金屬–氧化物–半導(dǎo)體晶體管（MOSFET）是一種采用平面技術(shù)制造的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，廣泛應(yīng)用于大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路中。作為半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的**技術(shù)之一，MOSFET主要用作二進(jìn)制計(jì)算的邏輯電路，在數(shù)字電子設(shè)備中發(fā)揮關(guān)鍵作用。根據(jù)工作機(jī)制的不同，MOSFET可分為增強(qiáng)型和耗盡型兩類(lèi)，以適應(yīng)不同的電路設(shè)計(jì)需求. 金屬–氧化物–半導(dǎo)體晶體管用平面技術(shù)制造的一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管 [1]。該技術(shù)通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)源極和漏極之間的導(dǎo)電通道，從而實(shí)現(xiàn)電流的開(kāi)關(guān)與放大。 公司在標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，與客戶(hù)深度合作開(kāi)發(fā)定制產(chǎn)品。無(wú)刷直流電機(jī)電子元器件MOSFET代理品牌 MOS管...

M?OS管應(yīng)用場(chǎng)景： 機(jī)器人 MOS管在機(jī)器人領(lǐng)域的應(yīng)用非常光，它可以作為放大器，能夠調(diào)節(jié)輸入信號(hào)的電壓，從而在不失真的情況下放大信號(hào)，提升機(jī)器人傳感器系統(tǒng)的靈敏度和準(zhǔn)確性，這對(duì)于機(jī)器人在各種復(fù)雜環(huán)境和任務(wù)中的精確感知至關(guān)重要?。它還可以作為開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)精確控制?，能夠在不同的電壓和電流條件下控制電路的通斷，實(shí)現(xiàn)對(duì)機(jī)器人系統(tǒng)的精確控制，這種精確的控制能力使得機(jī)器人能夠執(zhí)行精細(xì)的動(dòng)作和復(fù)雜的任務(wù)。 作為智能集成度非常高的產(chǎn)品，智能機(jī)器人通常需要多種電源來(lái)滿(mǎn)足不同組件的電能需求，包括高壓和低壓電源。MOS功率放大器和開(kāi)關(guān)電源在機(jī)器人電源管理中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，能夠有效地管理這...

MOS管有哪些常見(jiàn)的應(yīng)用領(lǐng)域？ 所謂分立器件，顧名思義就是由單個(gè)電子器件組成的電路元器件，它包括二極管、橋堆。三極管以及MOS管、IGBT、電源IC等產(chǎn)品，作用包括整流、開(kāi)關(guān)、小信號(hào)放大、穩(wěn)壓、調(diào)節(jié)電壓電流、電路保護(hù)等作用。隨著分立器件技術(shù)不斷發(fā)展，集成度更高、耐壓耐流能力更強(qiáng)的分立器件產(chǎn)品不斷涌現(xiàn)，市場(chǎng)應(yīng)用場(chǎng)景也越來(lái)越多，在光伏、儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)、智能家電、智慧安防、AIoT以及通訊、可穿戴設(shè)備、工控、醫(yī)療等應(yīng)用廣泛應(yīng)用。MOS管作為目前**重要也是應(yīng)用**多的分立器件產(chǎn)品之一，在上述很多產(chǎn)品上有應(yīng)用。 在長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)運(yùn)行的設(shè)備，如數(shù)據(jù)中心電源模塊、通信基站電源等場(chǎng)景中，低功耗 MO...

商甲半導(dǎo)體的MOS管產(chǎn)品線(xiàn)展現(xiàn)出的綜合優(yōu)勢(shì)： 高效：低Rds(on)與低Qg的完美結(jié)合，使得器件在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗上都達(dá)到優(yōu)異水平，提升系統(tǒng)效率，滿(mǎn)足日益嚴(yán)苛的能效標(biāo)準(zhǔn) 。運(yùn)行能力：優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性使其非常適合于LLC諧振轉(zhuǎn)換器、同步整流、高頻DC-DC變換器等需要數(shù)百kHz甚至MHz級(jí)開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用場(chǎng)景，助力實(shí)現(xiàn)電源小型化、輕量化。 熱性能：低損耗直接轉(zhuǎn)化為更低的溫升，結(jié)合優(yōu)化的封裝熱阻(Rthja)，提升了功率密度和長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性。 強(qiáng)大的魯棒性：良好的雪崩耐量(Eas)和抗沖擊能力，確保器件在浪涌、短路等異常情況下具有更高的生存概率。 國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈保障：公...

