整改方案，如下：從傳導(dǎo)的曲線上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標(biāo)，所以增加共模電感到50mH，這項(xiàng)頻率超標(biāo)一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個(gè)屏蔽銅箔，并接入熱地。（同時(shí)做了別外一個(gè)變壓器，去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層，改變了變壓器的繞線方式，在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用）同時(shí)將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時(shí)將MOS管的D、S兩腳間增加了一個(gè)101/1KV的電容，做完以上的整改方案后做了一次測(cè)試。在開(kāi)關(guān)電源中壓制噪聲是非常有商業(yè)技巧的，理想的EMI及RFI會(huì)用一點(diǎn)點(diǎn)電路。西安消費(fèi)電子EMI分析整改隔離
EMI，電磁干擾度，描述電子、電氣產(chǎn)品在正常工作狀態(tài)下對(duì)外界的干擾；EMI又包括傳導(dǎo)干擾CE（conductionemission）和輻射干擾RE(radiationemission)以及諧波harmonic。EMC包括EMI(interference)和EMS(susceptibility),也就是電磁干擾和電磁抗干擾。EMI（ElectromagneticInterference）直譯是“電磁干擾”。EMI是指電子產(chǎn)品工作會(huì)對(duì)周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾，與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。EMC電磁能量的檢測(cè)、抗電磁干擾性試驗(yàn)、檢測(cè)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)處理、電磁能量輻射壓制技術(shù)、雷電和地磁等自然電磁現(xiàn)象、電場(chǎng)磁場(chǎng)對(duì)人體的影響、電場(chǎng)強(qiáng)度的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)、電磁能量的傳輸途徑、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)及限制等均包含在EMC之內(nèi)。EMI是電子電器產(chǎn)品經(jīng)常遇上的問(wèn)題。干擾種類有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。安徽充電樁EMI分析整改器件選型有效降低電路EMI的技巧：當(dāng)存在一個(gè)磁場(chǎng)時(shí)，一個(gè)由導(dǎo)電材料形成的環(huán)路充當(dāng)了天線。
電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對(duì)生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?；蛘f(shuō)電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁雜訊干擾，就像傳染病般地透過(guò)電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一個(gè)主要問(wèn)題。在許多國(guó)家，尤其在歐洲，對(duì)任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。特點(diǎn)：l封裝小，能有效節(jié)省電路板空間；l能有效壓制共模噪聲；l差模截止頻率＞3.5GHz；l對(duì)高速差動(dòng)傳輸線信號(hào)幾乎沒(méi)有影響；l滿足HDMI的TRD標(biāo)準(zhǔn)；端口類型；模擬信號(hào)輸出端口（外部連接線，音頻等）；數(shù)字信號(hào)輸出端口（內(nèi)部連接口/連接線，LVDS,USB,SD,HDMI,等），信號(hào)類型一般為差分形式。
信號(hào)端口濾波需要考慮的問(wèn)題點(diǎn)：l端口傳輸信號(hào)不能由于任何原因信號(hào)不完整的問(wèn)題；l普通磁珠，差分濾波器會(huì)對(duì)差分信號(hào)產(chǎn)生衰減，阻抗過(guò)大甚至引起差分信號(hào)時(shí)序錯(cuò)亂，左右信號(hào)不對(duì)稱。（共模濾波器可以使差分信號(hào)順利通過(guò)，而對(duì)共模的干擾信號(hào)呈較高阻抗）；這是我從LVDS信號(hào)線上抓的一個(gè)頻譜，區(qū)域的尖峰，在頻譜上一直很穩(wěn)定，一般這種信號(hào)是時(shí)鐘串?dāng)_到信號(hào)線上的信號(hào)，必須濾除。其他在頻譜上不斷跳動(dòng)但是頻域不會(huì)變化，這是有用的信號(hào)，不能有所破壞。有效降低電路EMI的技巧：出現(xiàn)在板級(jí)連接的場(chǎng)合。
高速線，一般是SDRAM、及數(shù)字視頻信號(hào)的VCLK了，好在其走線背面有地銅層，沒(méi)有條件的，至少要有一條較寬的地線“護(hù)送”，能包地就更理想了，有的時(shí)候需要在靠MCU一端串電阻，消除過(guò)沖（過(guò)沖對(duì)輻射影響很大），不要串得太大，以免引起延遲；還有就是背面不要有平行的線，正面也是；另外就是USB，要走差分線；低速較長(zhǎng)的線，也不容忽視，盡可能用RC壓制高頻分量，靠近對(duì)外的接口處，要串磁豬,電源進(jìn)線處，串小的共模電感，總而言之，輻射過(guò)強(qiáng)是較大的dv/dt，及較大的環(huán)路面積引起，想辦法壓制電壓瞬變，降低信號(hào)過(guò)沖，縮小信號(hào)與電流回流的環(huán)路面積。由于地層的遮罩作用，使得電路對(duì)外輻射的靈敏度也會(huì)降低。鄭州充電樁EMI分析整改方法
在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動(dòng)態(tài)功率將從近端的電容獲取。西安消費(fèi)電子EMI分析整改隔離
訊號(hào)線和接地平面之間存在訊號(hào)，輻射可以由訊號(hào)走線或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號(hào)走線下方的接地平面是否完整。有效降低電路EMI的技巧：因CMOS電路在時(shí)脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標(biāo)準(zhǔn)，而在時(shí)脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零，所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值，不是平均值。在時(shí)脈轉(zhuǎn)換過(guò)程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個(gè)主要的輻射源，近端位置增加旁路電容，那晶片所需的電流直接由該電容提供，避免了電流浪涌的產(chǎn)生，減少了雜訊。西安消費(fèi)電子EMI分析整改隔離