何謂電化學(xué)遷移。金屬離子在電場(chǎng)的作用下，電路的陽(yáng)極和陰極之間會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)電信道產(chǎn)生電解腐蝕(Electrolytic Corrosion。樣式如樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)，造成不同區(qū)域的金屬互相連接，進(jìn)而導(dǎo)致電路短路。ECM現(xiàn)象好發(fā)于電路板上。造成電化學(xué)遷移(ECM)比較大因素造成ECM形成的比較大因素為「電解質(zhì)層形成」，電解質(zhì)層的形成會(huì)產(chǎn)生自由離子進(jìn)而增加導(dǎo)電率。而會(huì)加速電解質(zhì)層形成的原因大多為濕度、溫度、汗水、環(huán)境中的污染物、助焊劑化學(xué)物、板材材料、表面粗糙度…等因素，因此，如何預(yù)防電解質(zhì)層形成極為重要。測(cè)試電壓可在1.0-500V(2000V)之間以0.1V步進(jìn)任意可調(diào)。江蘇智能電阻測(cè)試服務(wù)電話(huà)電阻...

幾十年來(lái)，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)一直認(rèn)為SIR測(cè)試是比較好的方法。然而，在實(shí)踐中，這種方法有一些局限性。首先，它是在標(biāo)準(zhǔn)梳狀測(cè)試樣板上進(jìn)行的，而不是實(shí)際的組裝產(chǎn)品。根據(jù)不同的PCB表面處理、回流工藝條件、處理工序等，需要進(jìn)行**的測(cè)試設(shè)置。而且測(cè)試方法的選擇，可能需要組裝元器件，也可能不需要。由于和助焊劑分類(lèi)有關(guān)，這些因素的標(biāo)準(zhǔn)化是區(qū)分可比較的助焊劑類(lèi)別的關(guān)鍵。另一方面，工藝的優(yōu)化和控制可能會(huì)遺漏一些關(guān)鍵的失效來(lái)源。其次，由于組件處于生產(chǎn)過(guò)程中，無(wú)法實(shí)時(shí)收集結(jié)果。根據(jù)測(cè)試方法的不同，測(cè)試時(shí)間**少為72小時(shí)，**多為28天，這使得測(cè)試對(duì)于過(guò)程控制來(lái)說(shuō)太長(zhǎng)了。從而促使制造商尋求能快速有效地表征電化學(xué)遷移傾向的...

設(shè)計(jì)特征和工藝驗(yàn)證對(duì)于準(zhǔn)備制造一個(gè)新的PCB組件非常關(guān)鍵。這將包括調(diào)查來(lái)料、開(kāi)發(fā)適當(dāng)?shù)暮附庸に噮?shù)、并**終敲定一個(gè)經(jīng)過(guò)很多步驟驗(yàn)證的典型的PCB組件。這將花費(fèi)比用于驗(yàn)證每個(gè)組裝過(guò)程多得多的時(shí)間。本文將重點(diǎn)討論工藝驗(yàn)證步驟中應(yīng)該進(jìn)行的測(cè)試。助焊劑特性測(cè)試IPC要求焊接用的所有助焊劑都按照J(rèn)-STD-004（目前在B版中)_進(jìn)行分類(lèi)。這份標(biāo)準(zhǔn)概述了助焊劑的基本性能要求和用于描述助焊劑在焊接過(guò)程中和組裝后在環(huán)境中與銅電路的反應(yīng)的行業(yè)標(biāo)測(cè)試方法。一旦經(jīng)過(guò)測(cè)試，就可以使用諸如“ROL0”之類(lèi)的代碼對(duì)助焊劑進(jìn)行分類(lèi)。該代碼表示助焊劑基礎(chǔ)成分、活性水平和鹵化物的存在。以ROL0為例，它表示：助焊劑是松香基...

CAF形成過(guò)程：1、常規(guī)FR4 P片是由玻璃絲編輯成玻璃布，然后涂環(huán)氧樹(shù)脂半固化后制成；2、樹(shù)脂與玻纖之間的附著力不足，或含浸時(shí)親膠性不良，兩者之間容易出現(xiàn)間隙；3、鉆孔等機(jī)械加工過(guò)程中，由于切向拉力及縱向沖擊力的作用對(duì)樹(shù)脂的粘合力進(jìn)一步破壞；4、距離較近的兩孔若電勢(shì)不同，則正極部分銅離子在電壓驅(qū)動(dòng)下逐漸向負(fù)極遷移。CAF產(chǎn)生的原因：1、原料問(wèn)題1) 樹(shù)脂身純度不良，如雜質(zhì)太多而招致附著力不佳 ；2) 玻纖束之表面有問(wèn)題，如耦合性不佳，親膠性不良 ；3) 樹(shù)脂之硬化劑不良，容易吸水 ；4) 膠片含浸中行進(jìn)速度太快；常使得玻纖束中應(yīng)有的膠量尚未全數(shù)充實(shí)填飽 造成氣泡殘存。梳形電路“多指狀”互相...

