山東集成電路EMI分析整改隔離

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-08-29

差分傳輸是一種信號(hào)傳輸?shù)募夹g(shù),區(qū)別于傳統(tǒng)的一根信號(hào)線一根地線的單端信號(hào)傳輸,差分傳輸在這兩根線上都傳輸信號(hào),這兩個(gè)信號(hào)的振幅相同,相位相反。在這兩根線上的傳輸?shù)男盘?hào)就是差分信號(hào)。信號(hào)接收端比較這兩個(gè)電壓的差值來判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。在電路板上,差分走線必須是等長(zhǎng)、等寬、緊密靠近、且在同一層面的兩根線。在EMI測(cè)試中,信號(hào)線對(duì)于電磁噪聲來說是一個(gè)很好的耦合傳播途徑,無論是外部還是內(nèi)部干擾都能通過信號(hào)線傳導(dǎo)至其他設(shè)備,因此信號(hào)端口濾波的好壞是影響設(shè)備EMI是否超標(biāo)的一個(gè)重要因素。不同的電源有不同的要求,實(shí)際應(yīng)用中還有很多限制的。山東集成電路EMI分析整改隔離

對(duì)于EMI實(shí)際測(cè)試,整改,有經(jīng)驗(yàn)都可以拿來大家分享,先不管理論對(duì)不對(duì),實(shí)際結(jié)果是怎樣就怎樣,繼續(xù)分享我的經(jīng)驗(yàn)如下:+12V田字體輸出線材上繞CoRe(常用規(guī)格為KN-RN250080),對(duì)輻射60MHz-70MHz,有改善.在次級(jí)整流管上串磁珠(常用規(guī)格為MD-353015,MD-353012),對(duì)輻射45MHz75MHz,120MHz-200MHz均有改善.一次側(cè)地對(duì)二次側(cè)地跨CY電容(容量范圍470PF-4700PF),此電容好是放在跨主變壓器兩地之間,對(duì)輻射30MHz-60MHz,有改善。不同的電源有不同的要求。真正的實(shí)際應(yīng)用中還有很多限制的,確實(shí)如此,板框?qū)е虏季值南拗疲臻g的限制,EMI線路放不下,比如可控硅調(diào)光電源X電容不能太大,加太大了,燈會(huì)閃爍。山東集成電路EMI分析整改隔離變壓器的外面增加了一個(gè)屏蔽銅箔,并接入熱地。

分析信號(hào)回流對(duì)EMI的影響,可以看到:信號(hào)和回流外部區(qū)域,由于磁場(chǎng)的極性相反,可以相互抵消,而中間部分是加強(qiáng)的,這也是對(duì)外輻射的主要來源。很明顯,我們只要縮短信號(hào)和回流之間的距離,就可以更好的抵消的電磁場(chǎng),同時(shí)也能降低中間加強(qiáng)部分的面積,很大壓制EMI。但如果由于相鄰的參考平面上存在縫隙等非理想因素,這就導(dǎo)致了回流的面積增大,低電感的耦合作用減弱,將會(huì)有更多的回流通過其它途徑或者直接釋放到空中,這就會(huì)導(dǎo)致EMI的很大增加。

20-30MHZ,(整改建議)1、對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置;2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值;3、在變壓器外面包銅箔;變壓器里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。因?yàn)樗鼈兊墓逃械碾娏骷半妷翰ㄐ危苑浅?焖俚拈_關(guān)時(shí)間變化。200MHZ以上,開關(guān)電源已基本輻射量很小,一般均可過EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對(duì)GND并的CY電容(容量范圍470PF-4700PF),對(duì)輻射的50MHz-110MHz,190MHz-240MHz均有改善.高壓地對(duì)Case地跨CY電容(容量范圍470PF-4700PF),對(duì)輻射40MHz-55MHz,80MHz-130MHz,160MHz-180MHz,均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容(容量范圍1000PF-4700PF/1KV),對(duì)輻射40MHz-90MHz,110MHz-170MHz均有改善。訊號(hào)線下方的地要完整,要有完整的參考面。

高速線,一般是SDRAM、及數(shù)字視頻信號(hào)的VCLK了,好在其走線背面有地銅層,沒有條件的,至少要有一條較寬的地線“護(hù)送”,能包地就更理想了,有的時(shí)候需要在靠MCU一端串電阻,消除過沖(過沖對(duì)輻射影響很大),不要串得太大,以免引起延遲;還有就是背面不要有平行的線,正面也是;另外就是USB,要走差分線;低速較長(zhǎng)的線,也不容忽視,盡可能用RC壓制高頻分量,靠近對(duì)外的接口處,要串磁豬,電源進(jìn)線處,串小的共模電感,總而言之,輻射過強(qiáng)是較大的dv/dt,及較大的環(huán)路面積引起,想辦法壓制電壓瞬變,降低信號(hào)過沖,縮小信號(hào)與電流回流的環(huán)路面積。信號(hào)端口濾波的好壞是影響設(shè)備EMI是否超標(biāo)的一個(gè)重要因素。鄭州射頻EMI分析整改屏蔽

電子產(chǎn)品要通過電源線傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)和電源線抗擾度試驗(yàn),必須在電源線上使用干擾濾波器。山東集成電路EMI分析整改隔離

EMI,電磁干擾度,描述電子、電氣產(chǎn)品在正常工作狀態(tài)下對(duì)外界的干擾;EMI又包括傳導(dǎo)干擾CE(conductionemission)和輻射干擾RE(radiationemission)以及諧波harmonic。EMC包括EMI(interference)和EMS(susceptibility),也就是電磁干擾和電磁抗干擾。EMI(ElectromagneticInterference)直譯是“電磁干擾”。EMI是指電子產(chǎn)品工作會(huì)對(duì)周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾,與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。EMC電磁能量的檢測(cè)、抗電磁干擾性試驗(yàn)、檢測(cè)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)處理、電磁能量輻射壓制技術(shù)、雷電和地磁等自然電磁現(xiàn)象、電場(chǎng)磁場(chǎng)對(duì)人體的影響、電場(chǎng)強(qiáng)度的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)、電磁能量的傳輸途徑、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)及限制等均包含在EMC之內(nèi)。EMI是電子電器產(chǎn)品經(jīng)常遇上的問題。干擾種類有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。山東集成電路EMI分析整改隔離