MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點(diǎn)，但是在作為大功率開關(guān)管應(yīng)用時(shí)，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個(gè)小電容器，輸入的開關(guān)激勵(lì)信號(hào)，實(shí)際上是在對(duì)這個(gè)電容進(jìn)行反復(fù)的充電、放電的過(guò)程，在充放電的過(guò)程中，使MOS管道導(dǎo)通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后，使“開”與“關(guān)”的過(guò)程變慢，這是開關(guān)元件不能允許的（功耗增加，燒壞開關(guān)管）。
由于MOS管在制造工藝上柵極S的引線的電流容量有一定的限度，所以在Q1在飽和導(dǎo)通時(shí)VCC對(duì)MOS管柵極S的瞬時(shí)充電電流巨大，極易損壞MOS管的輸入端，為了保護(hù)MOS管的安全，在具體的電路中必須采取措施限制瞬時(shí)充電的電流值，在柵極充電的電路中串接一個(gè)適當(dāng)?shù)某潆娤蘖麟娮琛?mos管的外形和三極管，可控硅，三端穩(wěn)壓器，IGBT類似。MOS管廠家有哪些
MOS的運(yùn)用：MOS管為壓控元件,你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通,它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣,導(dǎo)通結(jié)的壓降小.這就是常說(shuō)的精典是開關(guān)作用.去掉這個(gè)控制電壓經(jīng)就截止.MOS管MOS管的英文全稱叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時(shí)被稱為場(chǎng)效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。而在主板上的電源穩(wěn)壓電路中，MOSFET扮演的角色主要是判斷電位，它在主板上常用“Q”加數(shù)字表示。汽車級(jí)MOS管總代工程師們！你們有多了解MOS管？
MOS管導(dǎo)通后其導(dǎo)通特性呈純阻性；普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通是，幾乎是直通，有一個(gè)極低的壓降，稱為飽和壓降，既然有一個(gè)壓降，那么也就是；普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通后等效是一個(gè)阻值極小的電阻，但是這個(gè)等效的電阻是一個(gè)非線性的電阻（電阻上的電壓和流過(guò)的電流不能符合歐姆定律），而MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用，在飽和導(dǎo)通后也存在一個(gè)阻值極小的電阻，但是這個(gè)電阻等效一個(gè)線性電阻，其電阻的阻值和兩端的電壓降和流過(guò)的電流符合歐姆定律的關(guān)系，電流大壓降就大，電流小壓降就小，導(dǎo)通后既然等效是一個(gè)線性元件，線性元件就可以并聯(lián)應(yīng)用，當(dāng)這樣兩個(gè)電阻并聯(lián)在一起，就有一個(gè)自動(dòng)電流平衡的作用，所以MOS管在一個(gè)管子功率不夠的時(shí)候，可以多管并聯(lián)應(yīng)用，且不必另外增加平衡措施（非線性器件是不能直接并聯(lián)應(yīng)用的）。MOS管和普通的晶體三極管相比，有以上四項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，就足以使MOS管在開關(guān)運(yùn)用狀態(tài)下完全取代普通的晶體三極管。
MOS管介紹1、場(chǎng)效應(yīng)管（FET）主要包括結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）；絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管包括增強(qiáng)型和耗盡型兩種；增強(qiáng)型和耗盡型分別包括N型和P型兩種。我們常用的場(chǎng)效應(yīng)管一般是指增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管。2、對(duì)于較常用的兩種MOS管，N型與P型，一般N型管使用場(chǎng)景更廣。這是因?yàn)橹圃旃に嚥煌?，?dǎo)致P型管的導(dǎo)通電阻大于N型管，且價(jià)格更昂貴。P型管與N型管參數(shù)也不容易做到對(duì)稱，在集成電路中也是一樣，因此在例如推挽這種電路中，上升時(shí)間與下降時(shí)間會(huì)存在區(qū)別。3、上圖是MOS管等效模型，由于制作工藝問(wèn)題，在3個(gè)管腳之間均存在寄生電容，它影響了MOS的開關(guān)特性，具體下面講解。4、如上圖所示，在DS之間存在一個(gè)寄生二極管，叫做體二極管，在集成電路中并不存在。當(dāng)MOS管驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)，體二極管可以作為續(xù)流二極管存在，驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)很重要。 MOS管是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。
MOS管的特性1、開關(guān)特性。MOS管是壓控器件，作為開關(guān)時(shí)，NMOS只要滿足Vgs>Vgs(th)即可導(dǎo)通，PMOS只要滿足Vgs2、開關(guān)損耗。MOS的損耗主要包括開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通損耗是由于導(dǎo)通后存在導(dǎo)通電阻而產(chǎn)生的，一般導(dǎo)通電阻都很小。開關(guān)損耗是在MOS由可變電阻區(qū)進(jìn)入夾斷區(qū)的過(guò)程中，也就是MOS處于恒流區(qū)時(shí)所產(chǎn)生的損耗。開關(guān)損耗遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。減小損耗通常有兩個(gè)方法，一是縮短開關(guān)時(shí)間，二是降低開關(guān)頻率。3、由壓控所導(dǎo)致的的開關(guān)特性。由于制作工藝的限制，NMOS的使用場(chǎng)景要遠(yuǎn)比PMOS多，因此在將更適合于高驅(qū)動(dòng)的PMOS替換成NMOS時(shí)便出現(xiàn)了問(wèn)題。當(dāng)MOS導(dǎo)通時(shí)，Vs=Vd=Vdd，此時(shí)要保持MOS的導(dǎo)通，就需要Vg>Vdd。在功率驅(qū)動(dòng)電路中，MOS經(jīng)常開關(guān)的是電源電壓，或者說(shuō)是系統(tǒng)中達(dá)到闕值電壓，此時(shí)要保證MOS的導(dǎo)通就需要額外升壓提供Vg。4、在寬電壓的應(yīng)用場(chǎng)景中，柵極的控制電壓很多時(shí)候是不確定的，為了保證MOS管的安全工作，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管來(lái)限制柵極的控制電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓大于穩(wěn)壓管電壓時(shí)，會(huì)額外增加管子的功耗。如果柵極控制電壓不足時(shí)，則會(huì)導(dǎo)致管子開關(guān)不徹底，也會(huì)增加管子功耗。 mos管作為開關(guān)工作在什么區(qū)？西藏工業(yè)級(jí)MOS管供應(yīng)
哪些國(guó)產(chǎn)MOS管品牌可以替代其他品牌MOS管等國(guó)外品牌？MOS管廠家有哪些
MOS管重要特性：2.損失特性不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，電流就會(huì)被電阻消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾毫歐至幾十毫歐左右，選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗。MOS管在進(jìn)行導(dǎo)通和截止時(shí)，兩端的電壓有一個(gè)降落過(guò)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程，在這段時(shí)間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，這稱之為開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，損失也越大。導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積越大，構(gòu)成的損失也就越大?？s短開關(guān)時(shí)間，可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失;降低開關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。 MOS管廠家有哪些