、D、E段長度＜500Mil在布線過程中如何添加 ICT測試點(diǎn)？孝感高效PCB設(shè)計(jì)加工

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來，人們習(xí)慣稱為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時(shí)鐘，DDR的所有命令信號(hào)，地址信號(hào)都是以CK/CK#為時(shí)序參考的。2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，與SDRAM不同的是，在進(jìn)行讀寫操作時(shí)CKE要保持為高電平，當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，器件進(jìn)入斷電模式（所有BANK都沒有時(shí)）或自刷新模式（部分BANK時(shí)），當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號(hào)，低電平有效。當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部的命令解碼將不工作。同時(shí)，CS#也是命令信號(hào)的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號(hào)，低電平有效。這三個(gè)信號(hào)與CS#一起組成了DDR的命令信號(hào)。鄂州正規(guī)PCB設(shè)計(jì)布線PCB設(shè)計(jì)中存儲(chǔ)器有哪些分類？

繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開槽、厚度削邊區(qū)域大小，形狀與結(jié)構(gòu)圖完全一致，所在層由各EDA軟件確定。對(duì)以上相應(yīng)區(qū)域設(shè)置如下特性：禁布區(qū)設(shè)置禁止布局、禁止布線屬性；限高區(qū)域設(shè)置對(duì)應(yīng)高度限制屬性；亮銅區(qū)域鋪相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)屬性銅皮和加SolderMask；板卡金屬導(dǎo)軌按結(jié)構(gòu)圖要求鋪銅皮和加SolderMask，距導(dǎo)軌內(nèi)沿2mm范圍內(nèi)，禁止布線、打孔、放置器件。挖空、銑切、開槽區(qū)域周邊0.5mm范圍增加禁止布局、布線區(qū)域，客戶有特殊要求除外。

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。晶體電路布局布線要求有哪些？

SDRAM各管腳功能說明：1、CLK是由系統(tǒng)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的，SDRAM所有的輸入信號(hào)都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發(fā)內(nèi)部計(jì)數(shù)器和輸出寄存器；2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，高電平時(shí)時(shí)鐘有效，低電平時(shí)時(shí)鐘無效，CKE為低電平時(shí)SDRAM處于預(yù)充電斷電模式和自刷新模式。此時(shí)包括CLK在內(nèi)的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號(hào)，低電平有效，當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部所有的命令信號(hào)都被屏蔽，同時(shí)，CS#也是命令信號(hào)的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號(hào)，低電平有效，這三個(gè)信號(hào)與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，DQMU為數(shù)據(jù)掩碼信號(hào)。寫數(shù)據(jù)時(shí)，當(dāng)DQM為高電平時(shí)對(duì)應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)無效，DQML與DQMU分別對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的低8位與高8位。6、A<0..12>為地址總線信號(hào)，在讀寫命令時(shí)行列地址都由該總線輸入。7、BA0、BA1為BANK地址信號(hào)，用以確定當(dāng)前的命令操作對(duì)哪一個(gè)BANK有效。8、DQ<0..15>為數(shù)據(jù)總線信號(hào)，讀寫操作時(shí)的數(shù)據(jù)信號(hào)通過該總線輸出或輸入。京曉科技給您分享屏蔽罩設(shè)計(jì)的具體實(shí)例。十堰PCB設(shè)計(jì)

PCB設(shè)計(jì)的整體模塊布局。孝感高效PCB設(shè)計(jì)加工

疊層方案，疊層方案子流程：設(shè)計(jì)參數(shù)確認(rèn)→層疊評(píng)估→基本工藝、層疊和阻抗信息確認(rèn)。設(shè)計(jì)參數(shù)確認(rèn)（1）發(fā)《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》給客戶填寫。（2）確認(rèn)客戶填寫信息完整、正確。板厚與客戶要求一致,注意PCI或PCIE板厚1.6mm等特殊板卡板厚要求;板厚≤1.0mm時(shí)公差±0.1mm，板厚＞1.0mm是公差±10%。其他客戶要求無法滿足時(shí)，需和工藝、客戶及時(shí)溝通確認(rèn)，需滿足加工工藝要求。層疊評(píng)估疊層評(píng)估子流程：評(píng)估走線層數(shù)→評(píng)估平面層數(shù)→層疊評(píng)估。（1）評(píng)估走線層數(shù)：以設(shè)計(jì)文件中布線密集的區(qū)域?yàn)橹饕獏⒖迹u(píng)估走線層數(shù)，一般為BGA封裝的器件或者排數(shù)較多的接插件，以信號(hào)管腳為6排的1.0mm的BGA，放在top層，BGA內(nèi)兩孔間只能走一根信號(hào)線為例，少層數(shù)的評(píng)估可以參考以下幾點(diǎn)：及次信號(hào)需換層布線的過孔可以延伸至BGA外（一般在BGA本體外擴(kuò)5mm的禁布區(qū)范圍內(nèi)），此類過孔要擺成兩孔間穿兩根信號(hào)線的方式。次外層以內(nèi)的兩排可用一個(gè)內(nèi)層出線。再依次內(nèi)縮的第五，六排則需要兩個(gè)內(nèi)層出線。根據(jù)電源和地的分布情況，結(jié)合bottom層走線，多可以減少一個(gè)內(nèi)層。結(jié)合以上5點(diǎn)，少可用2個(gè)內(nèi)走線層完成出線。孝感高效PCB設(shè)計(jì)加工

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