第五是輸入阻抗和噪聲能力不同。MOS管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，被普遍應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，特別用MOS管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí)，可以獲得普通三極管很難達(dá)到的性能。然后是功耗損耗不同。同等情況下，采用MOS管時(shí)，功耗損耗低;而選用三極管時(shí)，功耗損耗要高出許多。當(dāng)然，在使用成本上，MOS管要高于三極管，因此根據(jù)兩種元件的特性，MOS管常用于高頻高速電路、大電流場(chǎng)所，以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的中心區(qū)域;而三極管則用于低成本場(chǎng)所，達(dá)不到效果時(shí)才會(huì)考慮替換選用MOS管。mos管和場(chǎng)效應(yīng)管有什么區(qū)別？重慶MOS管聯(lián)系電話(huà)
MOS管是屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，柵極是無(wú)直流通路，輸入阻抗極高，極易引起靜電荷聚集，產(chǎn)生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿。早期生產(chǎn)的MOS管大都沒(méi)有防靜電的措施，所以在保管及應(yīng)用上要非常小心，特別是功率較小的MOS管，由于功率較小的MOS管輸入電容比較小，接觸到靜電時(shí)產(chǎn)生的電壓較高，容易引起靜電擊穿。
而近期的增強(qiáng)型大功率MOS管則有比較大的區(qū)別，首先由于功能較大輸入電容也比較大，這樣接觸到靜電就有一個(gè)充電的過(guò)程，產(chǎn)生的電壓較小，引起擊穿的可能較小，再者現(xiàn)在的大功率MOS管在內(nèi)部的柵極和源極有一個(gè)保護(hù)的穩(wěn)壓管DZ，把靜電嵌位于保護(hù)穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值以下，有效的保護(hù)了柵極和源極的絕緣層，不同功率、不同型號(hào)的MOS管其保護(hù)穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值是不同的。雖然MOS管內(nèi)部有了保護(hù)措施，我們操作時(shí)也應(yīng)按照防靜電的操作規(guī)程進(jìn)行，這是一個(gè)合格的維修員應(yīng)該具備的。 重慶MOS管聯(lián)系電話(huà)有關(guān)MOS晶體管分類(lèi)的幾個(gè)問(wèn)題？
MOS管的驅(qū)動(dòng)1、圖騰柱驅(qū)動(dòng)。上圖是標(biāo)準(zhǔn)的圖騰柱驅(qū)動(dòng)的電路圖，其實(shí)圖騰柱與推挽原理是一樣的，叫法不同而已。使用圖騰柱驅(qū)動(dòng)的目的在于給MOS管提供足夠的灌電流和拉電流。2、柵極泄放電阻。在不使用圖騰柱驅(qū)動(dòng)時(shí)，一般在柵極到地之間加泄放電阻，即上圖中的R3。由于柵源之間寄生電容的存在，當(dāng)柵極的驅(qū)動(dòng)電壓拉低時(shí)，MOS管并不會(huì)立即關(guān)斷，這個(gè)過(guò)程不僅影響了MOS的關(guān)斷速度，同時(shí)也增大了MOS的開(kāi)關(guān)損耗。所以增加?xùn)艠O泄放電阻用以減小寄生電容的影響。在使用圖騰柱驅(qū)動(dòng)時(shí)，由于PNP管的存在，該電阻可以省略。3、當(dāng)?shù)蛪簜?cè)驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)MOS管時(shí)，圖騰柱并不能實(shí)現(xiàn)功能，因此需要通過(guò)自舉電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。仔細(xì)分析上圖，相當(dāng)于采用兩級(jí)圖騰柱來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS管。R2、R3可以調(diào)整一級(jí)圖騰柱的開(kāi)啟電壓；Q3、Q4作為第二級(jí)圖騰柱來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS管，為其提供足夠的電壓與電流；R5、R6、Q5形成負(fù)反饋，通過(guò)改變一級(jí)圖騰柱的開(kāi)啟電壓，來(lái)對(duì)MOS管的柵極電壓進(jìn)行控制，使其處于可控范圍內(nèi)，避免出現(xiàn)上一節(jié)所講的寬電壓應(yīng)用環(huán)境下的情況。
MOS管的英文全稱(chēng)叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時(shí)被稱(chēng)為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。MOS管的構(gòu)造在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極，作為柵極G。這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道（NPN型）增強(qiáng)型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。 MOS管和晶體三極管相比的重要特性。
日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強(qiáng)型MOS管;其中，PMOS可以很方便地用作高速驅(qū)動(dòng)。不過(guò)PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換種類(lèi)少等問(wèn)題，在高速驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無(wú)論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類(lèi)，增強(qiáng)型NMOS管常見(jiàn)的重要原因，尤其在開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS管。MOS管重要特性1.導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意義是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng))，只需柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接VCC時(shí)的情況(高速驅(qū)動(dòng))。mos管作為開(kāi)關(guān)工作在什么區(qū)？重慶MOS管聯(lián)系電話(huà)
為了保證MOS管的安全工作，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管來(lái)限制柵極的控制電壓。重慶MOS管聯(lián)系電話(huà)
無(wú)二次擊穿；由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)溫度上升就會(huì)導(dǎo)致集電極電流上升（正的溫度～電流特性）的現(xiàn)象，而集電極電流的上升又會(huì)導(dǎo)致溫度進(jìn)一步的上升，溫度進(jìn)一步的上升，更進(jìn)一步的導(dǎo)致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降，這就形成了管溫繼續(xù)上升、耐壓繼續(xù)下降會(huì)導(dǎo)致晶體三極管的擊穿，這是一種導(dǎo)致電視機(jī)開(kāi)關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象，也稱(chēng)為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當(dāng)管溫度（或環(huán)境溫度）上升時(shí)，溝道電流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOSFET開(kāi)關(guān)管，當(dāng)VGS控制電壓不變時(shí)，在250C溫度下IDS=3A，當(dāng)芯片溫度升高為1000C時(shí)，IDS降低到2A，這種因溫度上升而導(dǎo)致溝道電流IDS下降的負(fù)溫度電流特性，使之不會(huì)產(chǎn)生惡性循環(huán)而熱擊穿。也就是MOS管沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象，可見(jiàn)采用MOS管作為開(kāi)關(guān)管，其開(kāi)關(guān)管的損壞率大幅度的降低，近兩年電視機(jī)開(kāi)關(guān)電源采用MOS管代替過(guò)去的普通晶體三極管后，開(kāi)關(guān)管損壞率大幅度降低也是一個(gè)極好的證明。 重慶MOS管聯(lián)系電話(huà)