晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域 晶閘管智能模塊普遍應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、焊機(jī)、等離子弧焊、逆變電源等領(lǐng)域，如工業(yè)、通訊、等電氣控制、電源等。根據(jù)模塊的控制端口，可以與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，可實(shí)現(xiàn)過熱、缺乏等保護(hù)功能。 晶閘管智能模塊的控制方式 該輸入模塊控制該接口的可調(diào)節(jié)電壓或電流信號(hào)，該模塊的輸出電壓可通過調(diào)整該信號(hào)的大小來平穩(wěn)地調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)將該模塊的輸出電壓從0V切換到任意一個(gè)或全部的過程。 電壓或電流信號(hào)可從各種控制儀表和計(jì)算機(jī)D/A輸出中獲取，電位器可直接與直流電源分開，控制信號(hào)采用3種常用的控制形式：0...

通過W1微調(diào)電位器可整定過流電平。當(dāng)三相交流輸入缺相時(shí)，本控制板均能對(duì)電源實(shí)現(xiàn)保護(hù)和指示。其原理是：由4#、6#、2#晶閘管的陰極（K）分別取A、B、C三相電壓信號(hào)（通過門極引線），經(jīng)過光電耦合器的隔離送到IC6進(jìn)行檢測(cè)和判別，一旦出現(xiàn)“缺相”故障時(shí)，除了整流觸發(fā)脈沖外，還驅(qū)動(dòng)“”LED指示燈以及報(bào)警繼電器。為了使控制電路能夠更可靠準(zhǔn)確的運(yùn)行，控制電路上還設(shè)置了啟動(dòng)定時(shí)器和控制電源欠壓檢測(cè)保護(hù)。在開機(jī)的瞬間，控制電路的工作是不穩(wěn)定的，設(shè)置一個(gè)3秒鐘左右的定時(shí)器，待定時(shí)過后，才容許輸出觸發(fā)脈沖。這部分電路由IC2B等元件構(gòu)成。若由于某種原因造成控制板上直流供電電壓過低，穩(wěn)壓器不能穩(wěn)壓，亦...

QXPU-1型恒功率晶閘管中頻電源控制板使用說明書小芯片六脈波1、概述QXPU-1恒功率晶閘管中頻電源控制板主要由電源、調(diào)節(jié)器、移相控制、保護(hù)電路、相序自適應(yīng)電路、啟動(dòng)演算電路、逆變頻率、逆變脈沖形成、脈沖放大及脈沖變壓器組成。其部件采用高性能、高密度、大規(guī)模**MPU集成電路，使其電路除調(diào)節(jié)器外，其余均實(shí)現(xiàn)數(shù)字化，整流觸發(fā)器部分不需要任何調(diào)整，具有可靠性高、脈沖對(duì)稱度高、抗干擾能力強(qiáng)、反應(yīng)速度快等特點(diǎn)，又由于有相序自適應(yīng)電路，無需同步變壓器，所以，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試中免去了調(diào)相序、對(duì)同步的工作，*需把KP晶閘管的門極線接入控制板相應(yīng)的接線端上，整流部分便能投入運(yùn)行。逆變采用掃頻式零壓軟啟動(dòng)方式...

QXPU-1型恒功率晶閘管中頻電源控制板使用說明書小芯片六脈波1、概述QXPU-1恒功率晶閘管中頻電源控制板主要由電源、調(diào)節(jié)器、移相控制、保護(hù)電路、相序自適應(yīng)電路、啟動(dòng)演算電路、逆變頻率、逆變脈沖形成、脈沖放大及脈沖變壓器組成。其部件采用高性能、高密度、大規(guī)模**MPU集成電路，使其電路除調(diào)節(jié)器外，其余均實(shí)現(xiàn)數(shù)字化，整流觸發(fā)器部分不需要任何調(diào)整，具有可靠性高、脈沖對(duì)稱度高、抗干擾能力強(qiáng)、反應(yīng)速度快等特點(diǎn)，又由于有相序自適應(yīng)電路，無需同步變壓器，所以，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試中免去了調(diào)相序、對(duì)同步的工作，*需把KP晶閘管的門極線接入控制板相應(yīng)的接線端上，整流部分便能投入運(yùn)行。逆變采用掃頻式零壓軟啟動(dòng)方式...

