為什么要進行EMC合規(guī)性預(yù)測試？隨著電氣電子技術(shù)的發(fā)展，家用電器產(chǎn)品日益普及和電子化，廣播電視、郵電通訊和計算機網(wǎng)絡(luò)的日益發(fā)達，電磁環(huán)境日益復(fù)雜和惡化，使得電氣電子產(chǎn)品的電磁兼容性（EMC電磁干擾EMI與電磁抗EMS）問題也受到各國有關(guān)部門和生產(chǎn)企業(yè)的日益重視。電子、電器產(chǎn)品的電磁兼容性（EMC）是一項非常重要的質(zhì)量指標(biāo)，它不只關(guān)系到產(chǎn)品本身的工作可靠性和使用安全性，而且還可能影響到其他設(shè)備和系統(tǒng)的正常工作，關(guān)系到電磁環(huán)境的保護問題。輻射區(qū)內(nèi)，電磁場開始輻射，標(biāo)志著遠場的開始。成都近場輻射測試儀價格
近場和遠場的邊界、運行頻段的波長如。天線應(yīng)位于正弦波左側(cè)起始的位置。輻射區(qū)內(nèi)，電磁場開始輻射，標(biāo)志著遠場的開始。場的強度和天線的距離成反比(1/r3)。的過渡區(qū)是指近場和遠場之間的部分(有些模型沒有定義過渡區(qū))。遠場開始于距離為2λ的地方。輻射出的正弦波和近場、遠場。近場通常分為兩個區(qū)域，反應(yīng)區(qū)和輻射區(qū)。在反應(yīng)區(qū)里，電場和磁場是很強的，并且可以單獨測量。根據(jù)天線的種類，某一種場會成為主導(dǎo)。例如環(huán)形天線主要是磁場，環(huán)形天線就如同變壓器的初級，因為它產(chǎn)生的磁場很大。北京電磁波近場輻射和近場類似，遠場的起始也沒有統(tǒng)一的定義。
克服難題需要對智能終端設(shè)備進行有效的測試和測量，這樣能確保準確地生成和分析信號，從而正確地測試和測量通信鏈路（如發(fā)射機和接收機）。采用的信號生成和分析解決方案應(yīng)當(dāng)提供快速的測量時間和切換速度，并且具有可擴展性，讓測試工具可以適應(yīng)用戶不斷變化的測試需要。另外解決方案還應(yīng)具有靈活性，以確保它們支持當(dāng)前和未來的制式。有了這些解決方案后，我們才能放心的在研發(fā)、調(diào)試、驗證中尋找出合適的、較優(yōu)的、低成本的方案從而縮短開發(fā)周期，進而搶先獲得消費市場認可。
輻射近場測量的可信域：對于平面輻射近場測量而言，由基本理論可知，在θ=-90°或90°（θ為場點偏離天線口面法線方向的方向角）時，這種方法的精度明顯變差，因此平面輻射近場測量適用于天線方向圖為單向筆形波束天線的測量，可信域（-θ，θ）中的θ值與近場掃描面和取樣間距有如下關(guān)系（一維情況）：θ=arctg［（L-X）/2d］，（1）式中L為掃描面的尺寸；X為天線口徑面的尺寸；d為掃描面到天線口徑面的距離。輻射近場測量的研究與誤差分析的探討是同時進行的，研究結(jié)果表明：輻射近場測量的主要誤差源為18項，大致分為4個方面，即探頭誤差、機械掃描定位誤差、測量系統(tǒng)誤差以及測量環(huán)境誤差。對于平面輻射近場測量的誤差分析已經(jīng)完成，計算機模擬及各項誤差的上界也已給出；柱面、球面輻射近場測量的誤差分析尚未完成。天線旁邊的磁場呈球形或弧形，特別是距離天線近的磁場。
目前市場上提供用于電磁兼容認證合規(guī)測試的儀器和系統(tǒng)，往往價格非常昂貴的，而且還需要建立專業(yè)精良的電磁兼容實驗室或租用實驗室，投入成本高，測試步驟非常繁瑣。因此對新產(chǎn)品的研發(fā)，為了取得EMC相關(guān)認證，常常在電磁兼容認證實驗室和公司研發(fā)部門之間來回奔波，不斷地重新設(shè)計、整改、再測試。企業(yè)為產(chǎn)品由于電磁輻射干擾強度超過了電磁兼容標(biāo)準規(guī)定而不能出廠，或由于電路模塊之間的電磁干擾造成系統(tǒng)不能正常工作，從而延誤了產(chǎn)品的上市而煩惱。因此工程師們非常有必要在設(shè)計期間在產(chǎn)品研發(fā)階段進行合規(guī)性預(yù)測試，以保證研發(fā)的產(chǎn)品電磁輻射測量結(jié)果滿足電磁輻射規(guī)定要求和產(chǎn)品上市進度。以焦斑為中心，落在其前后半個瑞利長度范圍外的光場為近場，否則稱為遠場。天津消費電子近場輻射測試方法
距離天線一定范圍內(nèi)，電場和磁場基本為平面并以直角相交。成都近場輻射測試儀價格
從90年代末至今，近場微波成像已經(jīng)引起了學(xué)者們的濃厚興趣，但由于常規(guī)目標(biāo)散射近場的復(fù)雜性，致使近場微波成像遠遠滯后于遠場成像。近場微波成像中，著眼于潛在的應(yīng)用，目標(biāo)函數(shù)既可以是理想導(dǎo)體目標(biāo)的輪廓函數(shù)，也可以是目標(biāo)介電常數(shù)的分布函數(shù)。從照射天線與成像目標(biāo)的相對運動方式來看，近場微波成像有兩種模式：即直線掃描模式和轉(zhuǎn)臺模式，研究方法可分為電磁逆散射法和球背向投影法（SphericalBackProjection，簡寫為SBP）。其中電磁逆散射法散射機理清晰，但數(shù)學(xué)公式復(fù)雜且有很大的局限性，因而，實際中使用較少；而球背向投影法在實際中使用較多。利用球背向投影法在直線掃描模式和轉(zhuǎn)臺模式情況下的目標(biāo)函數(shù)解析公式已經(jīng)給出。成都近場輻射測試儀價格