制作方式不同集成電路采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)。而芯片使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成...

華為和合作伙伴正在朝這個方向走去——華為的計(jì)劃是做IDM，業(yè)內(nèi)人士對投中網(wǎng)表示。 IDM，是芯片領(lǐng)域的一種設(shè)計(jì)生產(chǎn)模式，從芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝到測試，覆蓋整個產(chǎn)業(yè)鏈。 一方面，華為正在從芯片設(shè)計(jì)向上游延伸。余承東曾表示，華為將***扎根，突破物...

晶體管發(fā)明并大量生產(chǎn)之后，各式固態(tài)半導(dǎo)體組件如二極管、晶體管等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀(jì)中后期半導(dǎo)體制造技術(shù)進(jìn)步，使得集成電路成為可能。相對于手工組裝電路使用個別的分立電子組件，集成電路可以把很大數(shù)量的微晶體管集成到一個小芯片...

一般小功率電源變壓器。允許溫升為40℃～50℃，如果所用絕緣材料質(zhì)量較好，允許溫升還可提高。H 檢測判別各繞組的同名端。在使用電源變壓器時，有時為了得到所需的次級電壓，可將兩個或多個次級繞組串聯(lián)起來使用。采用串聯(lián)法使用電源變壓器時，參加串聯(lián)的各繞組的同名端必須...

以上就是關(guān)于集成電路和芯片區(qū)別的介紹了，總的來說，集成電路也稱為芯片，因?yàn)槊鍵C的封裝類似于芯片。一組集成電路通常稱為芯片組，而不是IC組。集成電路或IC是當(dāng)今幾乎所有電子設(shè)備中使用的設(shè)備。半導(dǎo)體技術(shù)和制造方法的發(fā)展導(dǎo)致了集成電路的發(fā)明。在IC發(fā)明之前，所有用...

大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型半導(dǎo)體中的空穴）來負(fù)責(zé)...

作用不同芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量，可以降低成本和增加功能，見摩爾定律，集成電路中的晶體管數(shù)量，每1.5年增加一倍。集成電路所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。IC可以在一塊豌...

目前我國半導(dǎo)體材料在這方面的發(fā)展背景來看，應(yīng)該在很大程度上去提高超高亮度，紅綠藍(lán)光材料以及光通信材料，在未來的發(fā)展的主要研究方向上，同時要根據(jù)市場上，更新一代的電子器件以及電路等要求進(jìn)行強(qiáng)化，將這些光電子結(jié)構(gòu)的材料，在未來生產(chǎn)過程中的需求進(jìn)行仔...

發(fā)展史： 1906年，美國發(fā)明家德福雷斯特（De Forest Lee）發(fā)明了真空三極管（電子管）。***代電子產(chǎn)品以電子管為**。四十年代末世界上誕生了***只半導(dǎo)體三極管，它以小巧、輕便、省電、壽命長等特點(diǎn)，很快地被各國應(yīng)用起來，在很大范圍內(nèi)取代...

檢測10pF～0.01μF固定電容器是否有充電現(xiàn)象，進(jìn)而判斷其好壞。萬用表選用R×1k擋。兩只三極管的β值均為100以上，且穿透電流要選用3DG6等型號硅三極管組成復(fù)合管。萬用表的紅和黑表筆分別與復(fù)合管的發(fā)射極e和集電極c相接。由于復(fù)合三極管的放大作用，把被測...

進(jìn)入八九十年代以后，隨著微電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)的日趨完善，以及元器件集成度的**提高，情況發(fā)生了很大的變化。從整機(jī)來看，電子經(jīng)緯儀的體積和重量與光學(xué)經(jīng)緯儀相差不多，用電量減少，成本大幅度下降，價(jià)格降低。目前在日本一臺電子經(jīng)緯儀的價(jià)格還略低于...

電子元器件在質(zhì)量方面國際上有歐盟的CE認(rèn)證，美國的UL認(rèn)證，德國的VDE和TUV認(rèn)證以及中國的CQC認(rèn)證等國內(nèi)外認(rèn)證，來保證元器件的合格。 電子元器件的發(fā)展史其實(shí)就是一部濃縮的電子發(fā)展史。電子技術(shù)是十九世紀(jì)末、二十世紀(jì)初開始發(fā)展起來的新...

