西藏分立半導(dǎo)體模塊可控硅(晶閘管)ABB配套

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-06-11

從而實(shí)際強(qiáng)觸發(fā),加速了元件的導(dǎo)通,提高了耐電流上升率的能力。三、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)晶閘管是由三個(gè)P—N結(jié)組成的。每個(gè)結(jié)相當(dāng)于一個(gè)電容器。結(jié)電壓急劇變化時(shí),就有很大的位移電流流過(guò)元件,它等效于控制極觸發(fā)電流的作用??赡苁咕чl管誤導(dǎo)通。這就是普通晶閘管不能耐高電壓上升率的原因。為了有效防止上述誤導(dǎo)通現(xiàn)象發(fā)生,快速晶閘管采取了短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路。這樣一來(lái),即使電壓上升率較高,晶閘管的電流放大系數(shù)仍幾乎為零,不致使晶閘管誤導(dǎo)通。只是在電壓上升率進(jìn)一步提高,結(jié)電容位移電流進(jìn)一步增大,在短路點(diǎn)上產(chǎn)生電壓降足夠大時(shí),晶閘管才能導(dǎo)通。具有短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)的晶閘管,用控制極電流觸發(fā)時(shí),控制極電流首先也是從短路點(diǎn)流向陰極。只是當(dāng)控制極電流足夠大,在短路點(diǎn)電阻上的電壓降足夠大,PN結(jié)正偏導(dǎo)通電流時(shí),才同沒(méi)有短路發(fā)射結(jié)的元件一樣,可被觸發(fā)導(dǎo)通。因此,快速晶閘管的抗干擾能力較好??焖倬чl管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快。目前,已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏,關(guān)斷時(shí)間*為20微妙的大功率快速晶閘管,同時(shí)還做出了**高工作頻率可達(dá)幾十千赫茲供高頻逆變用的元件??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。西藏分立半導(dǎo)體模塊可控硅(晶閘管)ABB配套

它是用來(lái)讓信號(hào)在預(yù)置的電平范圍內(nèi),有選擇地傳輸一部分信號(hào)。大多數(shù)二極管都可作為限幅使用,但有些時(shí)候需要用到專門限幅二極管,如保護(hù)儀表時(shí)。[6](3)穩(wěn)壓電路在穩(wěn)壓電路中通常需要使用齊納二極管,它是一種利用特殊工藝制造的面結(jié)型硅把半導(dǎo)體二極管,這種特殊二極管雜質(zhì)濃度比較高,空間電荷區(qū)內(nèi)的電荷密度大,容易形成強(qiáng)電場(chǎng)。當(dāng)齊納二極管兩端反向電壓加到某一值,反向電流急增,產(chǎn)生反向擊穿。[6](4)變?nèi)蓦娐吩谧內(nèi)蓦娐分谐S米內(nèi)荻O管來(lái)實(shí)現(xiàn)電路的自動(dòng)頻率控制、調(diào)諧、調(diào)頻以及掃描振蕩等。[6]二極管工業(yè)產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)過(guò)多年來(lái)科學(xué)家們不懈努力,半導(dǎo)體二極管發(fā)光的應(yīng)用已逐步得到推廣,發(fā)光二極管廣應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品的指示燈、光纖通信用光源、各種儀表的指示器以及照明。發(fā)光二極管的很多特性是普通發(fā)光器件所無(wú)法比擬的,主要具有特點(diǎn)有:安全、高效率、環(huán)保、壽命長(zhǎng)、響應(yīng)快、體積小、結(jié)構(gòu)牢固。因此,發(fā)光二極管是一種符合綠色照明要求的光源。[6]發(fā)光二極管在很多領(lǐng)域得到普遍應(yīng)用,下面介紹幾點(diǎn)其主要應(yīng)用:(1)電子用品中的應(yīng)用發(fā)光二極管在電子用品中一般用作屏背光源或作顯示、照明應(yīng)用。西藏半導(dǎo)體igbt可控硅(晶閘管)starpowereurope原廠庫(kù)存上海寅涵智能原裝可關(guān)斷可控硅現(xiàn)貨;

1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下,可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時(shí),可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓,此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V。通常把UDRM與URRM中較小的一個(gè)數(shù)值標(biāo)作器件型號(hào)上的額定電壓。由于瞬時(shí)過(guò)電壓也會(huì)使晶閘管遭到破壞,因而在選用的時(shí)候,額定電壓一個(gè)應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2~3倍,作為安全系數(shù)。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標(biāo)準(zhǔn)散熱即全導(dǎo)通的條件下,晶閘管元件可以連續(xù)通過(guò)的工頻正弦半波電流(在一個(gè)周期內(nèi))的平均值,稱為額定通態(tài)平均電流IT,簡(jiǎn)稱額定電流。(4)維持電流IH在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路的條件下,維持元件繼續(xù)導(dǎo)通的**小電流稱為維持電流IH。一般為幾十毫安~一百多毫安,其數(shù)值與元件的溫度成反比,在120攝氏度時(shí)維持電流約為25攝氏度時(shí)的一半。當(dāng)晶閘管的正向電流小于這個(gè)電流時(shí),晶閘管將自動(dòng)關(guān)斷。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類型:晶閘管有多種類型,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用。