可靠的電子組裝產(chǎn)品必須能在不同的環(huán)境中經(jīng)受住各種影響因素的考驗(yàn)，例如：熱、機(jī)械、化學(xué)、電等因素。測(cè)試每一種考驗(yàn)因素對(duì)系統(tǒng)的影響，通常以加速老化的方式來(lái)測(cè)試。這也就是說(shuō)，測(cè)試環(huán)境比起正常老化的環(huán)境是要極端得多的。此文中的研究對(duì)象主要是各種測(cè)試電化學(xué)可靠性的方法。IPC將電化學(xué)遷移定義為：在直流偏壓的影響下，印刷線路板上的導(dǎo)電金屬纖維絲的生長(zhǎng)。這種生長(zhǎng)可能發(fā)生在外部表面、內(nèi)部界面或穿過(guò)大多數(shù)復(fù)合材料本體。增長(zhǎng)的金屬纖維絲是含有金屬離子的溶液經(jīng)過(guò)電沉積形成的。電沉積過(guò)程是從陽(yáng)極溶解電離子，由電場(chǎng)運(yùn)輸重新沉積在陰極上。在電路與組裝材料發(fā)生的反應(yīng)過(guò)程中，隨著時(shí)間的推移而逐漸形成這種失效。當(dāng)金屬纖維絲在線...

確認(rèn)適當(dāng)?shù)钠秒妷阂呀?jīng)被加載在樣品上進(jìn)行周期性測(cè)試。為了比較不同內(nèi)層材料和制程的耐CAF性能，使用100V直流偏壓的標(biāo)準(zhǔn)CAF測(cè)試條件。為了確認(rèn)測(cè)試結(jié)果與實(shí)際壽命之間的關(guān)系，第二個(gè)偏置電壓條件需要選擇給定的最高工作電壓的兩倍。當(dāng)一個(gè)較小的偏置電壓不能有效地區(qū)別更多不同的耐CAF材料和制程時(shí)，更高的偏置電壓由于會(huì)線性地影響失效時(shí)間，應(yīng)該被避免采用。這是因?yàn)檫^(guò)高的偏置電壓會(huì)抵消掉相對(duì)濕度的影響，而相對(duì)濕度由于局部加熱的原因是非常重要的失效機(jī)制部分。精度高：優(yōu)于同業(yè)產(chǎn)品。海南pcb離子遷移絕緣電阻測(cè)試操作電阻測(cè)試表面電子組件的電化學(xué)遷移的發(fā)生機(jī)理取決于四個(gè)因素：銅、電壓、濕度和離子種類(lèi)。當(dāng)環(huán)境中的濕...

可靠的電子組裝產(chǎn)品必須能在不同的環(huán)境中經(jīng)受住各種影響因素的考驗(yàn)，例如：熱、機(jī)械、化學(xué)、電等因素。測(cè)試每一種考驗(yàn)因素對(duì)系統(tǒng)的影響，通常以加速老化的方式來(lái)測(cè)試。這也就是說(shuō)，測(cè)試環(huán)境比起正常老化的環(huán)境是要極端得多的。此文中的研究對(duì)象主要是各種測(cè)試電化學(xué)可靠性的方法。IPC將電化學(xué)遷移定義為：在直流偏壓的影響下，印刷線路板上的導(dǎo)電金屬纖維絲的生長(zhǎng)。這種生長(zhǎng)可能發(fā)生在外部表面、內(nèi)部界面或穿過(guò)大多數(shù)復(fù)合材料本體。增長(zhǎng)的金屬纖維絲是含有金屬離子的溶液經(jīng)過(guò)電沉積形成的。電沉積過(guò)程是從陽(yáng)極溶解電離子，由電場(chǎng)運(yùn)輸重新沉積在陰極上。在電路與組裝材料發(fā)生的反應(yīng)過(guò)程中，隨著時(shí)間的推移而逐漸形成這種失效。當(dāng)金屬纖維絲在線...

