20-30MHZ，（整改建議）1、對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。200MHZ以上，開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對(duì)GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對(duì)Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容（容量范圍1000PF-4700PF/1KV），對(duì)輻射40MHz-90MHz，110MHz-170MHz均有改善。無(wú)論是外部還是內(nèi)部干擾都能通過信號(hào)線傳導(dǎo)至其他設(shè)備。深圳消費(fèi)電子EMI分析整改系統(tǒng)
再一個(gè)方法就是在輸入輸出之間放一個(gè)濾波器。這只對(duì)系統(tǒng)地和機(jī)框地距離很近時(shí)比較有效。對(duì)于AC線路，用一個(gè)有非常小的雜散電容的耦合電感，兩個(gè)安全的經(jīng)認(rèn)證的電容（X電容）放在輸入線路間即可，并在每個(gè)線路到地放一個(gè)小的Y電容，則可以有效地壓制開關(guān)噪聲，令其達(dá)到可以接受的水平。在開關(guān)電源中壓制噪聲是非常有商業(yè)技巧的，理想的EMI及RFI會(huì)用一點(diǎn)點(diǎn)電路，加一點(diǎn)成本，重量，減一點(diǎn)點(diǎn)效率即可達(dá)到，理想的是一個(gè)方框或旁路掉干擾噪聲即可，這可以用插入一個(gè)對(duì)噪聲為高阻抗的元件放入壓制電路通道，并將其通過低阻抗通道旁路到地。浙江GJB151BEMI分析整改走線布線電源平面和地平面盡量完整。
整改方案，如下：從傳導(dǎo)的曲線上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標(biāo)，所以增加共模電感到50mH，這項(xiàng)頻率超標(biāo)一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個(gè)屏蔽銅箔，并接入熱地。（同時(shí)做了別外一個(gè)變壓器，去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層，改變了變壓器的繞線方式，在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用）同時(shí)將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時(shí)將MOS管的D、S兩腳間增加了一個(gè)101/1KV的電容，做完以上的整改方案后做了一次測(cè)試。
介紹俺的EMI整改經(jīng)驗(yàn)：關(guān)于晶體部份：1、晶體到MCU的兩條線不要太細(xì)，盡量短直，且這兩條線與兩個(gè)負(fù)載電容所包圍的面積要越小越好，電容地端，好單獨(dú)用較寬的走線單獨(dú)引至MCU振蕩地，不要與大面積地銅箔相連；2、晶體背面好是整片的地銅箔，不要走其它線，也不要在晶體正面上方走別的線；3、有的MCU與不適合的晶體配合，振幅過高，產(chǎn)生截頂失真，便會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的基波及強(qiáng)烈的諧波輻射，這種情況需在Xout上造近MCU一端串幾十至幾百歐電阻，讓振幅峰峰值降至VCC的1/2~2/3為宜。如果兩個(gè)電路的參考電平不一致，就會(huì)產(chǎn)生功能問題，如雜訊容限和邏輯開關(guān)門限電平紊亂。
對(duì)于EMI實(shí)際測(cè)試，整改，有經(jīng)驗(yàn)都可以拿來大家分享，先不管理論對(duì)不對(duì)，實(shí)際結(jié)果是怎樣就怎樣，繼續(xù)分享我的經(jīng)驗(yàn)如下：+12V田字體輸出線材上繞CoRe（常用規(guī)格為KN-RN250080），對(duì)輻射60MHz-70MHz，有改善.在次級(jí)整流管上串磁珠（常用規(guī)格為MD-353015，MD-353012），對(duì)輻射45MHz75MHz，120MHz-200MHz均有改善.一次側(cè)地對(duì)二次側(cè)地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），此電容好是放在跨主變壓器兩地之間，對(duì)輻射30MHz-60MHz，有改善。不同的電源有不同的要求。真正的實(shí)際應(yīng)用中還有很多限制的，確實(shí)如此，板框?qū)е虏季值南拗疲臻g的限制，EMI線路放不下，比如可控硅調(diào)光電源X電容不能太大，加太大了，燈會(huì)閃爍。EMI 整改：對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整 X 電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量。武漢儀器儀表EMI分析整改屏蔽
開關(guān)晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。深圳消費(fèi)電子EMI分析整改系統(tǒng)
在晶片電源接腳、I/O接口、重要訊號(hào)介面等位置增加旁路電容，有助于濾除積體電路的開關(guān)雜訊。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。訊號(hào)線下方的地要完整，要有完整的參考面。訊號(hào)電流經(jīng)過一個(gè)低阻抗的路徑返還其驅(qū)動(dòng)源，能夠有效減小輻射，而且由于地層的遮罩作用，使得電路對(duì)外輻射的靈敏度也會(huì)降低。如果兩個(gè)電路的參考電平不一致，就會(huì)產(chǎn)生功能問題，如雜訊容限和邏輯開關(guān)門限電平紊亂，這個(gè)接地雜訊電壓就會(huì)導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。深圳消費(fèi)電子EMI分析整改系統(tǒng)