石家莊中規(guī)模集成電路技術(shù)

    分別包括配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的工作mtj器件和配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置。調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置包括連接至工作mtj器件的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件連接在多條字線wl至wl的條和多條偏置電壓線bvl至bvl的條之間。調(diào)節(jié)mtj器件連接在多條位線bl至bl的條和多條偏置電壓線bvl至bvl的條之間。工作mtj器件連接在多條偏置電壓線bvl至bvl的條和多條位線bl至bl的條之間。在操作期間，位線解碼器被配置為選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條位線bl至bl，并且字線解碼器被配置為選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條字線wl至wl和一條或多條偏置電壓線bvl至bvl。施加的信號(hào)使得調(diào)節(jié)mtj器件內(nèi)的電流基于提供給存儲(chǔ)器陣列的整個(gè)列的電壓而產(chǎn)生。而將調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置連接至位線bl使得調(diào)節(jié)mtj器件內(nèi)的電流基于提供給存儲(chǔ)器陣列的整個(gè)行的電壓而產(chǎn)生。將調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置連接至在不同方向上延伸的位線和字線允許改進(jìn)存儲(chǔ)器陣列的存儲(chǔ)單元之間的隔離。圖b示出了對(duì)應(yīng)于圖a的存儲(chǔ)器電路的集成電路的一些額外實(shí)施例的截面圖。圖a至圖b示出了包括存儲(chǔ)器電路的集成芯片的一些額外實(shí)施例，該存儲(chǔ)器電路具有被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置。從進(jìn)口情況來(lái)看，集成電路行業(yè)已成為我國(guó)進(jìn)口依賴程度較高的行業(yè)之一。石家莊中規(guī)模集成電路技術(shù)

    mram單元)的尺寸，因?yàn)樵摮叽绮辉偃Q于驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸。出了具有調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的存儲(chǔ)器電路的一些實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。存儲(chǔ)器電路包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,的存儲(chǔ)器陣列。多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,以行和/或列布置在存儲(chǔ)器陣列內(nèi)。例如，行存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)單元a,和a,，而列存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)單元a,和b,。在一些實(shí)施例中，多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,可以包括多個(gè)mram單元。多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,(例如，mram單元)分別包括連接至調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的工作mtj器件。工作mtj器件包括磁隧道結(jié)(mtj)，磁隧道結(jié)(mtj)具有通過(guò)介電遂穿阻擋層a與自由層a分隔開(kāi)的固定層a。固定層a具有固定的磁向，而自由層a具有可以在操作期間(通過(guò)隧道磁阻(tmr)效應(yīng))改變?yōu)橄鄬?duì)于固定層a的磁向平行(即，“p”狀態(tài))或反向平行(即，“ap”狀態(tài))的磁向。固定層a和自由層a的磁向之間的關(guān)系限定了mtj的電阻狀態(tài)，并且從而使得多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,能夠分別存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)，數(shù)據(jù)狀態(tài)具有基于存儲(chǔ)單元內(nèi)的工作mtj器件的電阻的值。例如，如果工作mtj器件a,具有低電阻狀態(tài)，則存儲(chǔ)單元a,將存儲(chǔ)位值(例如，邏輯“”)，或者如果工作mtj器件a,具有高電阻狀態(tài)，則存儲(chǔ)單元a,將存儲(chǔ)位值。廣東雙列直插型集成電路選哪家集成電路行業(yè)主要上市公司：韋爾股份(603501)、中芯國(guó)際(688981)、長(zhǎng)電科技(600584)等。