確認(rèn)適當(dāng)?shù)钠秒妷阂呀?jīng)被加載在樣品上進(jìn)行周期性測(cè)試。為了比較不同內(nèi)層材料和制程的耐CAF性能，使用100V直流偏壓的標(biāo)準(zhǔn)CAF測(cè)試條件。為了確認(rèn)測(cè)試結(jié)果與實(shí)際壽命之間的關(guān)系，第二個(gè)偏置電壓條件需要選擇給定的最高工作電壓的兩倍。當(dāng)一個(gè)較小的偏置電壓不能有效地區(qū)別更多不同的耐CAF材料和制程時(shí)，更高的偏置電壓由于會(huì)線性地影響失效時(shí)間，應(yīng)該被避免采用。這是因?yàn)檫^(guò)高的偏置電壓會(huì)抵消掉相對(duì)濕度的影響，而相對(duì)濕度由于局部加熱的原因是非常重要的失效機(jī)制部分。評(píng)估一家PCB板廠是否符合產(chǎn)品的要求，除了成本考量、工藝技術(shù)評(píng)估之外，有更為重要的PCB基板電氣性能評(píng)估。湖南制造電阻測(cè)試推薦貨源電阻測(cè)試有數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)90...

此外，失效電阻表面還存在少量的乙酸根離子(CH3COO-)，由于工藝生產(chǎn)中引入的有機(jī)弱酸減小了溶液的pH、提高了溶液的導(dǎo)電率，促進(jìn)了金屬陽(yáng)極的溶解過(guò)程，加大金屬陽(yáng)離子的濃度而提升枝晶的生長(zhǎng)速率，造成了電阻的短路失效。從表1離子色譜結(jié)果可以得出原工藝中生產(chǎn)使用的SnPb焊料存在較高的氯離子（Cl-），說(shuō)明SnPb焊料中的助焊劑中存在較高的氯離子，加速了電阻表面發(fā)生焊料的電化學(xué)遷移。參考國(guó)際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)表面絕緣電阻手冊(cè)IPC-TM-6502.3.28.2[4]，“/”表示未檢出，其含量低于方法檢出限，方法檢出限為0.003mg/cm2。SIR表面絕緣電阻測(cè)試的目的之一：變更回流焊或波峰焊工...

為SAC305開(kāi)發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對(duì)相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長(zhǎng)冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所示的爐溫曲線是由一臺(tái)爐溫測(cè)試儀測(cè)試的回流爐的曲線，和由電偶測(cè)量的返工臺(tái)的曲線。返修工位曲線升溫時(shí)間更短，為了便于峰位和TAL的比較，對(duì)溫度曲線進(jìn)行了輕微的偏移。為SAC305開(kāi)發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對(duì)相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長(zhǎng)冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所...

電化學(xué)遷移是PCB組件常見(jiàn)的失效模式。無(wú)論是在設(shè)計(jì)過(guò)程開(kāi)發(fā)階段，還是在生產(chǎn)過(guò)程、控制過(guò)程中，都需要充分的測(cè)試。在電子組裝行業(yè)，有許多可用的方法可以來(lái)評(píng)估組件表面的電化學(xué)遷移傾向。根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試將繼續(xù)為SIR。這是因?yàn)樵摐y(cè)試**接近組件的正常使用壽命中導(dǎo)致電化學(xué)遷移的條件，而且它考慮了所有促進(jìn)電化學(xué)遷移機(jī)制的四個(gè)因素之間的相互作用。當(dāng)測(cè)試集中在一個(gè)或一些因素上時(shí)，例如測(cè)試離子含量，它們可能表明每個(gè)組件上離子種類(lèi)的變化，但它們不能直接評(píng)估電化學(xué)遷移的傾向。在銅、電壓、濕度和離子含量之間的相互作用中存在著一些關(guān)鍵因素，電解會(huì)導(dǎo)致枝晶生長(zhǎng)，這將繼續(xù)推動(dòng)測(cè)試的最佳實(shí)踐朝著直接測(cè)試表面絕緣電阻的方向發(fā)展...