MOS管選型指南 封裝因素考量 封裝方式影響散熱性能和電流承載能力，選擇需考慮系統(tǒng)散熱條件和環(huán)境溫度。在構(gòu)成開(kāi)關(guān)電路時(shí)，不同尺寸的MOS管封裝會(huì)影響其熱阻和耗散功率。因此，必須綜合考慮系統(tǒng)的散熱條件、環(huán)境溫度以及散熱器的形狀和大小限制。基本原則是，在確保功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率不受影響的前提下，選擇參數(shù)和封裝更為通用的功率MOS管。在開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)中，我們常常需要關(guān)注MOS管的封裝方式。根據(jù)不同的應(yīng)用需求，可以選擇不同類(lèi)型的封裝。例如，插入式封裝包括TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251和TO-92等；而表面貼裝式封裝則涵蓋TO-263、TO-...

MOS管封裝 TO-3P/247 TO247是一種常見(jiàn)的小外形封裝，屬于表面貼封裝類(lèi)型，其中的“247”是封裝標(biāo)準(zhǔn)的編號(hào)。值得注意的是，TO-247封裝與TO-3P封裝都采用3引腳輸出，且內(nèi)部的裸芯片（即電路圖）可以完全相同，因此它們的功能和性能也基本一致，只是在散熱和穩(wěn)定性方面可能略有差異。TO247通常是非絕緣封裝，這種封裝的管子常用于大功率的POWFR中。作為開(kāi)關(guān)管使用時(shí)，它能夠承受較大的耐壓和電流，因此是中高壓大電流MOS管常用的封裝形式。該產(chǎn)品特點(diǎn)包括耐壓高、抗擊穿能力強(qiáng)等，特別適用于中壓大電流場(chǎng)合（電流10A以上，耐壓值在100V以下），以及120A以上、耐壓值20...

NMOS 和 PMOS 晶體管之間有什么區(qū)別？ NMOS（N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體）和 PMOS（P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管是 MOSFET 的兩種類(lèi)型，它們?cè)跍系浪冒雽?dǎo)體材料類(lèi)型上有所不同。NMOS 晶體管使用 n 型材料，而 PMOS 晶體管則使用襯底的 p 型材料。NMOS 中創(chuàng)建的是 n 型導(dǎo)電溝道，而 PMOS 中創(chuàng)建的是 p 型導(dǎo)電溝道。因此，NMOS 晶體管通過(guò)向柵極施加正電壓來(lái)開(kāi)啟，而 PMOS 晶體管則通過(guò)向柵極施加負(fù)電壓來(lái)開(kāi)啟。 MOS 和 PMOS 晶體管有多種應(yīng)用， 包括數(shù)字電路 ：邏輯門(mén)、微處理器、存儲(chǔ)芯片 模擬電路 ：放大器、濾波...

MOSFET工藝的復(fù)雜性 1.材料選擇與制備MOSFET的制造開(kāi)始于硅片的選取，好品質(zhì)的單晶硅是必不可少的原料。隨后需進(jìn)行多道工序，如氧化、光刻、離子注入等，每一步都需要精確控制以保障元件的性能和穩(wěn)定性。 2.精密的加工流程制造MOSFET的過(guò)程中，對(duì)硅片進(jìn)行多次光刻、刻蝕等精密加工，以構(gòu)建出很微小的電路結(jié)構(gòu)。這些加工過(guò)程的精度要求極高，往往需要借助于先進(jìn)的設(shè)備和技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。 3.摻雜工藝的挑戰(zhàn)為了提高M(jìn)OSFET的性能，還需要對(duì)硅片進(jìn)行精確的摻雜。摻雜的濃度、均勻性以及深度都對(duì)最終產(chǎn)品的性能有直接影響，這也是工藝中較為復(fù)雜和關(guān)鍵的一環(huán)。 4.封裝與測(cè)試完成制造后的...

