mram單元)的尺寸，因為該尺寸不再取決于驅(qū)動晶體管的尺寸。出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些實施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。存儲器電路包括具有多個存儲單元a,至b,的存儲器陣列。多個存儲單元a,至b,以行和/或列布置在存儲器陣列內(nèi)。例如，行存儲單元包括存儲單元a,和a,，而列存儲單元包括存儲單元a,和b,。在一些實施例中，多個存儲單元a,至b,可以包括多個mram單元。多個存儲單元a,至b,(例如，mram單元)分別包括連接至調(diào)節(jié)訪問裝置的工作mtj器件。工作mtj器件包括磁隧道結(jié)(mtj)，磁隧道結(jié)(mtj)具有通過介電遂穿阻擋層a與自由層a分隔開的固定層a。固定層a具有固定的磁向，而自由層a具有可以在操作期間(通過隧道磁阻(tmr)效應(yīng))改變?yōu)橄鄬τ诠潭▽觓的磁向平行(即，“p”狀態(tài))或反向平行(即，“ap”狀態(tài))的磁向。固定層a和自由層a的磁向之間的關(guān)系限定了mtj的電阻狀態(tài)，并且從而使得多個存儲單元a,至b,能夠分別存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)，數(shù)據(jù)狀態(tài)具有基于存儲單元內(nèi)的工作mtj器件的電阻的值。例如，如果工作mtj器件a,具有低電阻狀態(tài)，則存儲單元a,將存儲位值(例如，邏輯“”)，或者如果工作mtj器件a,具有高電阻狀態(tài)，則存儲單元a,將存儲位值。在摩爾定律的推動下，集成電路產(chǎn)品的加工面積成倍縮小，復雜程度與日俱增，集成電路設(shè)計的重要性愈發(fā)突出。集成電路
介電結(jié)構(gòu)還圍繞多個導電互連層a至c。在一些實施例中，介電結(jié)構(gòu)可以包括多個堆疊的ild層。在各個實施例中，多個堆疊的ild層可以包括氧化硅、氟摻雜的氧化硅、碳摻雜的氧化硅等的一種或多種。在各個實施例中，多個導電互連層a至c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲單元a,和存儲單元b,分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件。調(diào)節(jié)訪問裝置連接至限定多條字線wl至wl的互連層a。多條字線wl至wl中的兩個連接至圖的存儲器陣列的一行內(nèi)的相應(yīng)存儲單元。例如，字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元a,，并且字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元b,。在一些實施例中，多條字線wl至wl可以與襯底分隔開非零距離d?；ミB層b布置在調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件之間。工作mtj器件進一步連接至限定位線bl的第三互連層c。位線bl連接至布置在存儲器陣列的一列內(nèi)的存儲單元內(nèi)的工作mtj器件。例如，位線bl連接至圖的存儲器陣列的列內(nèi)的工作mtj器件。在一些實施例中，工作mtj器件通過包括多個導電互連層a至c并且不延伸穿過襯底的連續(xù)導電路徑連接在位線blz(z＝,)和字線wlx(x＝,)之間。在一些實施例中，工作mtj器件不位于被配置為控制對工作mtj器件的訪問的存取晶體管器件正上方。在一些實施例中。長春混合集成電路測試隨著集成電路的發(fā)展，其在現(xiàn)代各種行業(yè)的作用越來越重要。
每個系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統(tǒng)板相對地放置在一起時，每個系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關(guān)的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應(yīng)當認識到的是，所公開的技術(shù)可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個或多個系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個或多個元素/部件。圖1是系統(tǒng)100的關(guān)系圖，在該系統(tǒng)中可以實施不同實施例。系統(tǒng)100包括計算部件120，所述計算部件包括處理器104和存儲器106。存儲器106包括多個雙列直插式存儲模塊組件108。系統(tǒng)100還包括冷卻回路。所述冷卻回路包括泵110、熱交換器112和儲液器114。泵110將冷卻液體130提供給雙列直插式存儲模塊組件108。由雙列直插式存儲模塊組件108產(chǎn)生的熱量被傳送給液體，加熱液體并且冷卻雙列直插式存儲模塊組件108。泵110將被加熱的液體132從雙列直插式存儲模塊組件108移除。熱交換器112冷卻被加熱的液體132。儲液器114適應(yīng)液體體積的改變。
所述印刷電路板具有布置在印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座中的連接側(cè)；安裝在印刷電路板上的一個或多個集成電路。與集成電路熱耦聯(lián)的第二熱接口材料層6；以及與第二熱接口材料層6熱耦聯(lián)的能夠移除的散熱器，所述散熱器具有越過印刷電路板的與連接側(cè)相對的側(cè)延伸的頂表面。在6處，將兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起，使得所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸，并且與該熱接口材料層熱耦聯(lián)。在處，流程包括將每個冷卻管6的端部耦聯(lián)至分流管66a，以及將每個冷卻管6的第二端部耦聯(lián)至第二分流管66b。在處，流程包括將泵、熱交換器和儲液器與分流管66a和第二分流管66b流體流通地耦聯(lián)。流程包括操作泵以將液體傳送通過各冷卻管6。如深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本文所使用的?，F(xiàn)貨商深圳市美信美科技有限公司，只做原裝進口集成電路。
然后在開口內(nèi)沉積導電材料(例如，銅和/或鋁)，以及隨后的平坦化工藝(例如，化學機械平坦化工藝)以形成互連層b。的截面圖所示，可以在存儲單元a,上方形成存儲單元b,。存儲單元b?？梢园üぷ鱩tj器件和調(diào)節(jié)訪問裝置，調(diào)節(jié)訪問裝置具有形成在第三互連層c和第四互連層d之間的調(diào)節(jié)mtj器件和。存儲單元b,可以根據(jù)與關(guān)于圖至圖描述的那些類似的步驟形成。出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法示出和描述為一系列步驟或事件，但是應(yīng)該理解，這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發(fā)生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時發(fā)生。此外，可能不是所有示出的步驟對于實施此處描述的一個或多個方面或?qū)嵤├际切枰?，并且此處描述的一個或多個步驟可以在一個或多個單獨的步驟和/或階段中實施。在步驟中，在襯底上方形成互連層?；ミB層可以形成在襯底上方的ild層內(nèi)。出了對應(yīng)于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中。深圳美信美集成電路品質(zhì)棒棒的?；葜菥薮笠?guī)模集成電路器件
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熱接口材料6a、6b的層熱耦聯(lián)至集成電路。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他的熱接口材料，例如，使用諸如導熱膏及類似物。在所描繪的實施例中，具有一對側(cè)板a、b的能夠移除的散熱器與熱接口材料6a、6b的層物理接觸，并且因此所述散熱器熱耦聯(lián)至所述熱接口材料6a、6b。側(cè)板a、b可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料來形成側(cè)板a、b，例如，使用諸如不銹鋼或類似物來形成側(cè)板。為了降造成本，側(cè)板a、b可以是相同的。能夠移除的一個或多個彈性夾a、b、c、d可以定位在側(cè)板a、b周圍，以將側(cè)板壓靠在熱接口材料6a、6b上，以確保合適的熱耦聯(lián)。圖示出了圖的雙列直插式存儲模塊組件的一側(cè)的視圖。圖示出了印刷電路板、集成電路a、b、熱接口材料6a、6b的層、散熱器板a、b以及彈性夾a、b、c。所公開的技術(shù)的特別值得注意的特征包括散熱器板的頂表面。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。集成電路