可靠的電子組裝產(chǎn)品必須能在不同的環(huán)境中經(jīng)受住各種影響因素的考驗(yàn)，例如：熱、機(jī)械、化學(xué)、電等因素。測(cè)試每一種考驗(yàn)因素對(duì)系統(tǒng)的影響，通常以加速老化的方式來(lái)測(cè)試。這也就是說(shuō)，測(cè)試環(huán)境比起正常老化的環(huán)境是要極端得多的。此文中的研究對(duì)象主要是各種測(cè)試電化學(xué)可靠性的方法。IPC將電化學(xué)遷移定義為：在直流偏壓的影響下，印刷線路板上的導(dǎo)電金屬纖維絲的生長(zhǎng)。這種生長(zhǎng)可能發(fā)生在外部表面、內(nèi)部界面或穿過(guò)大多數(shù)復(fù)合材料本體。增長(zhǎng)的金屬纖維絲是含有金屬離子的溶液經(jīng)過(guò)電沉積形成的。電沉積過(guò)程是從陽(yáng)極溶解電離子，由電場(chǎng)運(yùn)輸重新沉積在陰極上。在電路與組裝材料發(fā)生的反應(yīng)過(guò)程中，隨著時(shí)間的推移而逐漸形成這種失效。當(dāng)金屬纖維絲在線...

局部萃取法會(huì)把板子表面所有殘留離子都溶解。電路板上離子材料的常見(jiàn)來(lái)源是多種多樣的，包括電路板制造和電鍍殘留物、人機(jī)交互殘留物、助焊劑殘留物等。這包括有意添加的化學(xué)物質(zhì)和無(wú)意的污染?？紤]到這一點(diǎn)，每當(dāng)遇到不可接受的結(jié)果時(shí)，這種方法就被用來(lái)調(diào)查在過(guò)程和材料清單中發(fā)生了什么變化。在流程開(kāi)發(fā)過(guò)程中，應(yīng)該定義一個(gè)“正?！钡慕Y(jié)果范圍，但是當(dāng)結(jié)果超出預(yù)期范圍時(shí)，可能會(huì)有許多潛在的原因。使用類(lèi)似SIR測(cè)試模塊的68針LCC。這種設(shè)計(jì)有足夠的熱量，允許一個(gè)范圍內(nèi)的回流曲線。元件的高度和底部端子**了一個(gè)典型的組裝案例，其中助焊劑殘留物和其他污染物可以被截留在元件底部。在局部萃取過(guò)程中，噴嘴比組件小得多，且能滿(mǎn)足...

設(shè)計(jì)特征和工藝驗(yàn)證對(duì)于準(zhǔn)備制造一個(gè)新的PCB組件非常關(guān)鍵。這將包括調(diào)查來(lái)料、開(kāi)發(fā)適當(dāng)?shù)暮附庸に噮?shù)、并**終敲定一個(gè)經(jīng)過(guò)很多步驟驗(yàn)證的典型的PCB組件。這將花費(fèi)比用于驗(yàn)證每個(gè)組裝過(guò)程多得多的時(shí)間。本文將重點(diǎn)討論工藝驗(yàn)證步驟中應(yīng)該進(jìn)行的測(cè)試。助焊劑特性測(cè)試IPC要求焊接用的所有助焊劑都按照J(rèn)-STD-004（目前在B版中)_進(jìn)行分類(lèi)。這份標(biāo)準(zhǔn)概述了助焊劑的基本性能要求和用于描述助焊劑在焊接過(guò)程中和組裝后在環(huán)境中與銅電路的反應(yīng)的行業(yè)標(biāo)測(cè)試方法。一旦經(jīng)過(guò)測(cè)試，就可以使用諸如“ROL0”之類(lèi)的代碼對(duì)助焊劑進(jìn)行分類(lèi)。該代碼表示助焊劑基礎(chǔ)成分、活性水平和鹵化物的存在。以ROL0為例，它表示：助焊劑是松香基...

隨著電子產(chǎn)品向小型化/集成化的發(fā)展，線路和層間間距越來(lái)越小，電遷移問(wèn)題也日益受到關(guān)注。一旦發(fā)生電遷移會(huì)造成電子產(chǎn)品絕緣性能下降，甚至短路。電遷移失效同常規(guī)的過(guò)應(yīng)力失效不同，它的發(fā)生需要一個(gè)時(shí)間累積，失效通常會(huì)發(fā)生在**終客戶(hù)的使用過(guò)程中，可能在使用幾個(gè)月后，也可能在幾年后，往往會(huì)造成經(jīng)濟(jì)上的重大損失。但是，電遷移的發(fā)生不僅同離子有關(guān)，它需要離子，電壓差，導(dǎo)體，傳輸通道，濕氣以及溫度等各種因素綜合作用，在長(zhǎng)期累積下產(chǎn)生的失效。所以，通過(guò)在樣品上施加各類(lèi)綜合應(yīng)力來(lái)評(píng)估產(chǎn)品后期使用的電遷移風(fēng)險(xiǎn)就顯得異常重要。與其它方法比較，SIR的優(yōu)點(diǎn)是除了可偵測(cè)局部的污染之外，還可以測(cè)量離子與非離子污染物對(duì)PCB...

