PNCR脫硝系統(tǒng)噴槍堵塞故障深度剖析與應(yīng)對策略
PNCR脫硝系統(tǒng)噴槍堵塞故障排查及優(yōu)化策略
PNCR脫硝技術(shù)的煙氣適應(yīng)性深度分析:靈活應(yīng)對成分波動的挑戰(zhàn)
PNCR脫硝技術(shù)的煙氣適應(yīng)性深度剖析:靈活應(yīng)對成分波動的挑戰(zhàn)
PNCR脫硝技術(shù)的煙氣適應(yīng)性分析:應(yīng)對成分波動的挑戰(zhàn)
PNCR脫硝技術(shù):靈活應(yīng)對煙氣成分波動的性能分析
PNCR脫硝技術(shù)應(yīng)對煙氣成分波動的適應(yīng)性分析
高分子脫硝劑輸送系統(tǒng)堵塞預(yù)防與維護策略
PNCR脫硝系統(tǒng)智能化控制系統(tǒng)升級需求
PNCR脫硝系統(tǒng):高效環(huán)保的煙氣凈化技術(shù)
DDR測試
要注意的是,由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片,所以DDR的信號質(zhì)量測試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時涉及這兩類芯片的測試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號質(zhì)量的要求,因此DDR的自動測試軟件也只對這一側(cè)的信號質(zhì)量進行測試。對于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號質(zhì)量來說,不同控制器芯片廠商有不同的要求,目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范,因此其信號質(zhì)量的測試還只能使用手動的方法。這時用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測試點,并借助合適的信號讀/寫分離手段來進行手動測試。 DDR的信號探測技術(shù)方法;設(shè)備DDR測試方案
如何測試DDR?
DDR測試有具有不同要求的兩個方面:芯片級測試DDR芯片測試既在初期晶片階段也在封裝階段進行。采用的測試儀通常是內(nèi)存自動測試設(shè)備,其價值一般在數(shù)百萬美元以上。測試儀的部分是一臺可編程的高分辨信號發(fā)生器。測試工程師通過編程來模擬實際工作環(huán)境;另外,他也可以對計時脈沖邊沿前后進行微調(diào)來尋找平衡點。自動測試儀(ATE)系統(tǒng)也存在缺陷。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機內(nèi)存和算法生成程序。由于映象隨機內(nèi)存深度的局限性,使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù)。因為DDR帶寬和速度是普通SDR的二倍,所以波形變化也應(yīng)是其二倍。因此,測試儀的映象隨機內(nèi)存容量會很快被消耗殆盡。為此,要保證一定的測試分辨率,就必須增大測試儀的內(nèi)存。建立測試頭也是一個棘手的問題。因為DDR內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取窗口有1—2ns,所以管腳驅(qū)動器的上升和下降時間非常關(guān)鍵。為保證在數(shù)據(jù)眼中心進行信號轉(zhuǎn)換,需要較好的管腳驅(qū)動器轉(zhuǎn)向速度。在頻率為266MHz時,開始出現(xiàn)傳輸線反射。設(shè)計工程師發(fā)現(xiàn)在設(shè)計測試平臺時必須遵循直線律。為保證信號的統(tǒng)一性,必須對測試頭布局進行傳輸線模擬。管腳驅(qū)動器強度必須能比較大限度降低高頻信號反射。 設(shè)備DDR測試方案DDR測試眼圖測試時序測試抖動測試;
14.在本發(fā)明的一個實施例中,所述相關(guān)信號包括dqs信號、clk信號和dq信號,所述標(biāo)志信號為dqs信號。15.在本發(fā)明的一個實施例中,所述根據(jù)標(biāo)志信號對示波器進行相關(guān)參數(shù)配置,具體包括:16.利用示波器分別采集標(biāo)志信號在數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)寫入過程中的電平幅值;17.對標(biāo)志信號在數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)寫入過程中的電平幅值進行比較,確定標(biāo)志信號的電平閾值;18.在示波器中配置標(biāo)志信號的電平閾值。19.在本發(fā)明的一個實施例中,所述利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的讀寫信號進行信號分離,具體包括:20.將標(biāo)志信號的實時電平幅值與標(biāo)志信號的電平閾值進行比較;21.將大于電平閾值的標(biāo)志信號和小于電平閾值的標(biāo)志信號分別進行信號的分離,得到數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)寫入過程中的標(biāo)志信號。
DDR測試
DDR5的接收端容限測試
前面我們在介紹USB3.0、PCIe等高速串行總線的測試時提到過很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器,因此需要進行接收容限的測試以驗證接收均衡器和CDR在惡劣信號下的表現(xiàn)。對于DDR來說,DDR4及之前的總線接收端還相對比較簡單,只是做一些匹配、時延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時代(圖5.19),由于信號速率更高,因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變增益調(diào)整以及均衡器技術(shù),這也使得DDR5測試中必須關(guān)注接收均衡器的影響,這是之前的DDR測試中不曾涉及的。 DDR4信號質(zhì)量自動測試軟件;
DDR測試
主要的DDR相關(guān)規(guī)范,對發(fā)布時間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預(yù)取長度、端接、接收機均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細(xì)對比。可以看出DDR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進,同時也在逐漸采用更先進的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來實現(xiàn)這些目標(biāo)。以DDR5為例,相 對于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進,比如在接收機內(nèi)部有均衡器補償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓(xùn)練優(yōu)化信號時序、支持總線反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測等。 DDR有那些測試解決方案;設(shè)備DDR測試方案
DDR協(xié)議檢查后生成的測試報告;設(shè)備DDR測試方案
DDR測試
什么是DDR?
DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態(tài)隨機內(nèi)存(DRAM)非常相象。普通同步DRAM(現(xiàn)在被稱為SDR)與標(biāo)準(zhǔn)DRAM有所不同。標(biāo)準(zhǔn)的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為節(jié)省輸入管腳,采用了復(fù)用方式。地址字由行地址選通(RAS)鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后,列地址選通(CAS)鎖存第二地址字。經(jīng)過RAS和CAS,存儲的數(shù)據(jù)可以被讀取。同步動態(tài)隨機內(nèi)存(SDRDRAM)將時鐘與標(biāo)準(zhǔn)DRAM結(jié)合,RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據(jù)時鐘指示,可以預(yù)測數(shù)據(jù)和其它信號的位置。因而,數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計性,所以可將內(nèi)存劃分成4個組進行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取。通過突發(fā)模式,可進行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù)RAS選通。連續(xù)CAS選通可對來自相同行的數(shù)據(jù)進行讀取。 設(shè)備DDR測試方案