晶閘管(SCR)是一種半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。早在1956年,Moll等人就發(fā)表了這種開(kāi)關(guān)器件的理論基礎(chǔ)。盡管低功率器件在當(dāng)***關(guān)領(lǐng)域已基本銷聲匿跡,并被高壓雙極結(jié)型晶體管(BJT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等所取代,但它們?cè)谡淄呒?jí)開(kāi)關(guān)器件領(lǐng)域仍無(wú)可替代,例如2kA、1.2kV的SCR就被應(yīng)用于機(jī)車驅(qū)動(dòng)器中,或用來(lái)控制鋁材生產(chǎn)廠中的電爐等;

在修理電視機(jī)及各種電器設(shè)備時(shí),遇到元器件損壞應(yīng)該采用相同型號(hào)的元件進(jìn)行更換。但是,有時(shí)相同的元件手邊沒(méi)有,就要采用其他型號(hào)的進(jìn)行代換,這樣就要考慮到各方面的性能、參數(shù)、外形尺寸等,例如電視的里面的行輸出管,只要考慮耐壓、電流、功率一般是可以進(jìn)行代換的(行輸出管外觀尺寸幾乎相同),而且功率往往大一些更好。 控制極觸發(fā)電流(IGT),俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。

[4]二極管大整流電流大整流電流是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí),允許通過(guò)的大正向平均電流值,其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因?yàn)殡娏魍ㄟ^(guò)管子時(shí)會(huì)使管芯發(fā)熱,溫度上升,溫度超過(guò)容許限度(硅管為141℃左右,鍺管為90℃左右)時(shí),就會(huì)使管芯過(guò)熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下,二極管使用中不要超過(guò)二極管大整流電流值。[4]二極管高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時(shí),會(huì)將管子擊穿,失去單向?qū)щ娔芰?。為了保證使用安全,規(guī)定了高反向工作電壓值。[4]二極管檢測(cè)方法編輯二極管小功率晶體二極管1.判別正、負(fù)電極(1)觀察外殼上的符號(hào)標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號(hào),帶有三角形箭頭的一端為正極,另一端是負(fù)極。[7](2)觀察外殼上的色點(diǎn)。在點(diǎn)接觸二極管的外殼上,通常標(biāo)有極性色點(diǎn)(白色或紅色)。一般標(biāo)有色點(diǎn)的一端即為正極。還有的二極管上標(biāo)有色環(huán),帶色環(huán)的一端則為負(fù)極。[7](3)以阻值較小的一次測(cè)量為準(zhǔn),黑表筆所接的一端為正極,紅表筆所接的一端則為負(fù)極。(d)觀察二極管外殼,帶有銀色帶一端為負(fù)極。[7]2.檢測(cè)高反向擊穿電壓。對(duì)于交流電來(lái)說(shuō),因?yàn)椴粩嘧兓?,因此高反向工作電壓也就是二極管承受的交流峰值電壓。晶閘管為半控型電力電子器件。西藏半導(dǎo)體igbt可控硅(晶閘管)starpowereurope原廠庫(kù)存

按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。西藏分立半導(dǎo)體模塊可控硅(晶閘管)ABB配套

如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話,那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向,它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此,從電路功能上可以把它等效成圖3(c),也就是說(shuō),一個(gè)雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來(lái)等效的。這也正是雙向晶閘管為什么會(huì)有雙向控制導(dǎo)通特性的根本原因。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,必須在陽(yáng)極和陰極之間加上正向電壓,管子才能導(dǎo)通。對(duì)雙向晶閘管來(lái)說(shuō),無(wú)所謂陽(yáng)極和陰極。它的任何一個(gè)主電極,對(duì)圖3(b)中的兩個(gè)晶閘管管子來(lái)講,對(duì)一個(gè)管子是陽(yáng)極,對(duì)另一個(gè)管子就是陰極,反過(guò)來(lái)也一樣。因此,雙向晶閘管無(wú)論主電極加上的是正向或是反向電壓,它都能被觸發(fā)導(dǎo)通。不*如此,雙向晶閘管還有一個(gè)重要的特點(diǎn),這就是:不管觸發(fā)信號(hào)的極性如何,也就是不管所加的觸發(fā)信號(hào)電壓UG對(duì)T1是正向還是反向,雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通。雙向晶閘管的這個(gè)特點(diǎn)是普通晶閘管所沒(méi)有的??焖倬чl管普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因?yàn)槠骷膶?dǎo)通或關(guān)斷需要一定時(shí)間,同時(shí)陽(yáng)極電壓上升速度太快時(shí),會(huì)使元件誤導(dǎo)通;陽(yáng)極電流上升速度太快時(shí),會(huì)燒毀元件。西藏分立半導(dǎo)體模塊可控硅(晶閘管)ABB配套