局部萃取的離子色譜法在過(guò)去的十年中，一種新興的方法得到了***的應(yīng)用，那就是局部萃取，然后用離子色譜(IC)分析來(lái)控制重要的清潔度，通常被稱(chēng)為C3測(cè)試。這種方法使用冷蒸汽直接通過(guò)一個(gè)小噴嘴，并在選定的電路板和組件表面冷凝，用以溶解各種離子。然后噴嘴將水和離子的溶液萃取回測(cè)試池中進(jìn)行測(cè)試。電流通過(guò)萃取物，并測(cè)量達(dá)到持續(xù)狀態(tài)的時(shí)間。然后用離子色譜法對(duì)萃取物進(jìn)行檢測(cè)，以確定其中存在的離子種類(lèi)及數(shù)量。這種類(lèi)型的測(cè)試特別適用于對(duì)電路板上潛在的問(wèn)題區(qū)域進(jìn)行抽查，例如低間距組件、高熱質(zhì)量區(qū)域、選擇性焊接的部件和清洗過(guò)的組件。**重要的是，局部萃取方法可以很容易地集成到質(zhì)量保證協(xié)議中，以驗(yàn)證測(cè)試結(jié)果隨時(shí)間變化...

可靠性研究的兩大內(nèi)容就是失效分析和可靠性測(cè)試（包括破壞性實(shí)驗(yàn)）。兩者之間是相互影響和相互制約的。電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ)，元器件可靠性工作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。因此，必須重視和加快發(fā)展元器件的可靠性分析工作，通過(guò)分析確定失效機(jī)理，找出失效原因，反饋給設(shè)計(jì)、制造和使用，共同研究和實(shí)施糾正措施，提高電子元器件的可靠性。電子元器件失效分析的目的是借助各種測(cè)試分析技術(shù)和分析程序確認(rèn)電子元器件的失效現(xiàn)象，分辨其失效模式和失效機(jī)理，確認(rèn)結(jié)果的失效原因，提出改進(jìn)設(shè)計(jì)和制造工藝的建議，防止失效的重復(fù)出現(xiàn)，提高元器件可靠性。廣州維柯信息技術(shù)有限公司導(dǎo)通電阻測(cè)試低阻...

確認(rèn)適當(dāng)?shù)钠秒妷阂呀?jīng)被加載在樣品上進(jìn)行周期性測(cè)試。為了比較不同內(nèi)層材料和制程的耐CAF性能，使用100V直流偏壓的標(biāo)準(zhǔn)CAF測(cè)試條件。為了確認(rèn)測(cè)試結(jié)果與實(shí)際壽命之間的關(guān)系，第二個(gè)偏置電壓條件需要選擇給定的最高工作電壓的兩倍。當(dāng)一個(gè)較小的偏置電壓不能有效地區(qū)別更多不同的耐CAF材料和制程時(shí)，更高的偏置電壓由于會(huì)線性地影響失效時(shí)間，應(yīng)該被避免采用。這是因?yàn)檫^(guò)高的偏置電壓會(huì)抵消掉相對(duì)濕度的影響，而相對(duì)濕度由于局部加熱的原因是非常重要的失效機(jī)制部分。GWHR-256多通道 SIR/CAF實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)搭配廣州維柯CAF測(cè)試軟件，更好更快速完成檢測(cè)。廣東sir電阻測(cè)試直銷(xiāo)價(jià)電阻測(cè)試電化學(xué)遷移是PCB...

銅鏡和銅板腐蝕測(cè)試了助焊劑或者助焊劑殘留物里面離子之間的反應(yīng)分別對(duì)電化學(xué)遷移的潛在影響。***，鹵化物含量測(cè)量表明了助焊劑中多少的離子來(lái)自鹵離子。需要注意的是這是有別于無(wú)鹵和低鹵助焊劑的要求。也需要提供附加測(cè)量值，比如助焊劑黏度、酸值固體物含量等根據(jù)J-STD-004定義的附加測(cè)試方法的測(cè)試結(jié)果。當(dāng)供應(yīng)商提供了助焊劑活性等級(jí)，相當(dāng)于給了工程師一個(gè)規(guī)格，這個(gè)規(guī)格定義了在標(biāo)準(zhǔn)條件下助焊劑的表現(xiàn)如何，這其中包括了指定的溫度循環(huán)和測(cè)試板。這有別于在特定設(shè)計(jì)和工藝中認(rèn)證助焊劑。某些助焊劑等級(jí)的測(cè)試方法可以修改，以適應(yīng)其設(shè)計(jì)特性。但是這些修改可能改變預(yù)期的結(jié)果，并且會(huì)影響到測(cè)試合格/失敗的極限。SIR表面...

