EMI整改：1、對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量；2、對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)壓制；3、也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如FR107一對(duì)普通整流二極管1N4007。5M以上，以共摸干擾為主，采用壓制共摸的方法（整改建議）對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。電子產(chǎn)品要通過(guò)電源線傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)和電源線抗擾度試驗(yàn)，必須在電源線上使用干擾濾波器。江蘇芯片EMI分析整改走線布線
整改一個(gè)二十幾瓦的電源。這個(gè)產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)MOS管和雙向二極管所帶的散熱片都是沒(méi)有接入熱地的。（也就是電源初級(jí)邊的電解電容的負(fù)極。變壓器內(nèi)有一層線圈繞制的屏蔽并接入熱地。我就結(jié)合測(cè)試的曲線說(shuō)一下我的整改經(jīng)過(guò)吧。先上一個(gè)測(cè)試不通過(guò)的曲線：空間輻射的H方向的曲線這個(gè)電源是一個(gè)25W左右的開(kāi)關(guān)電源，電源的電路圖保密原因不方便上傳，但可以跟大家先說(shuō)明一下，此電路用了一個(gè)0。1uF的X電容和一個(gè)30mH的共模電感。次級(jí)輸出加了一個(gè)50uH的工字電感。北京芯片EMI分析整改隔離信號(hào)接收端比較兩個(gè)電壓的差值來(lái)判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。
電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對(duì)生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?；蛘f(shuō)電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁雜訊干擾，就像傳染病般地透過(guò)電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一個(gè)主要問(wèn)題。在許多國(guó)家，尤其在歐洲，對(duì)任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。電子產(chǎn)品要通過(guò)電源線傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)和電源線抗擾度試驗(yàn)，必須在電源線上使用干擾濾波器，靜電放電對(duì)設(shè)備電路的影響很大程度上是由于靜電放電電流周圍的高頻電磁場(chǎng)，這些電磁場(chǎng)由于頻率很高，因此很容易被導(dǎo)線所接收，對(duì)電路形成干擾凈，某設(shè)備在做靜電放電試驗(yàn)時(shí)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)在活動(dòng)面板上進(jìn)行放電時(shí)，電路出現(xiàn)故障。經(jīng)檢查，發(fā)現(xiàn)面板后面是一束電纜，面板上的靜電放電電流產(chǎn)生的電磁場(chǎng)在電纜束上感應(yīng)出了噪聲電流，形成干擾。在電纜的端口處安裝濾波器后，問(wèn)題解決。
通常，高速數(shù)字電路的EMI發(fā)射帶寬可以通過(guò)下面的公式計(jì)算：F=1/πTr，F(xiàn)為開(kāi)關(guān)電路產(chǎn)生的高EMI頻率，單位為GHz，Tr為信號(hào)的上升時(shí)間或者下降時(shí)間，單位為ns。比如，對(duì)于上升時(shí)間為1ns左右的器件，那么它所產(chǎn)生的高EMI頻率將為350MHz，而如果上升時(shí)間降為為500ps，那么它的高EMI發(fā)射頻率將為700MHz，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于系統(tǒng)正常的工作頻率，這將會(huì)在一定程度上影響周圍其他系統(tǒng)的正常工作。顯然，如果能減緩信號(hào)的上升沿，將會(huì)在很大程度上減少EMI，但是隨著電子設(shè)計(jì)和芯片制造水平的發(fā)展，器件總是朝著高速方向發(fā)展，單一的降低信號(hào)開(kāi)關(guān)速率顯然是不現(xiàn)實(shí)的。但我們卻可以通過(guò)降低信號(hào)電壓來(lái)達(dá)到同樣的目的，因?yàn)樵谙嗤臅r(shí)間內(nèi)，低電壓器件需要跨越的邏輯門(mén)電壓幅度較小，就同樣減緩器件的上升沿速率，所以低電壓器件也是高速電路發(fā)展的趨勢(shì)。在EMI測(cè)試中，信號(hào)線對(duì)于電磁噪聲來(lái)說(shuō)是一個(gè)很好的耦合傳播途徑。
電源DC-DC晶片的VIN接腳，合理配置電容，減少輸入電源的EMI；在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動(dòng)態(tài)功率將從近端的電容獲取，而不是從遠(yuǎn)端的電源獲取，降低了雜訊干擾。另外，電源平面和地平面盡量完整。EMI又稱電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對(duì)生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?；蛘f(shuō)電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁噪聲干擾，就像傳染病般地透過(guò)電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一個(gè)主要問(wèn)題。在許多國(guó)家，尤其在歐洲，對(duì)任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。差分傳輸在這兩根線上都傳輸信號(hào)，這兩個(gè)信號(hào)的振幅相同，相位相反。江蘇芯片EMI分析整改走線布線
在許多國(guó)家，尤其在歐洲，對(duì)任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。江蘇芯片EMI分析整改走線布線
高速線，一般是SDRAM、及數(shù)字視頻信號(hào)的VCLK了，好在其走線背面有地銅層，沒(méi)有條件的，至少要有一條較寬的地線“護(hù)送”，能包地就更理想了，有的時(shí)候需要在靠MCU一端串電阻，消除過(guò)沖（過(guò)沖對(duì)輻射影響很大），不要串得太大，以免引起延遲；還有就是背面不要有平行的線，正面也是；另外就是USB，要走差分線；低速較長(zhǎng)的線，也不容忽視，盡可能用RC壓制高頻分量，靠近對(duì)外的接口處，要串磁豬,電源進(jìn)線處，串小的共模電感，總而言之，輻射過(guò)強(qiáng)是較大的dv/dt，及較大的環(huán)路面積引起，想辦法壓制電壓瞬變，降低信號(hào)過(guò)沖，縮小信號(hào)與電流回流的環(huán)路面積。江蘇芯片EMI分析整改走線布線