在偶極層內(nèi)部電場很強。當(dāng)外加反向電壓達到一定閾值時，偶極層內(nèi)部會發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數(shù)量級。利用PN結(jié)的這些特性在各種應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變?nèi)荻O管、開關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（俘獲等離子體雪崩渡越時間二極管）等。此外，還有利用PN結(jié)特殊效應(yīng)的隧道二極管，以及沒有PN結(jié)的肖脫基二極管和耿氏二極管等。三位數(shù)字-**通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字-表示**半導(dǎo)體器件的登記序號。海安特點半導(dǎo)體器件聯(lián)系方式晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是由一塊 P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成一個...

第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到**個部分，其各部分的符號意義如下：***部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。用字母表示同一型號的改進型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進產(chǎn)品。如東使用半導(dǎo)體器件平臺美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的...

第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到**個部分，其各部分的符號意義如下：***部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。用字母表示同一型號的改進型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進產(chǎn)品。如東常規(guī)半導(dǎo)體器件平臺在偶極層內(nèi)部電場很強。當(dāng)外加反向電壓達到一定閾值時，偶極層...

第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-**通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字-表示**半導(dǎo)體器件的登記序號。它是由兩個PN結(jié)構(gòu)成，其中一個PN結(jié)稱為發(fā)射...

半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個PN結(jié)。半導(dǎo)體器件（semiconductor device）通常利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型**是各種...

在MOS器件的基礎(chǔ)上,又發(fā)展出一種電荷耦合器件(CCD)，它是以半導(dǎo)體表面附近存儲的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通?？梢杂米餮舆t線和存儲器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。命名方法中國半導(dǎo)體器件型號命名方法半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：***部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管利用半導(dǎo)體的其他特性做成的器件還有熱敏電阻、霍耳器件、壓敏元件、氣敏晶體管和表面波器件等。如皋特點半導(dǎo)體器件制定第二部分：用字母表示器件的類型...

半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個PN結(jié)。半導(dǎo)體器件（semiconductor device）通常利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型**是各種...

第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標(biāo)志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件型號命名方法德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：***部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6～1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0～1.3e...

3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出比較大反向峰值耐壓值和比較大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上，稱為集成電路。一塊硅芯片上集成的元件數(shù)小于 100個的稱為小規(guī)模集成電路，從 100個元件到1000 個元件的稱為中規(guī)模集成電路，從1000 個元件到100000 個元件的稱為大規(guī)模集成電路，100000 個元件以上的稱為超大規(guī)模集成電路。集成電路是當(dāng)前發(fā)展計算機所必需的基礎(chǔ)電子器件。許多工業(yè)先進國家都十分重視集成電路工業(yè)的發(fā)展。集成電路的集成度以每...

晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開關(guān)用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號。此外，還有一些特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等。在通信和雷達等***裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不...

3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出比較大反向峰值耐壓值和比較大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上，稱為集成電路。一塊硅芯片上集成的元件數(shù)小于 100個的稱為小規(guī)模集成電路，從 100個元件到1000 個元件的稱為中規(guī)模集成電路，從1000 個元件到100000 個元件的稱為大規(guī)模集成電路，100000 個元件以上的稱為超大規(guī)模集成電路。集成電路是當(dāng)前發(fā)展計算機所必需的基礎(chǔ)電子器件。許多工業(yè)先進國家都十分重視集成電路工業(yè)的發(fā)展。集成電路的集成度以每...

半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個PN結(jié)。半導(dǎo)體器件（semiconductor device）通常利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型**是各種...

第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-**通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字-表示**半導(dǎo)體器件的登記序號。BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，A...

它是由兩個PN結(jié)構(gòu)成，其中一個PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，另一個稱為集電結(jié)。兩個結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū)。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個電極分別稱為發(fā)射極和集電極。接在基區(qū)上的電極稱為基極。在應(yīng)用時，發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電極處于反向偏置。通過發(fā)射結(jié)的電流使大量的少數(shù)載流子注入到基區(qū)里，這些少數(shù)載流子靠擴散遷移到集電結(jié)而形成集電極電流，只有極少量的少數(shù)載流子在基區(qū)內(nèi)復(fù)合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)。在共發(fā)射極電路中，微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化，這就是雙極型晶體管的電流放大效應(yīng)。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類。不同公司的性能相同的...

在MOS器件的基礎(chǔ)上,又發(fā)展出一種電荷耦合器件(CCD)，它是以半導(dǎo)體表面附近存儲的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通?？梢杂米餮舆t線和存儲器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。命名方法中國半導(dǎo)體器件型號命名方法半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：***部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件。崇川區(qū)半導(dǎo)體器件規(guī)范第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注...

晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開關(guān)用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號。此外，還有一些特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等。在通信和雷達等***裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不...