可靠性試驗(yàn)中，有一項(xiàng)，叫做高加速應(yīng)力試驗(yàn)(簡(jiǎn)稱(chēng)HAST)，主要是在測(cè)試IC封裝體對(duì)溫濕度的抵抗能力，藉以確保產(chǎn)品可靠性。這項(xiàng)試驗(yàn)方式是需透過(guò)外接電源供應(yīng)器，將DC電壓源送入高壓鍋爐機(jī)臺(tái)設(shè)備內(nèi)，再連接到待測(cè)IC插座(Socket)與測(cè)試版(HASTboard)，進(jìn)行待測(cè)IC的測(cè)試。然而這項(xiàng)試驗(yàn)，看似簡(jiǎn)單，但在宜特20多年的可靠性驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)中，卻發(fā)現(xiàn)客戶(hù)都會(huì)遇到一些難題需要克服。特別是芯片應(yīng)用日益復(fù)雜，精密度不斷提升，芯片采取如球柵數(shù)組封裝(Ball Grid Array，簡(jiǎn)稱(chēng)BGA)和芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale package，簡(jiǎn)稱(chēng)CSP）封裝比例越來(lái)越高，且錫球間距也越來(lái)越小，在執(zhí)行HA...

隨著電子產(chǎn)品向小型化/集成化的發(fā)展，線路和層間間距越來(lái)越小，電遷移問(wèn)題也日益受到關(guān)注。一旦發(fā)生電遷移會(huì)造成電子產(chǎn)品絕緣性能下降，甚至短路。電遷移失效同常規(guī)的過(guò)應(yīng)力失效不同，它的發(fā)生需要一個(gè)時(shí)間累積，失效通常會(huì)發(fā)生在**終客戶(hù)的使用過(guò)程中，可能在使用幾個(gè)月后，也可能在幾年后，往往會(huì)造成經(jīng)濟(jì)上的重大損失。但是，電遷移的發(fā)生不僅同離子有關(guān)，它需要離子，電壓差，導(dǎo)體，傳輸通道，濕氣以及溫度等各種因素綜合作用，在長(zhǎng)期累積下產(chǎn)生的失效。所以，通過(guò)在樣品上施加各類(lèi)綜合應(yīng)力來(lái)評(píng)估產(chǎn)品后期使用的電遷移風(fēng)險(xiǎn)就顯得異常重要。提高失效分析效率，滿(mǎn)足客戶(hù)測(cè)試需求。浙江電阻測(cè)試銷(xiāo)售廠家電阻測(cè)試銅鏡實(shí)驗(yàn)IPC-TM-650...

SIR測(cè)試模型允許將此測(cè)試組件安裝在溫度為40°C和相對(duì)濕度為90%的箱體中，如IPC TM-650所述。有一個(gè)輕微的偏差，因?yàn)榘鍥](méi)有固定，并有不同的方向相對(duì)于氣流確保在測(cè)試期間SIR測(cè)試模塊上沒(méi)有明顯的冷凝現(xiàn)象。根據(jù)IPC標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)測(cè)試的模塊，在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，其電阻都高于108Ω。測(cè)試結(jié)果將根據(jù)這個(gè)限定值判定為通過(guò)或失敗。相關(guān)研究的目的是描述不同回流曲線對(duì)助焊劑殘留物的影響。在以前的工作中，據(jù)說(shuō)曾經(jīng)觀察到與回流工藝產(chǎn)出的組件相比，使用電烙鐵加熱和更快冷卻速度的返工工位完成的組件顯示出更高的離子殘留物水平。導(dǎo)通電阻和接觸電阻測(cè)試系統(tǒng)用于新材料新技術(shù)的自動(dòng)評(píng)估測(cè)試及焊點(diǎn)可靠性故障分析研究。浙江...

