襄陽高速PCB設計哪家好

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串擾檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡需確認并記錄《項目設計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進行檢查、修改、確認、記錄。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域，并對在分隔帶上的阻抗線進行調(diào)整。（5）走線串擾檢查：所有相鄰層走線檢查并調(diào)整。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進行調(diào)整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。如何設計PCB布線規(guī)則？襄陽高速PCB設計哪家好

通過規(guī)范PCBLayout服務操作要求，提升PCBLayout服務質(zhì)量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務。文件維護部門設計部。定義與縮略語（1）PCBLayout：利用EDA軟件將邏輯原理圖設計為印制電路板圖的全過程。（2）PCB:印刷電路板。（3）理圖：一般由原理圖設計工具繪制，表達硬件電路中各種器件之間的連接關系的圖。（4）網(wǎng)表：一般由原理圖設計工具自動生成的，表達元器件電氣連接關系的文本文件，一般包含元器件封裝，網(wǎng)絡列表和屬性定義等部分。（5）布局：PCB設計過程中，按照設計要求、結(jié)構(gòu)圖和原理圖，把元器件放置到板上的過程。（6）布線：PCB設計過程中，按照設計要求對信號進行走線和銅皮處理的過程。咸寧如何PCB設計哪家好PCB設計工藝上的注意事項是什么？

規(guī)則設置子流程：層疊設置→物理規(guī)則設置→間距規(guī)則設置→差分線規(guī)則設置→特殊區(qū)域規(guī)則設置→時序規(guī)則設置◆層疊設置：根據(jù)《PCB加工工藝要求說明書》上的層疊信息，在PCB上進行對應的規(guī)則設置。◆物理規(guī)則設置（1）所有阻抗線線寬滿足《PCB加工工藝要求說明書》中的阻抗信息，非阻抗線外層6Mil,內(nèi)層5Mil。（2）電源/地線：線寬>=15Mil。（3）整板過孔種類≤2,且過孔孔環(huán)≥4Mil，Via直徑與《PCBLayout工藝參數(shù)》一致，板厚孔徑比滿足制造工廠或客戶要求，過孔設置按《PCBLayout工藝參數(shù)》要求。◆間距規(guī)則設置：根據(jù)《PCBLayout工藝參數(shù)》中的間距要求設置間距規(guī)則，阻抗線距與《PCB加工工藝要求說明書》要求一致。此外，應保證以下參數(shù)與《PCBLayout工藝參數(shù)》一致，以免短路：（1）內(nèi)外層導體到安裝孔或定位孔邊緣距離；（2）內(nèi)外層導體到郵票孔邊緣距離；（3）內(nèi)外層導體到V-CUT邊緣距離；（4）外層導體到導軌邊緣距離；（5）內(nèi)外層導體到板邊緣距離；◆差分線規(guī)則設置（1）滿足《PCB加工工藝要求說明書》中差分線的線寬/距要求。（2）差分線信號與任意信號的距離≥20Mil。

SDRAM各管腳功能說明：1、CLK是由系統(tǒng)時鐘驅(qū)動的，SDRAM所有的輸入信號都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發(fā)內(nèi)部計數(shù)器和輸出寄存器；2、CKE為時鐘使能信號，高電平時時鐘有效，低電平時時鐘無效，CKE為低電平時SDRAM處于預充電斷電模式和自刷新模式。此時包括CLK在內(nèi)的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號，低電平有效，當CS#為高時器件內(nèi)部所有的命令信號都被屏蔽，同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效，這三個信號與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，DQMU為數(shù)據(jù)掩碼信號。寫數(shù)據(jù)時，當DQM為高電平時對應的寫入數(shù)據(jù)無效，DQML與DQMU分別對應于數(shù)據(jù)信號的低8位與高8位。6、A<0..12>為地址總線信號，在讀寫命令時行列地址都由該總線輸入。7、BA0、BA1為BANK地址信號，用以確定當前的命令操作對哪一個BANK有效。8、DQ<0..15>為數(shù)據(jù)總線信號，讀寫操作時的數(shù)據(jù)信號通過該總線輸出或輸入。PCB設計工藝的規(guī)則和技巧。

DDR2模塊相對于DDR內(nèi)存技術（有時稱為DDRI），DDRII內(nèi)存可進行4bit預讀取。兩倍于標準DDR內(nèi)存的2BIT預讀取，這就意味著，DDRII擁有兩倍于DDR的預讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，DDRII則簡單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力；DDR采用了支持2.5V電壓的SSTL-2電平標準，而DDRII采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標準；DDR采用的是TSOP封裝，而DDRII采用的是FBGA封裝，相對于DDR，DDRII不僅獲得的更高的速度和更高的帶寬，而且在低功耗、低發(fā)熱量及電器穩(wěn)定性方面有著更好的表現(xiàn)。DDRII內(nèi)存技術比較大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDRII可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。PCB設計的整體模塊布局。孝感正規(guī)PCB設計布線

時鐘驅(qū)動器的布局布線要求。襄陽高速PCB設計哪家好

SDRAM時鐘源同步和外同步1、源同步：是指時鐘與數(shù)據(jù)同時在兩個芯片之間間傳輸，不需要外部時鐘源來給SDRAM提供時鐘，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）輸出，數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號由CLK來觸發(fā)和鎖存，CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號滿足一定的時序匹配關系才能保證SDRAM正常工作，即CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號在PCB上滿足一定的傳輸線長度匹配。2、外同步：由外部時鐘給系統(tǒng)提供參考時鐘，數(shù)據(jù)從發(fā)送到接收需要兩個時鐘，一個鎖存發(fā)送數(shù)據(jù)，一個鎖存接收數(shù)據(jù)，在一個時鐘周期內(nèi)完成，對于SDRAM及其控制芯片，參考時鐘CLK1、CLK2由外部時鐘驅(qū)動產(chǎn)生，此時CLK1、CLK2到達SDRAM及其控制芯片的延時必須滿足數(shù)據(jù)總線、地址總線及控制總線信號的時序匹配要求，即CLK1、CLK2必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號在PCB上滿足一定的傳輸線長度匹配。如圖6-1-4-3所示。襄陽高速PCB設計哪家好

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