高頻加熱電源上、下橋臂的驅(qū)動(dòng)信號(hào)在這一高頻感應(yīng)加熱系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路中,除了要保障驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流要足夠大、內(nèi)阻應(yīng)盡可能小之外,還需要有效防止逆變橋上、下橋臂的直通短路。驅(qū)動(dòng)器本身在設(shè)計(jì)時(shí)要求具備較強(qiáng)的抗干擾能力,同時(shí)還需要保證電壓型逆變器兩臂先關(guān)斷后導(dǎo)通。因而,要求開通時(shí)刻應(yīng)滯后于關(guān)斷時(shí)刻,即存在一個(gè)死區(qū)時(shí)間。電壓型逆變器兩臂的開通的脈沖約滯后關(guān)斷時(shí)刻250ns,從而保證了足夠的死區(qū)時(shí)間。功率器件MOSFET除了存在輸入電容Ciss外,其漏2源及漏2柵極間都存在著寄生電容。同時(shí),逆變橋連接到各MOSFET及直流端與逆變橋間的連線都存在有寄生電感。高頻感應(yīng)加熱設(shè)備開機(jī)流程:10分鐘后在關(guān)閉冷卻水...
在完成了感應(yīng)加熱電源的鎖相環(huán)和相角鎖定設(shè)計(jì)后,接下來我們需要針對MOSFET驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行振蕩設(shè)計(jì),這將會(huì)直接關(guān)系到所設(shè)計(jì)出的新產(chǎn)品能否擁有穩(wěn)定的工作效率。在平時(shí)的應(yīng)用過程中,MOSFET常常會(huì)被用作電壓控制,但由于輸入電容Ciss的存在,而且由于目前功率器件MOSFET的功率容量不夠大,每個(gè)橋臂需多個(gè)管子并聯(lián),因此實(shí)際上我們所設(shè)計(jì)的高頻加熱系統(tǒng)要求驅(qū)動(dòng)電路有相當(dāng)大的驅(qū)動(dòng)能力。在這里我們以圖3為基礎(chǔ)的感應(yīng)加熱電源驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行適當(dāng)改進(jìn)后,在完成改進(jìn)設(shè)計(jì)后該系統(tǒng)能夠滿足大容量MOSFET驅(qū)動(dòng)的兩個(gè)基本要求,即脈沖前沿陡峭和觸發(fā)脈沖后沿來到時(shí)柵源電容上的電荷迅速泄放。在圖3所設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)電路中,V1為脈...