MOS管選型指南 選擇合適品牌 市場(chǎng)中有不同品牌和類(lèi)型的MOS管，選擇時(shí)需平衡品牌質(zhì)量與成本。在市場(chǎng)上，歐美系企業(yè)的產(chǎn)品種類(lèi)齊全，技術(shù)及性能也很出色，因此常常成為優(yōu)先。日系品牌，如瑞薩和東芝，也以其品質(zhì)和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)在市場(chǎng)上占據(jù)一席之地，但價(jià)格相對(duì)較高。 國(guó)內(nèi)企業(yè)價(jià)格更為親民，性?xún)r(jià)比相對(duì)較高，因此也受到不少客戶(hù)的青睞。 中國(guó)大陸的本土企業(yè)則憑借低成本優(yōu)勢(shì)和快速響應(yīng)的客戶(hù)服務(wù)，在中低端及細(xì)分領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。商甲半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)替代，并不斷向高產(chǎn)品線(xiàn)發(fā)起挑戰(zhàn)，以滿(mǎn)足本土客戶(hù)的需求。 商甲半導(dǎo)體提供的20V~100V Complementary（N+P型互補(bǔ)式）MOS...

MOS管選型指南 評(píng)估開(kāi)關(guān)性能 開(kāi)關(guān)性能受柵極電容影響，影響導(dǎo)通和關(guān)閉過(guò)程中的損耗。在選擇MOS管時(shí)，后一步是考察其開(kāi)關(guān)性能。開(kāi)關(guān)性能受到多個(gè)參數(shù)的影響，其中重要的是柵極/漏極、柵極/源極以及漏極/源極電容。這些電容在每次開(kāi)關(guān)時(shí)都需要充電，從而產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，降低器件的效率。特別需要注意的是，柵極電荷（Qgd）對(duì)開(kāi)關(guān)速度的影響**為明顯。 為評(píng)估MOS管的開(kāi)關(guān)性能，設(shè)計(jì)者需分別計(jì)算開(kāi)通過(guò)程和關(guān)閉過(guò)程中的損耗。開(kāi)通過(guò)程中的損耗記為Eon，而關(guān)閉過(guò)程中的損耗則為Eoff。基于這兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，我們可以進(jìn)一步推導(dǎo)出MOS管在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的總功率損耗， MOSFET用于太陽(yáng)能逆變器...

與雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。 電子元件場(chǎng)效應(yīng)管的原理 （1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)VGS(柵源電壓)來(lái)控制ID（漏極電流）； （2）場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。 （3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好； （4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)； （5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)； （6）由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。 商甲半導(dǎo)體MOSFET用于適配器（筆記本電腦、打印機(jī)等）--更輕、更便捷;靜安區(qū)電子元器件M...

場(chǎng)效應(yīng)管（fet）是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。 場(chǎng)效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢(shì)。但它還是非常嬌貴的，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護(hù)二極管，但稍不注意，也會(huì)損壞。所以在應(yīng)用中還是小心為妙。 場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較 （1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。...

選擇MOS管的指南 確定電壓 選擇MOS管時(shí)，電壓是一個(gè)關(guān)鍵因素。需根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景確定所需的額定電壓以確保其安全性。額定電壓不僅影響器件的成本，還直接關(guān)系到其安全性。設(shè)計(jì)人員需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)確定所需的額定電壓，確保其能夠承受干線(xiàn)或總線(xiàn)電壓的沖擊，并留出足夠的余量以應(yīng)對(duì)可能的電壓變化。 考慮電流 除了電壓外，電流也是選擇MOS管時(shí)必須考慮的因素。MOS管的額定電流需應(yīng)對(duì)系統(tǒng)中的最大負(fù)載及尖峰電流，需綜合考慮電流承受能力。MOS管的額定電流必須能夠應(yīng)對(duì)系統(tǒng)中的最大負(fù)載電流，以及可能出現(xiàn)的尖峰電流。需要根據(jù)電路的具體結(jié)構(gòu)來(lái)決定合適的電流值。 商甲半導(dǎo)體的產(chǎn)品被廣泛...

MOS管選型指南 選擇合適品牌 市場(chǎng)中有不同品牌和類(lèi)型的MOS管，選擇時(shí)需平衡品牌質(zhì)量與成本。在市場(chǎng)上，歐美系企業(yè)的產(chǎn)品種類(lèi)齊全，技術(shù)及性能也很出色，因此常常成為優(yōu)先。日系品牌，如瑞薩和東芝，也以其品質(zhì)和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)在市場(chǎng)上占據(jù)一席之地，但價(jià)格相對(duì)較高。 國(guó)內(nèi)企業(yè)價(jià)格更為親民，性?xún)r(jià)比相對(duì)較高，因此也受到不少客戶(hù)的青睞。 中國(guó)大陸的本土企業(yè)則憑借低成本優(yōu)勢(shì)和快速響應(yīng)的客戶(hù)服務(wù)，在中低端及細(xì)分領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。商甲半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)替代，并不斷向高產(chǎn)品線(xiàn)發(fā)起挑戰(zhàn)，以滿(mǎn)足本土客戶(hù)的需求。 商甲半導(dǎo)體總部位于江蘇省無(wú)錫市經(jīng)開(kāi)區(qū),是無(wú)錫市太湖人才計(jì)劃重點(diǎn)引進(jìn)項(xiàng)目。閔行區(qū)電子元...