LCR參數(shù)測試儀電感、電容、電阻參數(shù)測量儀，不僅能自動判斷元件性質(zhì)，而且能將符號圖形顯示出來，并顯示出其值。其還能測量Q、D、Z、Lp、Ls、Cp、Cs、Kp、Ks等參數(shù)，且顯示出等效電路圖形。 、頻譜分析儀頻譜分析儀在頻域信號分析、測試、研究、維修中有著***...

糾纏量子光源2023年4月，德國和荷蘭科學(xué)家組成的國際科研團(tuán)隊(duì)***將能發(fā)射糾纏光子的量子光源完全集成在一塊芯片上 。原子級薄晶體管2023年，美國麻省理工學(xué)院一個跨學(xué)科團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種低溫生長工藝，可直接在硅芯片上有效且高效地“生長”二維（2D）過渡金屬二...

信號發(fā)生器信號發(fā)生器（包括函數(shù)發(fā)生器）為檢修、調(diào)試電子設(shè)備和儀器時提供信號源。它是一種能夠產(chǎn)生一定波形、頻率和幅度的振蕩器。例如：產(chǎn)生正弦波、方波、三角波、斜波和矩形脈沖波等。 晶體管特性圖示儀晶體管特性圖示儀是一種**示波器，它能...

截至 2018 年，絕大多數(shù)晶體管都是使用平坦的二維平面工藝，在硅芯片一側(cè)的單層中制造的。研究人員已經(jīng)生產(chǎn)了幾種有希望的替代品的原型，例如:堆疊幾層晶體管以制造三維集成電路(3DC)的各種方法，例如硅通孔，“單片 3D”， 堆疊引線接合， 和其他方法。由其他材...

儀器工作條件儀器在15~25℃條件下工作。2、外觀儀器的工作面不得有砂眼、氣孔、碰傷、劃傷、毛刺、銹跡及其他影響使用的缺陷；裸露的非工作面不得有氣孔、砂眼、裂紋、銹蝕及其他明顯的缺陷。儀器的電鍍層應(yīng)均勻光潔。儀器的噴漆表面不得有明顯的影響外觀質(zhì)量的脫漆、斑點(diǎn)、...

照準(zhǔn)部水準(zhǔn)軸應(yīng)垂直于豎軸的檢驗(yàn)和校正檢驗(yàn)時先將儀器大致整平,轉(zhuǎn)動照準(zhǔn)部使其水準(zhǔn)管與任意兩個腳螺旋的連線平行,調(diào)整腳螺旋使氣泡居中,然后將照準(zhǔn)部旋轉(zhuǎn)180度,若氣泡仍然居中則說明條件滿足,否則應(yīng)進(jìn)行校正。校正的目的是使水準(zhǔn)管軸垂直于豎軸．即用校正針撥動水準(zhǔn)管一端...

基爾比之后半年，仙童半導(dǎo)體公司的羅伯特·諾伊斯開發(fā)了一種新的集成電路，比基爾比的更實(shí)用。諾伊斯的設(shè)計(jì)由硅制成，而基爾比的芯片由鍺制成。諾伊斯將以下原理歸功于斯普拉格電氣的庫爾特·利霍韋克p–n絕緣結(jié)，這也是集成電路背后的關(guān)鍵概念。[17]這種絕緣允許每個晶體管...

目前我國半導(dǎo)體材料在這方面的發(fā)展背景來看，應(yīng)該在很大程度上去提高超高亮度，紅綠藍(lán)光材料以及光通信材料，在未來的發(fā)展的主要研究方向上，同時要根據(jù)市場上，更新一代的電子器件以及電路等要求進(jìn)行強(qiáng)化，將這些光電子結(jié)構(gòu)的材料，在未來生產(chǎn)過程中的需求進(jìn)行仔...

