原板上所用變壓器，只在外面增加一個(gè)屏蔽層。測(cè)試可以通過(guò)不過(guò)余量很小只有1dB。顯然來(lái)能保障批量生產(chǎn)可能造成的不確定性。根據(jù)以上的情況做了第二次修改，將變壓器更新成前面提到過(guò)的改變了繞線方式的變壓器。用頻譜分析儀重新查看了一產(chǎn)品的變壓器的位置和MOS管的位置。發(fā)現(xiàn)MOS管的位置曲線不是有點(diǎn)高，并且成有規(guī)律的波形。用頻譜分別對(duì)MOS管的G、D、S三個(gè)腳接觸看一下是哪個(gè)腳是輻射源，發(fā)現(xiàn)D極的輻射源大。于是我在D極上串了一個(gè)通用的插件磁珠。固有的電流及電壓波形，以非?？焖俚拈_(kāi)關(guān)時(shí)間變化。上海電氣電力EMI分析整改系統(tǒng)
EMI分為傳導(dǎo)與輻射兩部分，對(duì)于EMI解決方案，相關(guān)理論書籍也很多，作為一位電源產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工程師，即使你看了很多EMI處理方面的書籍，但碰到處理EMI問(wèn)題，還是無(wú)從下手，或是不能對(duì)癥下藥，在這兒我們不妨先拋開(kāi)讓人難以理解的理論，針對(duì)我們?cè)谔幚韺?shí)際EMI問(wèn)題的一些經(jīng)驗(yàn)對(duì)策總結(jié)，也歡迎有同樣經(jīng)驗(yàn)的工程師也來(lái)發(fā)表自己的看法，1MHZ以內(nèi)，以差模干擾為主。（整改建議）1、增大X電容量；2、添加差模電感；率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。1MHZ-5MHZ，差模共模混合，采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決，（整改建議）。福建家電燈具EMI分析整改屏蔽具體情況具體分析，其實(shí) EMI 就是一種經(jīng)驗(yàn)，熟悉整改的方法就可以。
電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對(duì)生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象。或說(shuō)電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁雜訊干擾，就像傳染病般地透過(guò)電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一個(gè)主要問(wèn)題。在許多國(guó)家，尤其在歐洲，對(duì)任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。特點(diǎn)：l封裝小，能有效節(jié)省電路板空間；l能有效壓制共模噪聲；l差模截止頻率＞3.5GHz；l對(duì)高速差動(dòng)傳輸線信號(hào)幾乎沒(méi)有影響；l滿足HDMI的TRD標(biāo)準(zhǔn)；端口類型；模擬信號(hào)輸出端口（外部連接線，音頻等）；數(shù)字信號(hào)輸出端口（內(nèi)部連接口/連接線，LVDS,USB,SD,HDMI,等），信號(hào)類型一般為差分形式。
再一個(gè)方法就是在輸入輸出之間放一個(gè)濾波器。這只對(duì)系統(tǒng)地和機(jī)框地距離很近時(shí)比較有效。對(duì)于AC線路，用一個(gè)有非常小的雜散電容的耦合電感，兩個(gè)安全的經(jīng)認(rèn)證的電容（X電容）放在輸入線路間即可，并在每個(gè)線路到地放一個(gè)小的Y電容，則可以有效地壓制開(kāi)關(guān)噪聲，令其達(dá)到可以接受的水平。在開(kāi)關(guān)電源中壓制噪聲是非常有商業(yè)技巧的，理想的EMI及RFI會(huì)用一點(diǎn)點(diǎn)電路，加一點(diǎn)成本，重量，減一點(diǎn)點(diǎn)效率即可達(dá)到，理想的是一個(gè)方框或旁路掉干擾噪聲即可，這可以用插入一個(gè)對(duì)噪聲為高阻抗的元件放入壓制電路通道，并將其通過(guò)低阻抗通道旁路到地。電子產(chǎn)品要通過(guò)電源線傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)和電源線抗擾度試驗(yàn)，必須在電源線上使用干擾濾波器。
20-30MHZ，（整改建議）1、對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。200MHZ以上，開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對(duì)GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對(duì)Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容（容量范圍1000PF-4700PF/1KV），對(duì)輻射40MHz-90MHz，110MHz-170MHz均有改善。信號(hào)接收端比較兩個(gè)電壓的差值來(lái)判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。江蘇新能源汽車EMI分析整改濾波器
無(wú)論是外部還是內(nèi)部干擾都能通過(guò)信號(hào)線傳導(dǎo)至其他設(shè)備。上海電氣電力EMI分析整改系統(tǒng)
有效降低電路EMI的技巧：因CMOS電路在時(shí)脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標(biāo)準(zhǔn)，而在時(shí)脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零，所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值，不是平均值。在時(shí)脈轉(zhuǎn)換過(guò)程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個(gè)主要的輻射源，近端位置增加旁路電容，那晶片所需的電流直接由該電容提供，避免了電流浪涌的產(chǎn)生，減少了雜訊。在晶片電源接腳、I/O接口、重要訊號(hào)介面等位置增加旁路電容，有助于濾除積體電路的開(kāi)關(guān)雜訊。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。上海電氣電力EMI分析整改系統(tǒng)