1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。 3.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。 4.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。 5.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。 場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱(chēng)之為...

想象一下傳統(tǒng)的電燈開(kāi)關(guān)，其工作原理是簡(jiǎn)單的機(jī)械接觸與斷開(kāi)。然而，在高速運(yùn)轉(zhuǎn)的手機(jī)和電腦芯片中，這樣的開(kāi)關(guān)顯然無(wú)法滿(mǎn)足需求，因?yàn)樗鼈兯俣忍Ⅲw積太大且耗電過(guò)多。因此，我們需要一種全新的開(kāi)關(guān)來(lái)應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。這種開(kāi)關(guān)需要具備以下特點(diǎn)：速度極快，每秒能完成數(shù)十億次的開(kāi)關(guān)動(dòng)作；體積超小，細(xì)如發(fā)絲，能在指甲大小的芯片上集成數(shù)十億個(gè)這樣的開(kāi)關(guān)；耗電極低，幾乎不消耗電能；以及控制靈敏，能通過(guò)微小的電信號(hào)來(lái)控制大電流的通斷。幸運(yùn)的是，MOSFET晶體管正是這樣一種“超級(jí)電子開(kāi)關(guān)”。步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，MOSFET用于步進(jìn)電機(jī)的相位控制。海南電子元器件MOSFET推薦型號(hào) MOSFETQ簡(jiǎn)稱(chēng)MOS，是一種絕緣柵型場(chǎng)...

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 1、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）的分類(lèi)：絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型。無(wú)論是什么溝道，它們又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。 2、它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱(chēng)為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS場(chǎng)效應(yīng)管。 3、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例)它是利用UGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即...

20V產(chǎn)品主要用于手機(jī)、移動(dòng)電源、可穿戴設(shè)備及消費(fèi)類(lèi)領(lǐng)域； 30V產(chǎn)品主要用于PC主板和顯卡、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、BMS、電動(dòng)工具、無(wú)線(xiàn)充； 40V產(chǎn)品主要用于無(wú)人機(jī)、BMS、電動(dòng)工具、汽車(chē)電子； 60V產(chǎn)品主要用于馬達(dá)控制、BMS、UPS、汽車(chē)雨刷、汽車(chē)音響； 80-250V產(chǎn)品主要用于低壓系統(tǒng)新能源汽車(chē)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、逆變器、儲(chǔ)能、BMS、LED、PD Charger；600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車(chē)； 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車(chē)； 公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營(yíng)...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體有限公司為一家功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司,專(zhuān)業(yè)從事各類(lèi)高性能MOSFET、IGBT、SIC產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售?？偛课挥诮K省無(wú)錫市經(jīng)開(kāi)區(qū),是無(wú)錫市太湖人才計(jì)劃重點(diǎn)引進(jìn)項(xiàng)目。 MOSFET根據(jù)閾值電壓特性分為增強(qiáng)型和耗盡型兩類(lèi) 增強(qiáng)型：在零柵極電壓時(shí)處于關(guān)閉狀態(tài)，需施加正電壓才能形成導(dǎo)電通道； 耗盡型：在零柵極電壓時(shí)已存在導(dǎo)電通道，需施加負(fù)電壓才能關(guān)閉通道。 MOSFET是大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路中采用得的半導(dǎo)體器件，其高集成度、低功耗和高可靠性使其成為現(xiàn)代微電子技術(shù)的基石。尤其在數(shù)字邏輯電路中，MOSFET的開(kāi)關(guān)特性為二進(jìn)制計(jì)算提供了物理基礎(chǔ)。 商甲半導(dǎo)體...

