在點接觸型晶體管開發(fā)成功的同時,結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出,但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導電類型以后,結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年,具有使用價值的**早的鍺合金型晶體管誕生。1954年,結(jié)型硅晶體管誕生。此后,人們提出了場效應晶體管的構(gòu)想。隨著無缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長技術(shù)和擴散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展,各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn),電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導體工業(yè)。電感器在電子制作中雖然使用得不是很多,但它們在電路中同樣重要。黃浦區(qū)質(zhì)量電子元器件供應商
由于社會發(fā)展的需要,電子裝置變的越來越復雜,這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化、成本低等特點。自20世紀50年代提出集成電路的設想后,由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設計等綜合技術(shù)的進步,在20世紀60年代研制成功了***代集成電路。在半導體發(fā)展史上。集成電路的出現(xiàn)具有劃時代的意義:它的誕生和發(fā)展推動了銅芯技術(shù)和計算機的進步,使科學研究的各個領域以及工業(yè)社會的結(jié)構(gòu)發(fā)生了歷史性變革。靜安區(qū)優(yōu)勢電子元器件設計電阻在電路中用"R"加數(shù)字表示,如:R1表示編號為1的電阻。
B 注意:測試時,特別是在測幾十kΩ以上阻值的電阻時,手不要觸及表筆和電阻的導電部分;被檢測的電阻從電路中焊下來,至少要焊開一個頭,以免電路中的其他元件對測試產(chǎn)生影響,造成測量誤差;色環(huán)電阻的阻值雖然能以色環(huán)標志來確定,但在使用時比較好還是用萬用表測試一下其實際阻值。2 水泥電阻的檢測。檢測水泥電阻的方法及注意事項與檢測普通固定電阻完全相同。3 熔斷電阻器的檢測。在電路中,當熔斷電阻器熔斷開路后,可根據(jù)經(jīng)驗作出判斷:若發(fā)現(xiàn)熔斷電阻器表面發(fā)黑或燒焦,可斷定是其負荷過重,通過它的電流超過額定值很多倍所致;如果其表面無任何痕跡而開路,則表明流過的電流剛好等于或稍大于其額定熔斷值。
電子元器件在質(zhì)量方面國際上有歐盟的CE認證,美國的UL認證,德國的VDE和TUV認證以及中國的CQC認證等國內(nèi)外認證,來保證元器件的合格。電子元器件的發(fā)展史其實就是一部濃縮的電子發(fā)展史。電子技術(shù)是十九世紀末、二十世紀初開始發(fā)展起來的新興技術(shù),二十世紀發(fā)展**迅速,應用*****,成為近代科學技術(shù)發(fā)展的一個重要標志。電子元器件1906年,美國發(fā)明家德福雷斯特(De Forest Lee)發(fā)明了真空三極管(電子管)。***代電子產(chǎn)品以電子管為**。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有:放大器、濾波器、反饋電路、基準源電路、開關電容電路等。
B 將一光源對準光敏電阻的透光窗口,此時萬用表的指針應有較大幅度的擺動,阻值明顯減些 此值越小說明光敏電阻性能越好。若此值很大甚至無窮大,表明光敏電阻內(nèi)部開路損壞,也不能再繼續(xù)使用。C 將光敏電阻透光窗口對準入射光線,用小黑紙片在光敏電阻的遮光窗上部晃動,使其間斷受光,此時萬用表指針應隨黑紙片的晃動而左右擺動。如果萬用表指針始終停在某一位置不隨紙片晃動而擺動,說明光敏電阻的光敏材料已經(jīng)損壞。電容器1 固定電容器的檢測電容器通常簡稱其為電容,用字母C表示。黃浦區(qū)質(zhì)量電子元器件供應商
而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。黃浦區(qū)質(zhì)量電子元器件供應商
模擬集成電路是指由電阻、電容、晶體管等元件集成在一起用來處理模擬信號的模擬集成電路。有許多的模擬集成電路,如集成運算放大器、比較器、對數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有:放大器、濾波器、反饋電路、基準源電路、開關電容電路等。模擬集成電路設計主要是通過有經(jīng)驗的設計師進行手動的電路調(diào)試、模擬而得到,與此相對應的數(shù)字集成電路設計大部分是通過使用硬件描述語言在EDA軟件的控制下自動的綜合產(chǎn)生。黃浦區(qū)質(zhì)量電子元器件供應商
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