MOS管的應(yīng)用場(chǎng)景數(shù)字電路：MOS管的高速開(kāi)關(guān)和低功耗使其非常適合用于數(shù)字電路，例如微處理器和數(shù)字信號(hào)處理器。放大器：MOS管的高輸入阻抗和低噪聲使其非常適合用于放大器和傳感器等需要高靈敏度的應(yīng)用。電源管理：MOS管的低功耗和高效率使其非常適合用于電源管理，例如電池充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。通信系統(tǒng)：MOS管的高速開(kāi)關(guān)和低功耗使其非常適合用于通信系統(tǒng)，例如無(wú)線電和衛(wèi)星通信。汽車電子：MOS管的高可靠性和低功耗使其非常適合用于汽車電子，例如發(fā)動(dòng)機(jī)控制和車載娛樂(lè)系統(tǒng)。 MOS的基礎(chǔ)用法，它大量的被應(yīng)用在一些開(kāi)關(guān)電源的電路上。云南汽車MOS管聯(lián)系電話
無(wú)二次擊穿；由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)溫度上升就會(huì)導(dǎo)致集電極電流上升（正的溫度～電流特性）的現(xiàn)象，而集電極電流的上升又會(huì)導(dǎo)致溫度進(jìn)一步的上升，溫度進(jìn)一步的上升，更進(jìn)一步的導(dǎo)致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降，這就形成了管溫繼續(xù)上升、耐壓繼續(xù)下降會(huì)導(dǎo)致晶體三極管的擊穿，這是一種導(dǎo)致電視機(jī)開(kāi)關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象，也稱為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當(dāng)管溫度（或環(huán)境溫度）上升時(shí)，溝道電流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOSFET開(kāi)關(guān)管，當(dāng)VGS控制電壓不變時(shí)，在250C溫度下IDS=3A，當(dāng)芯片溫度升高為1000C時(shí)，IDS降低到2A，這種因溫度上升而導(dǎo)致溝道電流IDS下降的負(fù)溫度電流特性，使之不會(huì)產(chǎn)生惡性循環(huán)而熱擊穿。也就是MOS管沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象，可見(jiàn)采用MOS管作為開(kāi)關(guān)管，其開(kāi)關(guān)管的損壞率大幅度的降低，近兩年電視機(jī)開(kāi)關(guān)電源采用MOS管代替過(guò)去的普通晶體三極管后，開(kāi)關(guān)管損壞率大幅度降低也是一個(gè)極好的證明。 西藏工業(yè)級(jí)MOS管直銷mos管是電壓驅(qū)動(dòng)還是電流驅(qū)動(dòng)？
以金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)晶體管為主要元件構(gòu)成的集成電路。簡(jiǎn)稱MOSIC。一般認(rèn)為MOS集成電路功耗低、集成度高，宜用作數(shù)字集成電路；雙極型集成電路則適用作高速數(shù)字和模擬電路。MOS，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件，和普通雙極型晶體管相比擬，場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性，得到了越來(lái)越普遍的應(yīng)用。
MOS管介紹1、場(chǎng)效應(yīng)管（FET）主要包括結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）；絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管包括增強(qiáng)型和耗盡型兩種；增強(qiáng)型和耗盡型分別包括N型和P型兩種。我們常用的場(chǎng)效應(yīng)管一般是指增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管。2、對(duì)于較常用的兩種MOS管，N型與P型，一般N型管使用場(chǎng)景更廣。這是因?yàn)橹圃旃に嚥煌?，?dǎo)致P型管的導(dǎo)通電阻大于N型管，且價(jià)格更昂貴。P型管與N型管參數(shù)也不容易做到對(duì)稱，在集成電路中也是一樣，因此在例如推挽這種電路中，上升時(shí)間與下降時(shí)間會(huì)存在區(qū)別。3、上圖是MOS管等效模型，由于制作工藝問(wèn)題，在3個(gè)管腳之間均存在寄生電容，它影響了MOS的開(kāi)關(guān)特性，具體下面講解。4、如上圖所示，在DS之間存在一個(gè)寄生二極管，叫做體二極管，在集成電路中并不存在。當(dāng)MOS管驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)，體二極管可以作為續(xù)流二極管存在，驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)很重要。 mos管和igbt有什么區(qū)別？
在修理電視機(jī)及各種電器設(shè)備時(shí)，遇到元器件損壞應(yīng)該采用相同型號(hào)的元件進(jìn)行更換。但是，有時(shí)相同的元件手邊沒(méi)有，就要采用其他型號(hào)的進(jìn)行代換，這樣就要考慮到各方面的性能、參數(shù)、外形尺寸等，例如電視的里面的行輸出管，只要考慮耐壓、電流、功率一般是可以進(jìn)行代換的（行輸出管外觀尺寸幾乎相同），而且功率往往大一些更好。對(duì)于MOS管代換雖然也是這一原則，原型號(hào)的是較為合適的，特別是不要追求功率要大一些，因?yàn)楣β蚀?；輸入電容就大，換了后和激勵(lì)電路就不匹配了，激勵(lì)灌流電路的充電限流電阻的阻值的大小和MOS管的輸入電容是有關(guān)系的，選用功率大的盡管容量大了，但輸入電容也就大了，激勵(lì)電路的配合就不好了，這反而會(huì)使MOS管的開(kāi)、關(guān)性能變壞。所示代換不同型號(hào)的MOS管，要考慮到其輸入電容這一參數(shù)。 MOS管的缺點(diǎn)是容易受到靜電擊穿和熱噪聲的影響。車規(guī)級(jí)MOS管多少錢
按照導(dǎo)電機(jī)制的不同，MOS管又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。云南汽車MOS管聯(lián)系電話
縱坐標(biāo)是電阻的值，當(dāng)g、s的電壓小于一個(gè)特定值的時(shí)候呢，電阻基本上是無(wú)窮大的。然后這個(gè)電壓值大于這個(gè)特定值的時(shí)候，電阻就接近于零，至于說(shuō)等于這個(gè)值的時(shí)候會(huì)怎么樣，我們先不用管這個(gè)臨界的電壓值，我們稱之為vgsth，也就是打開(kāi)MOS管需要的g、s電壓，這是每一個(gè)MOS管的固有屬性，我們可以在MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)里面找到它。顯然vgsth一定要小于這個(gè)高電平的電壓值，否則的話就沒(méi)有辦法被正常的打開(kāi)。所以在你選擇這個(gè)MOS管的時(shí)候，如果你的高電平是對(duì)應(yīng)的5V，那么選3V左右的vgsth是比較合適的。太小的話會(huì)因?yàn)楦蓴_而誤觸發(fā)，太大的話又打不開(kāi)這個(gè)MOS管。 云南汽車MOS管聯(lián)系電話