具有單向?qū)щ娞匦裕枠OA與門極之間有兩個(gè)反極性串聯(lián)的PN結(jié)。因此，通過用萬用表的R×100或R×1kQ檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個(gè)電極。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個(gè)電極。若測量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極G，應(yīng)用同樣方法改測其他電極，直到找出三個(gè)電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細(xì)的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。晶閘管觸發(fā)能力檢測：對(duì)于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管，可用萬用表R×1檔測量。上海寅涵供應(yīng)全新MCO系列閘流晶體管模塊。陜西大功率igbt高壓可控硅（晶閘管）Infineon英飛凌全新原裝現(xiàn)貨
IGBT兩單元:SKM75GB128DSKM100GB128DSKM145GB128DSKM150GB128DSKM200GB128DSKM300GB128DGAL斬波：SKM145GAL128DSKM300GAL128DSKM400GAL128DGAR斬波：SKM145GAR128DSKM400GAR128D1700V西門康IGBT模塊GA一單元:SKM400GA173DSKM400GA173D1SGB兩單元:SKM75GB173DSKM150GB173DSKM200GB173DSKM200GB173D1GB兩單元:SKM75GB176DSKM100GB176DSKM145GB176DSKM200GB176DSKM400GB176DGAL斬波：SKM145GAL176DSKM200GAL176DSKM400GAL176D：IGBT功率模塊/IGBT智能模塊廣西脈沖可控硅（晶閘管）SCR系列寅涵供應(yīng)原裝igbt芯片可控硅驅(qū)動(dòng)模塊；
晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽極，陰極和控制極；晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。工作原理晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽極電壓時(shí)，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽極電壓時(shí)，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導(dǎo)通，即晶閘管導(dǎo)通后，門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷。
在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性.它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài).可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此功率，因元件開關(guān)損耗增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用.可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如:以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音;效率高，成本低等等.可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通.要使晶閘管導(dǎo)通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后，松開按鈕開關(guān)，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。原裝全新可控硅IXYS上海寅涵智能科技；
三相晶閘管觸發(fā)板是以高級(jí)工業(yè)級(jí)單片機(jī)為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)板，并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。中文名三相晶閘管觸發(fā)板外文名Three-phasethyristortriggerboard適應(yīng)適應(yīng)不同性質(zhì)負(fù)載電壓5V～380V目錄1三相晶閘管觸發(fā)板2種高性能PID方案?適用電路?正常使用條件?工作原理?技術(shù)參數(shù)3三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板編輯使用靈活,安裝簡便。電源用變壓器，性能穩(wěn)定可靠。三相同步方案,定制可適應(yīng)交流5V～380V各種同步電壓。三相晶閘管觸發(fā)板種高性能PID方案編輯適應(yīng)不同性質(zhì)負(fù)載，控制精度高，動(dòng)態(tài)特性好。全數(shù)字觸發(fā)，脈沖不對(duì)稱度≤°,用脈沖變壓器觸發(fā),脈沖前沿陡度≤。功能、參數(shù)設(shè)定采用按鍵操作，故障、報(bào)警、界面采用LED數(shù)碼管顯示，操作方便，顯示直觀。本控制板的所有控制參數(shù)均為數(shù)字量，無溫度漂移變化，運(yùn)行穩(wěn)定、工作可靠。強(qiáng)抗干擾能力，采用獨(dú)特措施，惡劣干擾環(huán)境正常運(yùn)行。通用性強(qiáng)，適用范圍寬，控制板適應(yīng)任何主電路，任何性質(zhì)負(fù)載。手動(dòng)、自動(dòng);穩(wěn)流、穩(wěn)壓;電位器控制、儀表控制可任意選擇和切換。三相晶閘管數(shù)控板直接觸發(fā)六個(gè)10000A以內(nèi)的晶閘管元件的設(shè)備，外接脈沖功放板。可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。云南脈沖可控硅（晶閘管）Infineon全新原裝
這類應(yīng)用一般多應(yīng)用在電力試驗(yàn)設(shè)備上，通過變壓器，調(diào)整晶閘管的導(dǎo)通角輸出一個(gè)可調(diào)的直流電壓。陜西大功率igbt高壓可控硅（晶閘管）Infineon英飛凌全新原裝現(xiàn)貨
晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點(diǎn)三相交流模塊輸出對(duì)稱性好等優(yōu)點(diǎn)功耗低，效率高等適用溫度-25℃～+45℃目錄1模塊特點(diǎn)2模塊規(guī)格3注意事項(xiàng)4模塊參數(shù)晶閘管智能模塊模塊特點(diǎn)編輯（1）本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路，實(shí)現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控作用。（2）采用進(jìn)口方形芯片，模塊壓降小、功耗低，效率高；采用進(jìn)口貼片元件，保證觸發(fā)控制電路的可靠性；采用（DCB）陶瓷覆銅板，導(dǎo)熱性能好，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國家標(biāo)準(zhǔn)近10倍；采用高級(jí)導(dǎo)熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優(yōu)良。（3）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱底板相互隔離，導(dǎo)熱底板不帶電，絕緣強(qiáng)度≥2500V（RMS），保證人身安全。（4）三相交流模塊輸出對(duì)稱性好，直流分量小。大規(guī)格模塊具有過熱、過流、缺相保護(hù)作用。（5）輸入0～10V直流控制信號(hào)或0～5V直流控制信號(hào)、4～20mA儀表信號(hào)，均可實(shí)現(xiàn)對(duì)主電路輸出電壓進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)；可手動(dòng)、儀表或微機(jī)控制。（6）適用于阻性和感性負(fù)載。陜西大功率igbt高壓可控硅（晶閘管）Infineon英飛凌全新原裝現(xiàn)貨