20V產(chǎn)品主要用于手機(jī)、移動(dòng)電源、可穿戴設(shè)備及消費(fèi)類(lèi)領(lǐng)域； 30V產(chǎn)品主要用于PC主板和顯卡、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、BMS、電動(dòng)工具、無(wú)線(xiàn)充； 40V產(chǎn)品主要用于無(wú)人機(jī)、BMS、電動(dòng)工具、汽車(chē)電子； 60V產(chǎn)品主要用于馬達(dá)控制、BMS、UPS、汽車(chē)雨刷、汽車(chē)音響； 80-250V產(chǎn)品主要用于低壓系統(tǒng)新能源汽車(chē)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、逆變器、儲(chǔ)能、BMS、LED、PD Charger；600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車(chē)； 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車(chē)； 公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營(yíng)...

SGT MOS管是國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體在先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域的突破。它將低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、優(yōu)異開(kāi)關(guān)性能與高可靠性集于一身，是追求效率和功率密度的現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的理想選擇。無(wú)論是應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛的能效挑戰(zhàn)，還是實(shí)現(xiàn)高頻小型化設(shè)計(jì)，亦或是構(gòu)建更穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管都展現(xiàn)出強(qiáng)大的“芯”實(shí)力，成為工程師設(shè)計(jì)下一代高效能產(chǎn)品的有力武器。 選擇商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管，就是選擇高效、可靠、自主可控的功率解決方案。 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車(chē)；公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營(yíng)銷(xiāo)，參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景，堅(jiān)持“質(zhì)...

場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點(diǎn)：貼片場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管 1：場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小。 2：場(chǎng)效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線(xiàn)以基極電流Ib 為參變量。 3：場(chǎng)效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量，晶體管的放大能力用β衡量。 4：場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗很大，輸入電流極??；晶體管輸入阻抗很小，在導(dǎo)電時(shí)輸入電流較大。 ...

MOS管選型指南 封裝因素考量 封裝方式影響散熱性能和電流承載能力，選擇需考慮系統(tǒng)散熱條件和環(huán)境溫度。在構(gòu)成開(kāi)關(guān)電路時(shí)，不同尺寸的MOS管封裝會(huì)影響其熱阻和耗散功率。因此，必須綜合考慮系統(tǒng)的散熱條件、環(huán)境溫度以及散熱器的形狀和大小限制?；驹瓌t是，在確保功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率不受影響的前提下，選擇參數(shù)和封裝更為通用的功率MOS管。在開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)中，我們常常需要關(guān)注MOS管的封裝方式。根據(jù)不同的應(yīng)用需求，可以選擇不同類(lèi)型的封裝。例如，插入式封裝包括TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251和TO-92等；而表面貼裝式封裝則涵蓋TO-263、TO-...

選擇合適的MOSFET是一個(gè)涉及多個(gè)因素的決策過(guò)程，這些因素包括但不限于器件的類(lèi)型（N溝道或P溝道）、封裝類(lèi)型、耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)特性等。以下是一些基本的指導(dǎo)原則和步驟，用于選擇適合特定應(yīng)用需求的MOSFET： 1.確定MOSFET的類(lèi)型：選擇N溝道還是P溝道MOSFET通常取決于應(yīng)用的具體需求。N溝道MOSFET在低邊側(cè)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中更為常見(jiàn)（用于開(kāi)關(guān)對(duì)地導(dǎo)通），而P溝道MOSFET則常用于高邊側(cè)開(kāi)關(guān)應(yīng)用（用于對(duì)電源導(dǎo)通）。 2.選擇封裝類(lèi)型：封裝的選擇應(yīng)基于散熱需求、系統(tǒng)尺寸限制、生產(chǎn)工藝和成本控制。不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率，因此需要根據(jù)系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體有限公司為一家功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司,專(zhuān)業(yè)從事各類(lèi)高性能MOSFET、IGBT、SIC產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售。總部位于江蘇省無(wú)錫市經(jīng)開(kāi)區(qū),是無(wú)錫市太湖人才計(jì)劃重點(diǎn)引進(jìn)項(xiàng)目。 MOSFET根據(jù)閾值電壓特性分為增強(qiáng)型和耗盡型兩類(lèi) 增強(qiáng)型：在零柵極電壓時(shí)處于關(guān)閉狀態(tài)，需施加正電壓才能形成導(dǎo)電通道； 耗盡型：在零柵極電壓時(shí)已存在導(dǎo)電通道，需施加負(fù)電壓才能關(guān)閉通道。 MOSFET是大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路中采用得的半導(dǎo)體器件，其高集成度、低功耗和高可靠性使其成為現(xiàn)代微電子技術(shù)的基石。尤其在數(shù)字邏輯電路中，MOSFET的開(kāi)關(guān)特性為二進(jìn)制計(jì)算提供了物理基礎(chǔ)。 商甲半導(dǎo)體...