1)安裝1)按電路元件明細(xì)表配齊元件，并對(duì)元件進(jìn)行檢測(cè)。2)在面包板上根據(jù)電路圖合理安排元件的位置。3)安裝元件，確認(rèn)無誤后調(diào)試。(2)調(diào)試安裝完畢的電路經(jīng)檢查確認(rèn)無誤后，接通電源進(jìn)行調(diào)試。先調(diào)控制電路，然后再調(diào)試主電路。控制電路的調(diào)試步驟是：在控制電路接上電源后，先用示波器觀察穩(wěn)壓管兩端的電壓波形，應(yīng)為梯形波；再觀察電容器兩端的電壓波形，應(yīng)為鋸齒波；調(diào)節(jié)電位器RP，鋸齒波的頻率有均勻的變化。表12—2所示為觸發(fā)電路各點(diǎn)的波形圖。主電路的調(diào)試步驟是：用調(diào)壓器給主電路加一個(gè)低電壓(40～50V)，用示波器觀察晶閘管陽、陰極之間的電壓波形。波形上有一部分是一條平線，它是晶閘管的導(dǎo)通部分；調(diào)...

傳統(tǒng)的電加熱行業(yè)使用的功率器件一般采用分離晶閘管+晶閘管觸發(fā)板的方式來完成對(duì)變壓器初級(jí)或次級(jí)的調(diào)壓；加熱行業(yè)往往工作環(huán)境很惡劣，粉塵飛揚(yáng)，溫度變化較大，濕度較高，長時(shí)間工作后會(huì)出現(xiàn)觸發(fā)板工作失常，造成晶閘管擊穿，導(dǎo)致設(shè)備停產(chǎn)，產(chǎn)品報(bào)廢等，給生產(chǎn)造成嚴(yán)重?fù)p失。并且普通電工無法完成維修工作，必須專業(yè)人員進(jìn)行操作。為了避免出現(xiàn)上述問題，比較好采用密封性好，工作環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)，安裝維修方便的晶閘管智能模塊來替代傳統(tǒng)的方式。晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發(fā)系統(tǒng)（即觸發(fā)板）集成共同封裝在一個(gè)塑料外殼內(nèi)，從而省去了觸發(fā)板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線，減小了接線錯(cuò)誤的幾率，維護(hù)...

如雷電閃光、車輛燈光等）干擾被控?zé)舻恼９ぷ鳌９?jié)能燈每晚點(diǎn)燃的時(shí)間由公式t≈（R3R4）C5計(jì)算，N為定時(shí)系數(shù)。當(dāng)開關(guān)K斷開時(shí)，定時(shí)時(shí)間約為6h，適合于冬季夜晚；當(dāng)K閉合時(shí)，定時(shí)約4h，適合夏季夜晚。節(jié)能燈驅(qū)動(dòng)電路由VT2、VT3等組成的逆變電路構(gòu)成。節(jié)能燈電路接通時(shí)，通過VT2、VT3、變壓器T1實(shí)現(xiàn)反饋、振蕩、升壓等過程，使得節(jié)能日光燈兩端有160V～180V電壓而點(diǎn)亮。點(diǎn)亮?xí)r消耗蓄電池電流，使用30A時(shí)蓄電池可在無太陽時(shí)連續(xù)工作一個(gè)星期。RL選擇MG44-04光敏電阻。其他元器件如電路圖所示。光敏電阻光控?zé)綦娐穲D（六）一種精密光亮光控電路圖如圖所示的電路為一種精密光亮光控電路，其...

晶閘管是晶體閘流管的簡稱，原名可控硅整流器（SCR），簡稱可控硅，其派生器件有雙向晶閘管和可關(guān)斷晶閘管。晶閘管的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體器件從弱電領(lǐng)域進(jìn)入強(qiáng)電領(lǐng)域。主要應(yīng)用于整流、逆變、調(diào)壓、開關(guān)等方面，應(yīng)用**多在晶閘管可控整流。1.單向晶閘管具有3個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的器件，引出的電極分別為陽極A、陰極K和控制極G。右邊為其等效電路。通斷轉(zhuǎn)換條件：主要參數(shù)1）額定正向平均電流。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陽極和陰極之間的電流平均值。2）維持電流。在規(guī)定環(huán)境溫度、控制極斷開的條件下，保持晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小正向電流。3）門極觸發(fā)電壓。在規(guī)定環(huán)境溫度及一定正向電壓條件下，使晶閘管從...

