在晶片電源接腳、I/O接口、重要訊號(hào)介面等位置增加旁路電容，有助于濾除積體電路的開(kāi)關(guān)雜訊。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。訊號(hào)線(xiàn)下方的地要完整，要有完整的參考面。訊號(hào)電流經(jīng)過(guò)一個(gè)低阻抗的路徑返還其驅(qū)動(dòng)源，能夠有效減小輻射，而且由于地層的遮罩作用，使得電路對(duì)外輻射的靈敏度也會(huì)降低。如果兩個(gè)電路的參考電平不一致，就會(huì)產(chǎn)生功能問(wèn)題，如雜訊容限和邏輯開(kāi)關(guān)門(mén)限電平紊亂，這個(gè)接地雜訊電壓就會(huì)導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。EMC包括EMI和EMS,也就是電磁干擾和電磁抗干擾。廣州充電樁EMI分析整改方式
EMI整改和調(diào)試是工程師在設(shè)計(jì)中不可回避的問(wèn)題：一次性很難通過(guò)昂貴的EMI一致性測(cè)試；難以捕獲偶發(fā)的EMI突發(fā)信號(hào)；需要擁有較長(zhǎng)儀器采集時(shí)間的實(shí)時(shí)頻譜分析儀才可能捕獲EMI突發(fā)信號(hào)；大多數(shù)頻譜分析儀不是實(shí)時(shí)頻譜分析儀；EMI調(diào)試中很難找到噪聲來(lái)源；截短PCB線(xiàn)路，然后重連，才有可能找到噪聲來(lái)源；很難找到導(dǎo)致EMI的模擬信號(hào)和/或數(shù)字信號(hào)。遇到傳導(dǎo)測(cè)試超標(biāo)問(wèn)題，第一步要做的，通常是定位噪聲分量主要是差模還是共模，通常的測(cè)試設(shè)備可以用來(lái)區(qū)分差共模分量，但個(gè)人覺(jué)得太麻煩，并且測(cè)試出來(lái)的是相對(duì)值，并不一定可以具備指導(dǎo)意義。簡(jiǎn)單的辦法是，在輸入端口并聯(lián)一個(gè)X電容，幾十nF到幾百nF，如果所關(guān)心的頻段測(cè)試通過(guò)了，就說(shuō)明噪聲的干擾主要是差模干擾，或者更準(zhǔn)確地說(shuō)，通過(guò)壓低差模分量，就一定能夠搞定問(wèn)題。西安充電樁EMI分析整改實(shí)驗(yàn)由開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的共模噪聲是大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的障礙，因此要采用輸入濾波器。
對(duì)于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來(lái)考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對(duì)于高速的數(shù)字器件來(lái)說(shuō)，產(chǎn)生高頻交流信號(hào)時(shí)的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個(gè)主要原因。我們知道，數(shù)字信號(hào)在開(kāi)關(guān)輸出時(shí)產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很多高次諧波分量，這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時(shí)間來(lái)決定，信號(hào)上升和下降速率越快，即開(kāi)關(guān)頻率越高，則產(chǎn)生的能量越多。所以，如果器件在很短的時(shí)間內(nèi)完成很大的電壓瞬變，將會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁輻射，這個(gè)電磁能量的外泄就會(huì)造成電磁干擾問(wèn)題。
EMI整改：1、對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量；2、對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)壓制；3、也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如FR107一對(duì)普通整流二極管1N4007。5M以上，以共摸干擾為主，采用壓制共摸的方法（整改建議）對(duì)于外殼接地的，在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。插在線(xiàn)路與機(jī)架之間，不同的噪聲象瞬態(tài)響應(yīng)，為輸出濾波電容及濾波電感的函數(shù)。
20-30MHZ，（整改建議）1、對(duì)于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。200MHZ以上，開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對(duì)GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對(duì)Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容（容量范圍1000PF-4700PF/1KV），對(duì)輻射40MHz-90MHz，110MHz-170MHz均有改善。電感或電容耦合通過(guò)自由或其組合，開(kāi)關(guān)電源是對(duì)EMI及RFI的產(chǎn)生壞的來(lái)源之一。安徽芯片EMI分析整改原理
在EMI測(cè)試中，信號(hào)線(xiàn)對(duì)于電磁噪聲來(lái)說(shuō)是一個(gè)很好的耦合傳播途徑。廣州充電樁EMI分析整改方式
EMI是如何發(fā)生的？從技朮上EMI通常由變化的電磁場(chǎng)及把它們導(dǎo)通傳輸，電感或電容耦合通過(guò)自由或其組合，開(kāi)關(guān)電源是對(duì)EMI及RFI的產(chǎn)生壞的來(lái)源之一。開(kāi)關(guān)晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。由開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的共模噪聲是大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的障礙，因此要采用輸入濾波器，將其插在線(xiàn)路與機(jī)架之間，不同的噪聲象瞬態(tài)響應(yīng)，為輸出濾波電容及濾波電感的函數(shù)。具體情況具體分析，其實(shí)EMI就是一種經(jīng)驗(yàn)，熟悉整改的方法就可以，真正的想要去計(jì)算出來(lái)很難的，到了整改現(xiàn)場(chǎng)也沒(méi)有那么多時(shí)間給你去計(jì)算吧，只有就地取材了，有時(shí)候一個(gè)元件的放置方法對(duì)其有很大的影響的！廣州充電樁EMI分析整改方式