天津針座生產(chǎn)過(guò)程

針座分類針座從操作上來(lái)區(qū)分有：手動(dòng)針座、半自動(dòng)針座和全自動(dòng)針座。從功能上來(lái)區(qū)分有：溫控針座、真空針座（很低溫針座）、RF針座、LCD平板針座、霍爾效應(yīng)針座和表面電阻率針座。高精度針座：目前世界出貨量的型號(hào)吸收了新的工藝科技例如OTS，QPU和TTG相關(guān)技術(shù)，這種全新的高精度系統(tǒng)為下一代小型化的設(shè)計(jì)及多種測(cè)試條件提供保證。特性-近的位置對(duì)正系統(tǒng)（光學(xué)目標(biāo)對(duì)準(zhǔn)）OTS通過(guò)對(duì)照相機(jī)相對(duì)位置的測(cè)量來(lái)保證其位置的精度。這是非常引人注目的技術(shù)，來(lái)源于東京精密的度量技術(shù)。實(shí)現(xiàn)了以自己為參照的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。針座的維護(hù)與保養(yǎng)就顯得尤為重要。天津針座生產(chǎn)過(guò)程

針座是半導(dǎo)體（包括集成電路、分立器件、光電器件、傳感器）行業(yè)重要的檢測(cè)裝備之一，其普遍應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測(cè)量，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。針座用于晶圓加工之后、封裝工藝之前的 CP 測(cè)試環(huán)節(jié)，負(fù)責(zé)晶圓的輸送與定位，使晶圓上的晶粒依次與針座接觸并逐個(gè)測(cè)試。在半導(dǎo)體器件與集成電路制造工藝中，從單晶硅棒的制取到終器件制造的完成需經(jīng)過(guò)復(fù)雜的工序，可分為前道工序與后道工序，針座是檢測(cè)半導(dǎo)體芯片的電參數(shù)、光參數(shù)的關(guān)鍵設(shè)備。經(jīng)過(guò)檢測(cè)，針座將參數(shù)特性不符合要求的芯片記錄下來(lái)，在進(jìn)入后序工序前予以剔除，降低器件的制造成本。天津針座生產(chǎn)過(guò)程針座上有細(xì)小的金屬針座附著，通過(guò)降低針座高度或升高芯片的高度使之和芯片上的焊盤(pán)接觸。

如何判斷針座的好壞：1.可以用扎五點(diǎn)來(lái)判斷，即上中下左右，五點(diǎn)是否扎在壓點(diǎn)內(nèi)，且針跡清楚,又沒(méi)出氧化層,針跡圓而不長(zhǎng)且不開(kāi)叉.2.做接觸檢查,每根針與壓點(diǎn)接觸電阻是否小于0.5歐姆.3.通過(guò)看實(shí)際測(cè)試參數(shù)來(lái)判斷,針座與被測(cè)IC沒(méi)有接觸好，測(cè)試值接近于0?？傊僮鞴ぶ灰私饬酸樧收系闹饕颍?.針座氧化.2.針尖有異物(鋁粉，墨跡，塵埃).3.針尖高度差.4.針尖異常(開(kāi)裂，折斷，彎曲，破損)。.5.針尖磨平.6.針座沒(méi)焊好.7.背面有突起物，焊錫線頭.8.操作不當(dāng)。平時(shí)操作時(shí)應(yīng)注意:1.保護(hù)好針座,卡應(yīng)放到氮?dú)夤裰?2.做好針座的管理工作.3.規(guī)范操作,針尖不要碰傷任何東西。同時(shí)加強(qiáng)操作人員的技能培訓(xùn)。有利于提工作效率和提高質(zhì)量。

某些針尖位置低的扎傷AL層，對(duì)后續(xù)封裝壓焊有影響，使芯片與封裝后成品管腳焊接質(zhì)量差，容易引起短路.某些針尖壓痕太長(zhǎng)，超出PAD范圍，使PAD周圍的鋁線短路.所以平時(shí)我們操作時(shí)應(yīng)找準(zhǔn)接觸點(diǎn),把過(guò)行程設(shè)置為2～4MILS或70～100UM時(shí)，每個(gè)壓點(diǎn)都有很清楚的針跡，然后再把過(guò)行程設(shè)置為0時(shí)，看清楚每個(gè)壓點(diǎn)上都有輕輕的針跡，如果某些壓點(diǎn)上沒(méi)有針跡，就需要用鑷子把這根針壓下，如果某些壓點(diǎn)上針跡太重，而需要有鑷子把這根針往上抬一下，使針尖的高度差調(diào)在30UM以內(nèi)，然后做接觸檢查，每根針與壓點(diǎn)接觸電阻應(yīng)小于0.5歐姆，樣片/樣管測(cè)試是否OK，合格、失效管芯各測(cè)10遍，看重復(fù)性與穩(wěn)定性。針座故障有許多是對(duì)其維護(hù)保養(yǎng)不當(dāng)或盲目調(diào)整造成的。

觸點(diǎn)壓力的定義為針座頂端（測(cè)量單位為密耳或微米）施加到接觸區(qū)域的壓力（測(cè)量單位為克）。觸點(diǎn)壓力過(guò)高會(huì)損傷焊點(diǎn)。觸點(diǎn)壓力過(guò)低可能無(wú)法通過(guò)氧化層，因此產(chǎn)生不可靠的測(cè)試結(jié)果。針座是半導(dǎo)體行業(yè)、光電行業(yè)、集成電路以及封裝等行業(yè)的測(cè)試設(shè)備。針座主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)、光電行業(yè)、集成電路以及封裝的測(cè)試。普遍應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測(cè)量的研發(fā)，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。高剛性的硅片承載臺(tái)（四方型系統(tǒng)）為了有效的達(dá)到接觸位置的精度，硅片承載臺(tái)各部分的剛性一致是非常重要的，使用新的4軸機(jī)械轉(zhuǎn)換裝置（QPU），達(dá)到高剛性，高穩(wěn)定度的接觸。如果是不合格的芯片，打點(diǎn)器立刻對(duì)這個(gè)不合格的芯片打點(diǎn)?；葜荻喙δ茚樧鶆?chuàng)新服務(wù)

某些針尖壓痕太長(zhǎng)，超出PAD范圍，使PAD周圍的鋁線短路。天津針座生產(chǎn)過(guò)程

12英寸晶圓在結(jié)構(gòu)上具有更高的效率，以200mm工藝為例，在良率100%的情況下，可出88個(gè)完整的晶粒，理論上因方塊切割所造成的邊緣浪費(fèi)率為23%(約有20個(gè)晶粒因缺角破損而無(wú)法使用)；而若以300mm工藝進(jìn)行切割，則產(chǎn)出效率將更驚人，可產(chǎn)出193個(gè)完整的晶粒，會(huì)浪費(fèi)19%的晶圓面積(36個(gè)不完整晶粒)。此外，12英寸廠的規(guī)模經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)也不容小視；300mm的建廠成本與200mm的建廠成本比值約為1.5，而晶圓廠建廠成本與晶圓面積的比值卻少于2.25，這意味著只要多投入1.5倍的建廠成本，即可多生產(chǎn)2.25倍的晶粒！少少的邊際投入即可獲取的收益，約可節(jié)省33%的成本；如此高報(bào)酬的投資效益隨著技術(shù)的發(fā)展而讓人們受益。天津針座生產(chǎn)過(guò)程