TO-92封裝 TO-92封裝主要適用于低壓MOS管，其電流控制在10A以下，耐壓值不超過(guò)60V。此外，高壓1N60/65也采用了這種封裝方式，旨在幫助降低產(chǎn)品成本。 TO-263封裝TO-263封裝，作為T(mén)O-220封裝的衍生品，旨在提升生產(chǎn)效率和散熱性能。它能夠支持極高的電流和電壓，特別適用于中壓大電流MOS管，其電流范圍在150A以下，電壓則超過(guò)30V。這種封裝方式在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用多。 TO-252封裝TO-252封裝，作為當(dāng)前主流的封裝方式之一，其適用范圍多元。在高壓環(huán)境下，它能夠承受7N以下的壓力；而在中壓環(huán)境中，其電流容量則限制在70A以下。這種封裝方式因其...

針對(duì)無(wú)刷電機(jī)中MOS管的應(yīng)用，推薦使用商甲半導(dǎo)體低壓MOS-SGT系列， 其優(yōu)勢(shì)：采用SGT 工藝，突破性的FOM優(yōu)化，覆蓋更多的應(yīng)用場(chǎng)景；極低導(dǎo)通電阻，低損耗，高雪崩耐量，高效率?？筛鶕?jù)客戶(hù)方案需求，對(duì)應(yīng)器件選型檔位，進(jìn)行支持。 采用優(yōu)化的溝槽屏蔽柵設(shè)計(jì)及工藝制造技術(shù)，提升了器件的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性，同時(shí)降低了器件的特征導(dǎo)通電阻Rsp和柵極電荷Qg。SGT系列MOSFET產(chǎn)品涵蓋30V~150V,可廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)，同步整流等領(lǐng)域中。隨著無(wú)人機(jī)技術(shù)的迅猛發(fā)展和廣泛應(yīng)用，對(duì)于低壓MOS技術(shù)的需求將進(jìn)一步增加。無(wú)人機(jī)領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊，它將為無(wú)人機(jī)的性能提升、功能拓展和安全保障...

SGT MOS管是國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體在先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域的突破。它將低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、優(yōu)異開(kāi)關(guān)性能與高可靠性集于一身，是追求效率和功率密度的現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的理想選擇。無(wú)論是應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛的能效挑戰(zhàn)，還是實(shí)現(xiàn)高頻小型化設(shè)計(jì)，亦或是構(gòu)建更穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管都展現(xiàn)出強(qiáng)大的“芯”實(shí)力，成為工程師設(shè)計(jì)下一代高效能產(chǎn)品的有力武器。 選擇商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管，就是選擇高效、可靠、自主可控的功率解決方案。 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車(chē)；公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營(yíng)銷(xiāo)，參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景，堅(jiān)持“質(zhì)...

場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點(diǎn)：貼片場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管 1：場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小。 2：場(chǎng)效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線(xiàn)以基極電流Ib 為參變量。 3：場(chǎng)效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量，晶體管的放大能力用β衡量。 4：場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗很大，輸入電流極小；晶體管輸入阻抗很小，在導(dǎo)電時(shí)輸入電流較大。 ...

QFN封裝的四邊均配置有電極接點(diǎn) 即四邊無(wú)引線(xiàn)扁平封裝，是一種新興的表面貼裝芯片封裝技術(shù)。其特點(diǎn)在于焊盤(pán)尺寸小、體積緊湊，且采用塑料作為密封材料。如今，該技術(shù)常被稱(chēng)作LCC。 因其無(wú)引線(xiàn)設(shè)計(jì)，使得貼裝時(shí)的占地面積相較于QFP更小，同時(shí)高度也更為低矮。此外，這種封裝形式還被稱(chēng)為L(zhǎng)CC、PCLC、P-LCC等。起初，QFN主要應(yīng)用于集成電路的封裝，然而，隨著技術(shù)的發(fā)展，MOSFET也開(kāi)始采用這種封裝技術(shù)。特別是INTEL提出的整合驅(qū)動(dòng)與MOSFET的DrMOS技術(shù)，就采用了QFN-56封裝，其中56表示芯片背面有56個(gè)連接Pin。 MOSFET、IGBT 選商甲半導(dǎo)體，專(zhuān)業(yè)供應(yīng)商，...