在偶極層內(nèi)部電場很強。當(dāng)外加反向電壓達到一定閾值時，偶極層內(nèi)部會發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數(shù)量級。利用PN結(jié)的這些特性在各種應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變?nèi)荻O管、開關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（俘獲等離子體雪崩渡越時間二極管）等。此外，還有利用PN結(jié)特殊效應(yīng)的隧道二極管，以及沒有PN結(jié)的肖脫基二極管和耿氏二極管等。美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標(biāo)志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。港閘區(qū)半導(dǎo)體器件費用第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如：3DG18表示NPN...

3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出比較大反向峰值耐壓值和比較大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上，稱為集成電路。一塊硅芯片上集成的元件數(shù)小于 100個的稱為小規(guī)模集成電路，從 100個元件到1000 個元件的稱為中規(guī)模集成電路，從1000 個元件到100000 個元件的稱為大規(guī)模集成電路，100000 個元件以上的稱為超大規(guī)模集成電路。集成電路是當(dāng)前發(fā)展計算機所必需的基礎(chǔ)電子器件。許多工業(yè)先進國家都十分重視集成電路工業(yè)的發(fā)展。集成電路的集成度以每...

第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到**個部分，其各部分的符號意義如下：***部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件。江蘇有什么半導(dǎo)體器件市場價3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出比較大反向峰值耐壓值和比...

第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場效應(yīng)管、K-N 溝道場效應(yīng)管、M-雙向可控硅。第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是產(chǎn)品。第五部分： 用字母表示同一型號的改進型產(chǎn)品標(biāo)志。A...

3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出比較大反向峰值耐壓值和比較大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上，稱為集成電路。一塊硅芯片上集成的元件數(shù)小于 100個的稱為小規(guī)模集成電路，從 100個元件到1000 個元件的稱為中規(guī)模集成電路，從1000 個元件到100000 個元件的稱為大規(guī)模集成電路，100000 個元件以上的稱為超大規(guī)模集成電路。集成電路是當(dāng)前發(fā)展計算機所必需的基礎(chǔ)電子器件。許多工業(yè)先進國家都十分重視集成電路工業(yè)的發(fā)展。集成電路的集成度以每...

第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到**個部分，其各部分的符號意義如下：***部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。海安什么是半導(dǎo)體器件發(fā)展現(xiàn)狀晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是由一塊 P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成...

場效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應(yīng)），使具有放大信號的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏?？刂茩M向電場的電極稱為柵。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場效應(yīng)晶體管可以分為三種：①結(jié)型場效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極)；②MOS場效應(yīng)管（用金屬-氧化物－半導(dǎo)體構(gòu)成柵極,見金屬－絕緣體－半導(dǎo)體系統(tǒng)）；③MES場效應(yīng)管（用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極）;其中MOS場效應(yīng)管使用*****。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中,MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性。MES場效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上。美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標(biāo)志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。海門...

在MOS器件的基礎(chǔ)上,又發(fā)展出一種電荷耦合器件(CCD)，它是以半導(dǎo)體表面附近存儲的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通?？梢杂米餮舆t線和存儲器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。命名方法中國半導(dǎo)體器件型號命名方法半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：***部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的比較大反向峰值耐壓值，單位是伏特。海門半導(dǎo)體器件制定第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關(guān)混頻...

在MOS器件的基礎(chǔ)上,又發(fā)展出一種電荷耦合器件(CCD)，它是以半導(dǎo)體表面附近存儲的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通常可以用作延遲線和存儲器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。命名方法中國半導(dǎo)體器件型號命名方法半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：***部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標(biāo)志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。如東有什么半導(dǎo)體器件制定第五部分：用字母表示器件分檔。A...

晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開關(guān)用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號。此外，還有一些特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等。在通信和雷達等***裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不...

第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標(biāo)志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件型號命名方法德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：***部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6～1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0～1.3e...

晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是由一塊 P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成一個 PN結(jié)。在PN結(jié)的交界面處，由于P型半導(dǎo)體中的空穴和N型半導(dǎo)體中的電子要相互向?qū)Ψ綌U散而形成一個具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續(xù)擴散而使PN結(jié)達到平衡狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)的P端（P型半導(dǎo)體那邊）接電源的正極而另一端接負(fù)極時，空穴和電子都向偶極層流動而使偶極層變薄，電流很快上升。如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚，同時電流被限制在一個很小的飽和值內(nèi)(稱反向飽和電流)。因此，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴４送?，PN結(jié)的偶極層還起一個電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。光電探測...

半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個PN結(jié)。半導(dǎo)體器件（semiconductor device）通常利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型**是各種...

在MOS器件的基礎(chǔ)上,又發(fā)展出一種電荷耦合器件(CCD)，它是以半導(dǎo)體表面附近存儲的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通?？梢杂米餮舆t線和存儲器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。命名方法中國半導(dǎo)體器件型號命名方法半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：***部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管用字母表示同一型號的改進型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進產(chǎn)品。南通哪些是半導(dǎo)體器件品牌排行榜晶體管又可以分為雙...