    內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。然而，電流i的兩倍小于切換電流isw，使得沒(méi)有將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入至存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件。圖c示出了示出從工作mtj器件讀取數(shù)據(jù)狀態(tài)的讀取操作的示意圖的一些實(shí)施例。如示意圖所示，通過(guò)將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，對(duì)存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件實(shí)施讀取操作。非零偏置電壓v將使得讀取電流ir通過(guò)存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件。通過(guò)工作mtj器件的讀取電流ir具有取決于工作mtj器件的電阻狀態(tài)的值。例如，工作mtj器件處于低電阻狀態(tài)(例如，存儲(chǔ)邏輯“”)時(shí)的讀取電流ir將大于工作mtj器件處于高電阻狀態(tài)(例如，存儲(chǔ)邏輯“”)的讀取電流ir。在一些實(shí)施例中，位線解碼器可以包括多路復(fù)用器，多路復(fù)用器被配置為確定存儲(chǔ)器陣列的期望輸出。多路復(fù)用器被配置為將來(lái)自存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件的讀取電流ir選擇性地提供給感測(cè)放大器，感測(cè)放大器被配置為比較ir與由電流源產(chǎn)生的參考電流iref，以確定存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件中的數(shù)據(jù)狀態(tài)。圖a示出了對(duì)應(yīng)于圖的存儲(chǔ)器陣列的集成芯片的一些實(shí)施例的截面圖。集成芯片包括布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)。介電結(jié)構(gòu)圍繞存儲(chǔ)單元a,和存儲(chǔ)單元b,，存儲(chǔ)單元b,鄰近于存儲(chǔ)單元a,橫向定位。

    然后在開(kāi)口內(nèi)沉積導(dǎo)電材料(例如，銅和/或鋁)，以及隨后的平坦化工藝(例如，化學(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成互連層b。的截面圖所示，可以在存儲(chǔ)單元a,上方形成存儲(chǔ)單元b,。存儲(chǔ)單元b?？梢园üぷ鱩tj器件和調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置，調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置具有形成在第三互連層c和第四互連層d之間的調(diào)節(jié)mtj器件和。存儲(chǔ)單元b,可以根據(jù)與關(guān)于圖至圖描述的那些類似的步驟形成。出了形成具有存儲(chǔ)器電路的集成芯片的方法的一些實(shí)施例的流程圖，該存儲(chǔ)器電路包括具有調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)，該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。雖然方法示出和描述為一系列步驟或事件，但是應(yīng)該理解，這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發(fā)生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時(shí)發(fā)生。此外，可能不是所有示出的步驟對(duì)于實(shí)施此處描述的一個(gè)或多個(gè)方面或?qū)嵤├际切枰?，并且此處描述的一個(gè)或多個(gè)步驟可以在一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的步驟和/或階段中實(shí)施。在步驟中，在襯底上方形成互連層?；ミB層可以形成在襯底上方的ild層內(nèi)。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中。好的渠道商深圳市美信美科技有限公司，只做原裝進(jìn)口集成電路。

    內(nèi)的工作mtj器件不受寫(xiě)入操作的步驟的影響，因?yàn)榉橇闫秒妷簐(例如。v)和第四非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過(guò)存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。然而，電流i的兩倍小于切換電流isw，因此沒(méi)有將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入至存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件。類似地，連接至字線wl和wl的工作mtj器件也不受寫(xiě)入操作的步驟的影響。b的示意圖所示，通過(guò)將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列的行中的存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件來(lái)實(shí)施寫(xiě)入操作的步驟。通過(guò)將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl并且將第三偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來(lái)實(shí)施寫(xiě)入操作的步驟。非零偏置電壓v(例如，v)和第三偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過(guò)存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。電流i小于切換電流isw，使得存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的狀態(tài)不變。然而，電流i(其流過(guò)存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件)的兩倍大于切換電流isw，以將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件。存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件不受寫(xiě)入操作的步驟的影響，因?yàn)榉橇闫秒妷簐(例如，v)和非零偏置電壓v。例如，v)之間的差異使得小于切換電流的電流i流過(guò)存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a。中國(guó)集成電路是世界上少有的具有設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、裝備和材料五大板塊齊整的產(chǎn)業(yè)。長(zhǎng)春大規(guī)模集成電路引腳

集成電路哪家好？深圳美信美好！石家莊中規(guī)模集成電路技術(shù)

    本公司主營(yíng)推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù)，誠(chéng)信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系，為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)?？稍诟鱾€(gè)實(shí)施例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。而且，為便于描述。在此可以使用諸如“且，為便于描述，在此可以使用諸如個(gè)實(shí)施例和和布置的具體實(shí)例等空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，以描述所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)原件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)度或在其它方位上)，而本文使用的空間相對(duì)描述符可以同樣地做出相應(yīng)的解釋。磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)單元包括垂直布置在導(dǎo)電電極之間的磁隧道結(jié)(mtj)。mtj包括通過(guò)隧穿阻擋層與自由層分隔開(kāi)的固定層。固定層的磁取向是靜態(tài)的(即，固定的)。石家莊中規(guī)模集成電路技術(shù)