產(chǎn)品可靠性系統(tǒng)解決方案1、可靠性試驗(yàn)方案定制2、可靠性企標(biāo)制定與輔導(dǎo)3、壽命評(píng)價(jià)及預(yù)估4、可靠性競(jìng)品分析5、產(chǎn)品評(píng)測(cè)6、器件質(zhì)量提升二、常規(guī)環(huán)境與可靠性項(xiàng)目檢測(cè)方法1、電子元器件環(huán)境可靠性高/低溫試驗(yàn)、溫濕度試驗(yàn)、交變濕熱試驗(yàn)、冷熱沖擊試驗(yàn)、快速溫度變化試驗(yàn)、鹽霧試驗(yàn)、低氣壓試驗(yàn)、高壓蒸煮（HAST）、CAF試驗(yàn)、氣體腐蝕試驗(yàn)、防塵防水/IP等級(jí)、UV/氙燈老化/太陽(yáng)輻射等。2、電子元器件機(jī)械可靠性振動(dòng)試驗(yàn)、沖擊試驗(yàn)、碰撞試驗(yàn)、跌落試驗(yàn)、三綜合試驗(yàn)、包裝運(yùn)輸試驗(yàn)/ISTA等級(jí)、疲勞壽命試驗(yàn)、插拔力試驗(yàn)。3、電氣性能可靠性耐電壓、擊穿電壓、絕緣電阻、表面電阻、體積電阻、介電強(qiáng)度、電阻率、導(dǎo)電率、...

表面絕緣電阻測(cè)試（SIR測(cè)試）根據(jù)IPC的定義，表面絕緣電阻(SIR)是在特定環(huán)境和電氣條件下確定的一對(duì)觸點(diǎn)、導(dǎo)體或接地設(shè)備之間的絕緣材料的電阻。在印刷電路板(PCB)和印刷電路組件(PCA)領(lǐng)域，SIR測(cè)試——通常也稱(chēng)為溫濕度偏差(THB)測(cè)試——用于評(píng)估產(chǎn)品或工藝的抗“通過(guò)電流泄漏或電氣短路（即樹(shù)枝狀生長(zhǎng)）導(dǎo)致故障”。SIR測(cè)試通常在升高的溫度和濕度條件下在制定 SIR 測(cè)試策略時(shí)，選擇用于測(cè)試的產(chǎn)品或過(guò)程將有助于確定**合適的 SIR 測(cè)試方法以及**適用的測(cè)試工具。一般而言，SIR 測(cè)試通常用于對(duì)助焊劑和/或清潔工藝進(jìn)行分類(lèi)、鑒定或比較。對(duì)于后者，SIR 測(cè)試通常用于評(píng)估一個(gè)人的“免清...

剖面結(jié)構(gòu)觀察通過(guò)SEM觀察失效電阻鑲樣的橫截面，如圖4所示。由圖4可發(fā)現(xiàn)：電阻一端外電極有一個(gè)明顯的腐蝕凹坑，這是由電化學(xué)反中陽(yáng)極溶解所產(chǎn)生的，腐蝕形態(tài)主要為點(diǎn)蝕。根據(jù)文獻(xiàn)[5]報(bào)道，在電解液中存在Cl-的電化學(xué)過(guò)程中，陽(yáng)極表面的鈍化膜易溶解于含Cl-的溶液中，或Cl-直接滲透陽(yáng)極表面的鈍化膜，造成鈍化膜開(kāi)裂或形成微孔誘發(fā)局部腐蝕，**終形成點(diǎn)蝕坑的腐蝕形貌。電化學(xué)遷移失效復(fù)現(xiàn)根據(jù)失效分析，得出離子、潮氣及電場(chǎng)為失效的敏感因子，故設(shè)計(jì)故障復(fù)現(xiàn)試驗(yàn)。將樣品分為兩組，1000h潮熱加電實(shí)驗(yàn)。廣州維柯GWHR-256 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：容錯(cuò)機(jī)制強(qiáng)：任何一組板卡發(fā)生故障不影響其它通道的正常測(cè)試。江蘇sir電阻...

CAF測(cè)試方法案例: 1、保持測(cè)試樣品無(wú)污染，做好標(biāo)記，用無(wú)污染手套移動(dòng)樣品。做好預(yù)先準(zhǔn)備，防止短路和開(kāi)路。清潔后連接導(dǎo)線，連接后再清潔。烘干，在105±2℃下烘烤6小時(shí)。進(jìn)行預(yù)處理，在中立環(huán)境下，保持23±2℃和50±5%的相對(duì)濕度至少24h。2、在該測(cè)試方法中相對(duì)濕度的嚴(yán)格控制是關(guān)鍵性的。5%的相對(duì)濕度偏差會(huì)造成電阻量測(cè)結(jié)果有0.5到1.0decade的偏差。在有偏置電壓加載的情況下，一旦水凝結(jié)在測(cè)試樣品表面，有可能會(huì)造成表面樹(shù)枝狀晶體的失效。當(dāng)某些烤箱的空氣循環(huán)是從后到前的時(shí)候，也可能發(fā)現(xiàn)水分。凝結(jié)在冷凝器窗口上的水有可能形成非常細(xì)小的水滴**終掉落在樣品表面上。這樣可能造成樹(shù)枝狀晶體...