難以實(shí)現(xiàn)起動(dòng)方式的多樣化。三是液阻軟起動(dòng)需要維護(hù)，液箱中水需要定期補(bǔ)充。電極板長期浸泡于電解液中，表面會(huì)有一定的銹蝕，需要作表面處理（大概2-3年一次）。四是液阻軟起動(dòng)裝置不適合置放在易結(jié)水或顛簸的現(xiàn)場(chǎng)。近年有所謂的熱變液阻軟啟動(dòng)裝置，通過液阻本身在軟起動(dòng)過程中的溫升，借助電解液電導(dǎo)率與溫度的正相關(guān)性實(shí)現(xiàn)無極板伺服機(jī)構(gòu)的軟啟動(dòng)。但是，其可行性大受質(zhì)疑；它的限流器件不具備限流能力易控性，裝置對(duì)使用環(huán)境溫度要求高，軟起動(dòng)重復(fù)性差。二、磁控軟起動(dòng)器磁控軟起動(dòng)在起動(dòng)開始時(shí)限流作用較強(qiáng)，在軟起動(dòng)過程中逐漸減弱。電抗器在起動(dòng)完成后被旁路。限流作用的強(qiáng)弱變化是通過控制直流勵(lì)磁電流、改變鐵心的飽和度實(shí)...

如果所裝的中頻電源不需要復(fù)位功能、報(bào)警功能、內(nèi)接頻率表的話，端子CON2-6、CON2-1、CON3-8、CON3-9便可不用。11、應(yīng)用舉例圖示為一臺(tái)KGPS-160KW中頻電源的電氣原理圖，可作為其它裝置原理設(shè)計(jì)的參考，由于控制電路已經(jīng)對(duì)開機(jī)，關(guān)機(jī)的邏輯進(jìn)行了設(shè)計(jì)，因此，不必考慮主回路與控制回路的上電順序。12、調(diào)試一臺(tái)20M示波器，若示波器的電源是三芯插頭時(shí)，注意“地線”千萬不能接，示波器外殼對(duì)地需絕緣，*使用一蹤探頭，示波器的X軸、Y軸均需較準(zhǔn)，探頭需在測(cè)試信號(hào)下補(bǔ)償好。若無高壓示波器探頭，應(yīng)用電阻做一個(gè)分壓器，以適應(yīng)600V以上電壓的測(cè)量。一個(gè)≤500Ω、≥500W的電阻性負(fù)...

是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為：單向晶閘管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號(hào)為“VS”，圖形符號(hào)如圖示。晶閘管的主要參數(shù)有：額定通態(tài)平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發(fā)電壓和電流等。使用時(shí)應(yīng)注意不能超過其極限參數(shù)指標(biāo)，并留有一定余量，以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個(gè)電極。單向晶閘管的三個(gè)電極是：陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個(gè)電極是：兩個(gè)主電極T1、T2以及控制極G。使用中應(yīng)注意識(shí)別。[14]晶閘管具有可控的單向?qū)щ娦裕床坏哂幸话?..

由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時(shí)，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時(shí)反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L（di/dt）值仍很大，這個(gè)電勢(shì)與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上...

當(dāng)周圍光線較弱時(shí)，RG呈現(xiàn)高電阻，VD5右端電位升高，電容C充電速率加快，振蕩頻率變高，VS導(dǎo)通角增大，電燈兩端電壓升高、高度增大。當(dāng)周圍光線增強(qiáng)時(shí)，RG電阻變小，與上述相反，電燈兩端電壓變低，高度減小。元器件選擇與制作調(diào)試調(diào)試時(shí)，將RP調(diào)到阻值為零位置，S置于位置2，用萬用表測(cè)電燈兩端交流電應(yīng)在200V以上，如低于200V可略減小R1或增大R3阻值，使之達(dá)到要求。光敏電阻RG應(yīng)安裝在臺(tái)燈底座側(cè)面臺(tái)燈光線不能直接照射的地方，用來感受周圍環(huán)境照度。調(diào)光臺(tái)燈的燈泡宜用40W的白熾燈。調(diào)整好的電路即可投入使用；S撥向2為普通調(diào)光臺(tái)燈，調(diào)RP可選擇適當(dāng)?shù)母呙芏?；S撥向1為自動(dòng)臺(tái)燈，先調(diào)RP選擇...

晶閘管模塊使用注意事項(xiàng) 科學(xué)合理的選型和適當(dāng)?shù)木S護(hù)可有效延長產(chǎn)品的使用壽命，用戶可參考以下標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行產(chǎn)品的維護(hù)和保養(yǎng)： （1）初次使用該產(chǎn)品的用戶一定要熟讀說明書，了解產(chǎn)品的基本情況和使用方法； （2）在產(chǎn)品選型時(shí)根據(jù)使用條件按標(biāo)準(zhǔn)要留出足夠的電流余量，并保證足夠的散熱條件。 （3）工作場(chǎng)所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃； （4）模塊周圍應(yīng)干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無塵、無腐蝕性液體和氣體； （5）模塊不能當(dāng)作隔離開關(guān)使用，為保證安全，模塊前面需加空氣開關(guān)； （6）模塊各緊固螺釘一定要擰緊，避免因接觸不良導(dǎo)致次生熱量產(chǎn)生，且會(huì)降低通過的電流量。初次使用...