光電與顯示顯示管/顯像管/指示管示波管/攝像管/投影管光電管/發(fā)射器件/其他光電與顯示器件磁性元器件磁頭/鋁鎳磁鋼永磁元件金屬軟磁元件(粉芯)/鐵氧體軟磁元件(磁芯)鐵氧體永磁元件/稀土永磁元件其它磁性元器件集成電路電視機(jī)IC/音響IC/電源模塊影碟機(jī)IC...

發(fā)展歷史 1965-1978年 創(chuàng)業(yè)期1965年，***批國內(nèi)研制的晶體管和數(shù)字電路在河北半導(dǎo)體研究所鑒定成功。1968年，上海無線電十四廠**制成PMOS（P型金屬-氧化物-半導(dǎo)體）集成電路。 1970年，北京878廠、上海無線電十九廠建成投...

制作方式不同集成電路采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)。而芯片使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成...

無錫微原電子科技有限公司的主營業(yè)務(wù)主要包括以下方面： 1.半導(dǎo)體器件業(yè)務(wù)：集成電路設(shè)計(jì)：公司擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，致力于高性能模擬和數(shù)?；旌霞呻娐芬约疤胤N分立器件的設(shè)計(jì)。其設(shè)計(jì)的集成電路產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域，如通信設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品等。 ...

三極管三極管在中文含義里面只是對三個腳的放大器件的統(tǒng)稱，我們常說的三極管，可能有多種器件。可以看到，雖然都叫三極管，其實(shí)在英文里面的說法是千差萬別的，三極管這個詞匯其實(shí)也是中文特有的一個象形意義上的的詞匯電子三極管 Triode 這個是英漢字典里面“三極管”這...

大功率電源轉(zhuǎn)換交流電和直流電的相互轉(zhuǎn)換對于電器的使用十分重要，是對電器的必要保護(hù)。這就要用到等電源轉(zhuǎn)換裝置。碳化硅擊穿電壓強(qiáng)度高，禁帶寬度寬，熱導(dǎo)性高，因此SiC半導(dǎo)體器件十分適合應(yīng)用在功率密度和開關(guān)頻率高的場合，電源轉(zhuǎn)換裝置就是其中之一。碳化硅元件在高...

由電力驅(qū)動的非常小的機(jī)械設(shè)備可以集成到芯片上，這種技術(shù)被稱為微電子機(jī)械系統(tǒng)。這些設(shè)備是在 20 世紀(jì) 80 年代后期開發(fā)的 并且用于各種商業(yè)和***應(yīng)用。例子包括 DLP 投影儀，噴碼機(jī)，和被用于汽車的安全氣袋上的加速計(jì)和微機(jī)電陀螺儀.自 21 世紀(jì)初以來，將...

集成電路技術(shù)的進(jìn)步，主要是更小的特征和更大的芯片，使得集成電路中晶體管的數(shù)量每兩年翻一番，這種趨勢被稱為摩爾定律。這種增加的容量已被用于降低成本和增加功能。一般來說，隨著特征尺寸的縮小，集成電路操作的幾乎每個方面都得到改善。每個晶體管的成本和每個晶體管的開...

全站儀幾乎可以用在所有的測量領(lǐng)域。電子全站儀由電源部分、測角系統(tǒng)、測距系統(tǒng)、數(shù)據(jù)處理部分、通訊接口、及顯示屏、鍵盤等組成。同電子經(jīng)緯儀、光學(xué)經(jīng)緯儀相比，全站儀增加了許多特殊部件，因此而使得全站儀具有比其它測角、測距儀器更多的功能，使用也更方便。這些特殊部件構(gòu)成...

測量儀器是將被測量轉(zhuǎn)換成可供直接觀察的指示值儀器，包括各類指示儀器，比較儀器，記錄儀器，傳感儀器和變送器等。直接測量在測量過程中，能夠直接將被測量與同類標(biāo)準(zhǔn)量進(jìn)行比較，或能夠直接用事先刻度好的測量儀器對被測量進(jìn)行測量，直接獲得數(shù)值的測量稱為直接測量。間接測量當(dāng)...