設(shè)計(jì)特征和工藝驗(yàn)證對(duì)于準(zhǔn)備制造一個(gè)新的PCB組件非常關(guān)鍵。這將包括調(diào)查來(lái)料、開(kāi)發(fā)適當(dāng)?shù)暮附庸に噮?shù)、并**終敲定一個(gè)經(jīng)過(guò)很多步驟驗(yàn)證的典型的PCB組件。這將花費(fèi)比用于驗(yàn)證每個(gè)組裝過(guò)程多得多的時(shí)間。本文將重點(diǎn)討論工藝驗(yàn)證步驟中應(yīng)該進(jìn)行的測(cè)試。助焊劑特性測(cè)試IPC要求焊接用的所有助焊劑都按照J(rèn)-STD-004（目前在B版中)_進(jìn)行分類(lèi)。這份標(biāo)準(zhǔn)概述了助焊劑的基本性能要求和用于描述助焊劑在焊接過(guò)程中和組裝后在環(huán)境中與銅電路的反應(yīng)的行業(yè)標(biāo)測(cè)試方法。一旦經(jīng)過(guò)測(cè)試，就可以使用諸如“ROL0”之類(lèi)的代碼對(duì)助焊劑進(jìn)行分類(lèi)。該代碼表示助焊劑基礎(chǔ)成分、活性水平和鹵化物的存在。以ROL0為例，它表示：助焊劑是松香基...

銅鏡和銅板腐蝕測(cè)試了助焊劑或者助焊劑殘留物里面離子之間的反應(yīng)分別對(duì)電化學(xué)遷移的潛在影響。***，鹵化物含量測(cè)量表明了助焊劑中多少的離子來(lái)自鹵離子。需要注意的是這是有別于無(wú)鹵和低鹵助焊劑的要求。也需要提供附加測(cè)量值，比如助焊劑黏度、酸值固體物含量等根據(jù)J-STD-004定義的附加測(cè)試方法的測(cè)試結(jié)果。當(dāng)供應(yīng)商提供了助焊劑活性等級(jí)，相當(dāng)于給了工程師一個(gè)規(guī)格，這個(gè)規(guī)格定義了在標(biāo)準(zhǔn)條件下助焊劑的表現(xiàn)如何，這其中包括了指定的溫度循環(huán)和測(cè)試板。這有別于在特定設(shè)計(jì)和工藝中認(rèn)證助焊劑。某些助焊劑等級(jí)的測(cè)試方法可以修改，以適應(yīng)其設(shè)計(jì)特性。但是這些修改可能改變預(yù)期的結(jié)果，并且會(huì)影響到測(cè)試合格/失敗的極限。與其它方法...

為SAC305開(kāi)發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對(duì)相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長(zhǎng)冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所示的爐溫曲線是由一臺(tái)爐溫測(cè)試儀測(cè)試的回流爐的曲線，和由電偶測(cè)量的返工臺(tái)的曲線。返修工位曲線升溫時(shí)間更短，為了便于峰位和TAL的比較，對(duì)溫度曲線進(jìn)行了輕微的偏移。為SAC305開(kāi)發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對(duì)相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長(zhǎng)冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所...

何謂電化學(xué)遷移。金屬離子在電場(chǎng)的作用下，電路的陽(yáng)極和陰極之間會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)電信道產(chǎn)生電解腐蝕(Electrolytic Corrosion。樣式如樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)，造成不同區(qū)域的金屬互相連接，進(jìn)而導(dǎo)致電路短路。ECM現(xiàn)象好發(fā)于電路板上。造成電化學(xué)遷移(ECM)比較大因素造成ECM形成的比較大因素為「電解質(zhì)層形成」，電解質(zhì)層的形成會(huì)產(chǎn)生自由離子進(jìn)而增加導(dǎo)電率。而會(huì)加速電解質(zhì)層形成的原因大多為濕度、溫度、汗水、環(huán)境中的污染物、助焊劑化學(xué)物、板材材料、表面粗糙度…等因素，因此，如何預(yù)防電解質(zhì)層形成極為重要。PCB/PCBA絕緣失效分析導(dǎo)通電阻測(cè)試系統(tǒng)。陜西供應(yīng)電阻測(cè)試銷(xiāo)售廠家電阻測(cè)試表面絕緣電阻（SIR...