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DDR的PCB布局、布線要求4、對于DDR的地址及控制信號，如果掛兩片DDR顆粒時拓?fù)浣ㄗh采用對稱的Y型結(jié)構(gòu)，分支端靠近信號的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動端放置（5mm以內(nèi)），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以內(nèi)），布局布線要保證所有地址、控制信號拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性及長度上的匹配。地址、控制、時鐘線（遠(yuǎn)端分支結(jié)構(gòu)）的等長范圍為≤200Mil。5、對于地址、控制信號的參考差分時鐘信號CK\CK#的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，布局時串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動端放置，并聯(lián)電阻靠近接收端放置，布線時要考慮差分線對內(nèi)的平行布線及等長(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對于控制芯片及DDR芯片，為每個IO2.5V電源管腳配備退耦電容并靠近管腳放置，在允許的情況下多扇出幾個孔，同時芯片配備大的儲能大電容；對于1.25VVTT電源，該電源的質(zhì)量要求非常高，不允許出現(xiàn)較大紋波，1.25V電源輸出要經(jīng)過充分的濾波，整個1.25V的電源通道要保持低阻抗特性，每個上拉至VTT電源的端接電阻為其配備退耦電容。DDR3的PCB布局布線要求是什么？鄂州了解PCB設(shè)計廠家

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串?dāng)_檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡(luò)需確認(rèn)并記錄《項目設(shè)計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進(jìn)行檢查、修改、確認(rèn)、記錄。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域，并對在分隔帶上的阻抗線進(jìn)行調(diào)整。（5）走線串?dāng)_檢查：所有相鄰層走線檢查并調(diào)整。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進(jìn)行調(diào)整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。孝感高效PCB設(shè)計哪家好如何梳理PCB設(shè)計布局模塊框圖？

電氣方面注意事項（1）TVS管、ESD、保險絲等保護(hù)器件靠近接口放置；（2）熱敏器件遠(yuǎn)離大功率器件布局；（3）高、中、低速器件分區(qū)布局；（4）數(shù)字、模擬器件分區(qū)布局；（5）電源模塊、模擬電路、時鐘電路、射頻電路、隔離器件布局按器件資料；（6）串聯(lián)電阻靠近源端放置；串聯(lián)電容靠近末端放置；并聯(lián)電阻靠近末端放置；（7）退藕電容靠近芯片的電源管腳；（8）接口電路靠近接口；（9）充分考慮收發(fā)芯片距離，以便走線長度滿足要求；（10）器件按原理圖擺一起；（11）二極管、LED等極性與原理圖應(yīng)保持一致。

放置固定結(jié)構(gòu)件（1）各固定器件坐標(biāo)、方向、1腳位置、頂?shù)讓臃胖门c結(jié)構(gòu)圖固定件完全一致，并將器件按照結(jié)構(gòu)圖形對應(yīng)放置。（2）當(dāng)有如下列情形時，需將問題描述清楚并記錄到《項目設(shè)計溝通記錄》中，同時郵件通知客戶修改確認(rèn)。結(jié)構(gòu)圖形與部分管腳不能完全重合；結(jié)構(gòu)圖形1腳標(biāo)識與封裝1腳焊盤指示不符；結(jié)構(gòu)圖形指示孔徑與封裝孔徑不符；文字描述、標(biāo)注尺寸等和結(jié)構(gòu)圖實際不一致；其他有疑問的地方。（3）安裝孔坐標(biāo)、孔徑、頂?shù)讓优c結(jié)構(gòu)圖完全一致。（4）安裝孔、定位孔為NPTH且保留焊環(huán)時，焊環(huán)離孔距離8Mil以上，焊盤單邊比孔大33mil（5）固定結(jié)構(gòu)件放置完畢后，對器件賦予不可移動屬性。（6）在孔符層進(jìn)行尺寸標(biāo)注，標(biāo)注單位為公制（mm），精度小數(shù)點后2位，尺寸公差根據(jù)客戶結(jié)構(gòu)圖要求。（7）工藝邊或者拼版如使用V-CUT，需進(jìn)行標(biāo)注。（8）如設(shè)計過程中更改結(jié)構(gòu)，按照結(jié)構(gòu)重新繪制板框、繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域和放置固定構(gòu)件?？蛻魺o具體的結(jié)構(gòu)要求時，應(yīng)根據(jù)情況記錄到《項目設(shè)計溝通記錄》中。（9）子卡、母卡對插/扣設(shè)計京曉科技與您分享PCB設(shè)計中布局布線的注意事項。

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大多數(shù)ADC、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊和提供的參考設(shè)計進(jìn)行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND，然后將二者單點連接，（3）模擬電源和數(shù)字電源當(dāng)電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時，在電源入口處通過將數(shù)字地加磁珠或電感，將數(shù)字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數(shù)字電源通過磁珠或電感拆分成模擬電源。負(fù)載端所有的數(shù)字電源都通過入口處數(shù)字電源生成、模擬電源都通過經(jīng)過磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數(shù)字地、既有模擬電源又有數(shù)字電源，板子上所有的數(shù)字電源都用入口處的數(shù)字電源生成、模擬電源都用入口處的模擬電源生成。ADC和DAC器件的模擬電源一般采用LDO進(jìn)行供電，因為其電流小、紋波小，而DC/DC會引入較大開關(guān)電源噪聲，嚴(yán)重影響ADC/DAC器件性能，因此，模擬電路應(yīng)該采用LDO進(jìn)行供電。PCB設(shè)計的基礎(chǔ)流程是什么？襄陽高效PCB設(shè)計教程

不同存儲容量及不同數(shù)據(jù)寬度的器件有所不同。鄂州了解PCB設(shè)計廠家

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來，人們習(xí)慣稱為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是，在進(jìn)行讀寫操作時CKE要保持為高電平，當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，器件進(jìn)入斷電模式（所有BANK都沒有時）或自刷新模式（部分BANK時），當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號，低電平有效。當(dāng)CS#為高時器件內(nèi)部的命令解碼將不工作。同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。鄂州了解PCB設(shè)計廠家

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