水冷裝置在作此項(xiàng)調(diào)試時(shí)，必須通水冷卻。當(dāng)調(diào)試場(chǎng)地的電源供不出裝置的額定電流時(shí)，額定電流的整定，可放在現(xiàn)場(chǎng)滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)進(jìn)行。但是，應(yīng)先在小電流的狀況下，判定一下電流取樣回路的工作是否正常。（W5）主控板上的DIP開關(guān)均撥在OFF位置，面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋至**小。把示波器接在Q5或Q6的管殼上，測(cè)逆變觸發(fā)脈沖的它激頻率（它激頻率可以通過W6來調(diào)節(jié)），調(diào)節(jié)W5微調(diào)電位器，使頻率表的讀數(shù)與示波器測(cè)得的相一致。若中頻電源用的是**中頻頻率表，則可免去此步調(diào)試。但還是推薦使用直流毫安表頭改制的頻率表，這一方面是可以測(cè)得比較高它激頻率，另一方面是價(jià)格便宜。（W6）首先檢查逆變晶閘管的門級(jí)線...

普通晶閘管普通晶閘管（SCR）是由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成的三端半導(dǎo)體器件，三個(gè)引出端分另為陽極A、陰極K和門極G、圖8-4是其電路圖形符號(hào)。普通晶閘管的陽極與陰極之間具有單向?qū)щ姷男阅?，其?nèi)部可以等效為由一只PNP晶閘管和一只NPN晶閘管組成的組合管，如圖8-5所示。當(dāng)晶閘管反向連接（即A極接電源負(fù)端，K極接電源正端）時(shí)，無論門極G所加電壓是什么極性，晶閘管均處于阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管正向連接（即A極接電源正端，K極接電源負(fù)端）時(shí)，若門極G所加觸發(fā)電壓為負(fù)時(shí)，則晶閘管也不導(dǎo)通，只有其門極G加上適當(dāng)?shù)恼蛴|發(fā)電壓時(shí)，晶閘管才能由阻斷狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，晶閘管陽極A極與陰極K極之間呈低...

金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶閘管的工作原理晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時(shí)，不管門極承受和種電壓，晶閘管都處于關(guān)短狀態(tài)。...

模塊內(nèi)部晶閘管主要參數(shù) （1）正反向峰值耐壓：≥1400V； （2）di／dt：100A／μs； （3）dv／dt：500V／μs 晶閘管智能模塊的應(yīng)用方法 模塊的控制功能端口 模塊可應(yīng)用于各行各業(yè)需要對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合。如變壓器調(diào)壓；加熱行業(yè)調(diào)溫；金屬加工行業(yè)的電鍍、電解；電源行業(yè)電池充放電、電源穩(wěn)壓；電磁行業(yè)的勵(lì)磁以及各行業(yè)使用的直流電機(jī)調(diào)速、交流電機(jī)軟起動(dòng)等。 模塊如何使用？ 模塊的使用非常簡單，只需用一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)即可對(duì)模塊輸出電壓的大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，從而實(shí)現(xiàn)弱電對(duì)強(qiáng)電的控制。 電壓或電流信號(hào)可取自各...

當(dāng)C5上的電壓上升到氛管的導(dǎo)通電壓時(shí)，雙向晶閘管就會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。另一種是用兩個(gè)NPN型三極管反向串聯(lián)（基極開路）代替雙向觸發(fā)二極管，調(diào)壓效果還不錯(cuò)。再有一種是用RC電路取代雙向觸發(fā)二極管，調(diào)壓效果要差一些，在對(duì)調(diào)壓器性能要求不高的情況下可以使用。雙向晶閘管能不能也采用單結(jié)晶體管張弛振蕩器組成的觸發(fā)電路呢？雙向晶閘管的特點(diǎn)是不論給它的控制極加上正的或負(fù)的觸發(fā)脈沖都能使它導(dǎo)通，所以，單結(jié)晶體管張弛振蕩器同樣可以作為雙向晶閘管的觸發(fā)電路。這種觸發(fā)電路調(diào)壓效果很好，只是電路比較復(fù)雜。由于單結(jié)晶體管張弛振蕩器必須由直流電源供電，所以應(yīng)用橋式整流電路得到全波脈動(dòng)直流電壓，再經(jīng)過穩(wěn)壓管VD削波成為梯...

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。...

