訊號(hào)線(xiàn)和接地平面之間存在訊號(hào)，輻射可以由訊號(hào)走線(xiàn)或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號(hào)走線(xiàn)下方的接地平面是否完整。有效降低電路EMI的技巧：因CMOS電路在時(shí)脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標(biāo)準(zhǔn)，而在時(shí)脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零，所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值，不是平均值。在時(shí)脈轉(zhuǎn)換過(guò)程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個(gè)主要的輻射源，近端位置增加旁路電容，那晶片所需的電流直接由該電容提供，避免了電流浪涌的產(chǎn)生，減少了雜訊。EMI是指電子產(chǎn)品工作會(huì)對(duì)周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾，與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。武漢射頻EMI分析整改屏蔽
在開(kāi)關(guān)電源中壓制噪聲是非常有商業(yè)技巧的，理想的EMI及RFI會(huì)用一點(diǎn)點(diǎn)電路，加一點(diǎn)成本，重量，減一點(diǎn)點(diǎn)效率即可達(dá)到，理想的是一個(gè)方框或旁路掉干擾噪聲即可，這只對(duì)系統(tǒng)地和機(jī)框地距離很近時(shí)比較有效。對(duì)于AC線(xiàn)路，用一個(gè)有非常小的雜散電容的耦合電感，兩個(gè)安全的經(jīng)認(rèn)證的電容（X電容）放在輸入線(xiàn)路間即可，并在每個(gè)線(xiàn)路到地放一個(gè)小的Y電容，則可以有效地壓制開(kāi)關(guān)噪聲，令其達(dá)到可以接受的水平。這可以用插入一個(gè)對(duì)噪聲為高阻抗的元件放入壓制電路通道，并將其通過(guò)低阻抗通道旁路到地。再一個(gè)方法就是在輸入輸出之間放一個(gè)濾波器。武漢射頻EMI分析整改屏蔽電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能。
對(duì)高頻信號(hào)回流的理解不能有一個(gè)思維定勢(shì)，認(rèn)為回流必須完全存在于信號(hào)走線(xiàn)正下方的參考平面上。事實(shí)上，信號(hào)回流的途徑是多方面的：參考平面，相鄰的走線(xiàn)，介質(zhì)，甚至空氣都可能成為它選擇的通道，究竟哪個(gè)占主要地位歸根結(jié)底看它們和信號(hào)走線(xiàn)的耦合程度，耦合強(qiáng)的將為信號(hào)提供主要的回流途徑。比如在多層PCB設(shè)計(jì)中，參考平面離信號(hào)層很近，耦合了絕大部分的電磁場(chǎng)，99%以上的信號(hào)能量將集中在近的參考平面回流，由于信號(hào)和地回流之間的環(huán)路面積很小，所以產(chǎn)生的EMI也很低。
有效降低電路EMI的技巧：出現(xiàn)在板級(jí)連接的場(chǎng)合。如智慧機(jī)上盒(STB)產(chǎn)品，在STB主機(jī)板和EOC主機(jī)板或者Wi-Fi模組連接時(shí)，會(huì)在GND鏈路形成一個(gè)板級(jí)環(huán)路，可以在GND中間串接一個(gè)電感或者鐵氧體磁珠進(jìn)行隔離。透過(guò)雙絞線(xiàn)電纜傳輸訊號(hào)時(shí)，每對(duì)差分發(fā)射/接收都形成一個(gè)環(huán)路，因雙絞線(xiàn)緊密耦合，對(duì)于鏈路的電纜部分而言環(huán)路面積很小。需要保持緊密耦合，減少環(huán)路面積。訊號(hào)線(xiàn)和接地平面之間存在訊號(hào)，輻射可以由訊號(hào)走線(xiàn)或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號(hào)走線(xiàn)下方的接地平面是否完整。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。
有效降低電路EMI的技巧：當(dāng)存在一個(gè)磁場(chǎng)時(shí)，一個(gè)由導(dǎo)電材料形成的環(huán)路充當(dāng)了天線(xiàn)，并且把磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換為圍繞環(huán)路流動(dòng)的電流。電流的強(qiáng)度與閉合環(huán)路的面積成正比。有效降低電路EMI的技巧：出現(xiàn)在板級(jí)連接的場(chǎng)合。如智慧機(jī)上盒(STB)產(chǎn)品，在STB主機(jī)板和EOC主機(jī)板或者Wi-Fi模組連接時(shí)，會(huì)在GND鏈路形成一個(gè)板級(jí)環(huán)路，可以在GND中間串接一個(gè)電感或者鐵氧體磁珠進(jìn)行隔離。透過(guò)雙絞線(xiàn)電纜傳輸訊號(hào)時(shí)，每對(duì)差分發(fā)射/接收都形成一個(gè)環(huán)路，因雙絞線(xiàn)緊密耦合，對(duì)于鏈路的電纜部分而言環(huán)路面積很小。需要保持緊密耦合，減少環(huán)路面積。電源平面和地平面盡量完整。武漢射頻EMI分析整改屏蔽
電源DC-DC晶片的VIN接腳，合理配置電容，減少輸入電源的EMI。武漢射頻EMI分析整改屏蔽
整改方案：從傳導(dǎo)的曲線(xiàn)上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標(biāo)，所以增加共模電感到50mH，這項(xiàng)頻率超標(biāo)一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個(gè)屏蔽銅箔，并接入熱地。（同時(shí)做了別外一個(gè)變壓器，去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層，改變了變壓器的繞線(xiàn)方式，在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用）同時(shí)將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時(shí)將MOS管的D、S兩腳間增加了一個(gè)101/1KV的電容，做完以上的整改方案后做了一次測(cè)試。武漢射頻EMI分析整改屏蔽
揚(yáng)芯科技（深圳）有限公司專(zhuān)注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才，以不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力，加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括：近場(chǎng)輻射問(wèn)題解決方案，?輻射抗擾度問(wèn)題解決方案，輻射雜散預(yù)測(cè)試系統(tǒng)，射頻干擾問(wèn)題解決方案等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營(yíng)宗旨，深受客戶(hù)好評(píng)。公司力求給客戶(hù)提供全數(shù)良好服務(wù)，我們相信誠(chéng)實(shí)正直、開(kāi)拓進(jìn)取地為公司發(fā)展做正確的事情，將為公司和個(gè)人帶來(lái)共同的利益和進(jìn)步。經(jīng)過(guò)幾年的發(fā)展，已成為近場(chǎng)輻射問(wèn)題解決方案，?輻射抗擾度問(wèn)題解決方案，輻射雜散預(yù)測(cè)試系統(tǒng)，射頻干擾問(wèn)題解決方案行業(yè)出名企業(yè)。