檢測(cè)兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負(fù)）接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個(gè)管腳，讀數(shù)應(yīng)為3～10kΩ。[7]檢測(cè)PN結(jié)正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個(gè)基極，讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)千歐。對(duì)調(diào)兩表筆后檢測(cè)PN結(jié)反向電阻，讀數(shù)均應(yīng)為無窮大。如果測(cè)量結(jié)果與上述不符，說明被測(cè)單結(jié)管已損壞。[8]測(cè)量單結(jié)晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個(gè)測(cè)量電路，用萬用表“直流10V”擋測(cè)出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計(jì)算即可。[9]單結(jié)晶體管的基本應(yīng)用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，...

[1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號(hào)為“VT”，圖形符號(hào)如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點(diǎn)電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP。③谷點(diǎn)電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流...

但是在設(shè)定電流限值時(shí)必須要根據(jù)電動(dòng)機(jī)的初始轉(zhuǎn)矩來設(shè)定，否則設(shè)置過小會(huì)起動(dòng)失敗或燒壞電機(jī)。此種起動(dòng)方式起動(dòng)時(shí)間相對(duì)較長。圖3限流起動(dòng)4、突跳起動(dòng)這種起動(dòng)方式主要應(yīng)用在負(fù)載相對(duì)較重的工作環(huán)境下。在轉(zhuǎn)矩控制的基礎(chǔ)下，在起動(dòng)的瞬間采用一個(gè)突跳轉(zhuǎn)矩用來克服負(fù)載的靜轉(zhuǎn)矩，然后轉(zhuǎn)矩在逐漸上升，直至電動(dòng)機(jī)到達(dá)正常工作狀態(tài)。這種起動(dòng)方式的優(yōu)點(diǎn)是可以縮短起動(dòng)時(shí)間，起動(dòng)較重的負(fù)載，但在起動(dòng)的時(shí)候會(huì)對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生一定的沖擊，影響同一電網(wǎng)下其他負(fù)荷的工作。圖4突跳起動(dòng)5、軟停車軟停車的實(shí)際上就相當(dāng)于相反軟起動(dòng)過程，主要作用是消除了系統(tǒng)的反慣性沖擊，對(duì)于泵類負(fù)載來講就是克服了“水錘”效應(yīng)。其主要過程是在電動(dòng)機(jī)實(shí)行軟停...

晶閘管智能模塊電流規(guī)格的選取方法 考慮到晶閘管智能模塊產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導(dǎo)通角的問題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時(shí)需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算： I>K×I負(fù)載×U較大∕U實(shí)際 K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2； I負(fù)載：負(fù)載流過的較大電流； U實(shí)際：負(fù)載上的較大電壓； U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）； I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標(biāo)稱的電...

晶閘管智能模塊的散熱要求 模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時(shí)過載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中一定要配備散熱器和風(fēng)機(jī)，建議采用帶有過熱保護(hù)功能的產(chǎn)品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)算，確定了不同型號(hào)的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號(hào)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶自備時(shí)按以下原則選?。? 1、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s ； 2、一定要能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于 80℃； 3、模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻； 4、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積； ...

以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)...

晶閘管智能模塊的選擇 晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關(guān)鍵的功率器件，整機(jī)裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對(duì)晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調(diào)壓模塊的比較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機(jī)時(shí)溫度很低，額定電流會(huì)很大或加熱到比較高溫度時(shí)，額定電流會(huì)很大或加熱到比較高溫度時(shí)，額定電...

[1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號(hào)為“VT”，圖形符號(hào)如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點(diǎn)電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP。③谷點(diǎn)電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流...

晶閘管智能模塊過流保護(hù)： 加熱爐在實(shí)際工作中因加熱絲溫度上升，會(huì)導(dǎo)致加熱絲變形，如果加熱絲沒有采取良好的固定措施，會(huì)慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊，形成短路，短路后會(huì)使電流增大，電流過大后會(huì)超過模塊的額定電流，燒毀模塊，為了限制電流過大，必須采取過流保護(hù)措施，一般再模塊的輸入端分別串聯(lián)快速熔斷器來限制比較大電流，熔斷器額定電流值一般取負(fù)載的額定電流或略大于負(fù)載額定電流，必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流，快速熔斷器額定電流過大將起不到保護(hù)作用。 正高電氣不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。聊城MTAC150晶閘管智能模塊組件 使C5上的電壓達(dá)到雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電...

晶閘管智能模塊的選擇 晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關(guān)鍵的功率器件，整機(jī)裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對(duì)晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調(diào)壓模塊的比較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機(jī)時(shí)溫度很低，額定電流會(huì)很大或加熱到比較高溫度時(shí)，額定電流會(huì)很大或加熱到比較高溫度時(shí)，額定電...