每個系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統(tǒng)板相對地放置在一起時，每個系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關(guān)的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應(yīng)當認識到的是，所公開的技術(shù)可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個或多個系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個或多個元素/部件。圖1是系統(tǒng)100的關(guān)系圖，在該系統(tǒng)中可以實施不同實施例。系統(tǒng)100包括計算部件120，所述計算部件包括處理器104和存儲器106。存儲器106包括多個雙列直插式存儲模塊組件108。系統(tǒng)100還包括冷卻回路。所述冷卻回路包括泵110、熱交換器112和儲液器114。泵110將冷卻液體130提供給雙列直插式存儲模塊組件108。由雙列直插式存儲模塊組件108產(chǎn)生的熱量被傳送給液體，加熱液體并且冷卻雙列直插式存儲模塊組件108。泵110將被加熱的液體132從雙列直插式存儲模塊組件108移除。熱交換器112冷卻被加熱的液體132。儲液器114適應(yīng)液體體積的改變。深圳有哪家集成電路現(xiàn)貨商？深圳美信美科技有限公司。上海大規(guī)模集成電路封裝
可以對磁固定膜、介電阻擋層和磁自由膜實施一個或多個圖案化工藝以限定多個mtj器件、和。在其它實施例中，可以在不同時間形成多個mtj器件、和。的截面圖所示，在多個mtj器件、和上方形成多個頂電極通孔。多個頂電極通孔由ild層圍繞。在一些實施例中?？梢栽诙鄠€mtj器件、和上方沉積ild層，并且然后選擇性地圖案化ild層以限定頂電極通孔開口。然后通過沉積工藝在頂電極通孔開口內(nèi)形成多個頂電極通孔。在各個實施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在各個實施例中，多個頂電極通孔可以包括導電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個mtj器件、和上方的第三ild層內(nèi)形成互連層b。在一些實施例中，互連層b包括限定存儲單元a,的位線bl和一條或多條字線wl至wl的多個互連結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，第三ild層可以包括通過一個或多個沉積工藝(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的電介質(zhì)(例如，氧化物、低k電介質(zhì)或k電介質(zhì))?？梢酝ㄟ^選擇性地蝕刻第三ild層以在第三ild層內(nèi)形成開口來形成互連層b。然后在開口內(nèi)沉積導電材料(例如，銅和/或鋁)，以及隨后的平坦化工藝(例如。上海半導體集成電路芯片美信美科技是公認的好的供貨商。
圖a示出了具有以行和列布置的多個存儲單元a,至c,的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖。多個存儲單元a,至c,分別包括配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件和配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。調(diào)節(jié)訪問裝置包括連接至工作mtj器件的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件連接在多條字線wl至wl的條和多條偏置電壓線bvl至bvl的條之間。調(diào)節(jié)mtj器件連接在多條位線bl至bl的條和多條偏置電壓線bvl至bvl的條之間。工作mtj器件連接在多條偏置電壓線bvl至bvl的條和多條位線bl至bl的條之間。在操作期間，位線解碼器被配置為選擇性地將信號施加至一條或多條位線bl至bl，并且字線解碼器被配置為選擇性地將信號施加至一條或多條字線wl至wl和一條或多條偏置電壓線bvl至bvl。施加的信號使得調(diào)節(jié)mtj器件內(nèi)的電流基于提供給存儲器陣列的整個列的電壓而產(chǎn)生。而將調(diào)節(jié)訪問裝置連接至位線bl使得調(diào)節(jié)mtj器件內(nèi)的電流基于提供給存儲器陣列的整個行的電壓而產(chǎn)生。將調(diào)節(jié)訪問裝置連接至在不同方向上延伸的位線和字線允許改進存儲器陣列的存儲單元之間的隔離。圖b示出了對應(yīng)于圖a的存儲器電路的集成電路的一些額外實施例的截面圖。
調(diào)節(jié)mtj器件的尺寸賦予調(diào)節(jié)mtj器件更大的切換電流，這可以允許更大的電流。在一些實施例中，工作mtj器件具有與尺寸和尺寸不同的第三尺寸(例如，第三寬度w)。圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。圖a示出了具有以行和列布置的多個存儲單元a,至c,的存儲器電路的示意圖。多個存儲單元a,至c,分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件和被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。調(diào)節(jié)訪問裝置包括連接在字線wlx(x＝,,)和偏置電壓線bvly(y＝,。)之間的調(diào)節(jié)mtj器件。工作mtj器件連接在偏置電壓線bvly(y＝,,)和位線blz(z＝,,)之間。多個存儲單元a,至c,連接至控制電路?？刂齐娐钒ū慌渲脼檫x擇性地將信號施加至一條或多條位線blz的位線解碼器、被配置為選擇性地將信號施加至一條或多條字線wlx的字線解碼器以及被配置為選擇性地將信號施加至一條或多條偏置電壓線bvly的偏置電路。在一些實施例中。字線解碼器和偏置電路可以包括相同的電路元件(即，字線解碼器可以將信號施加至偏置電壓線bvly)。在操作期間，為了訪問工作mtj器件。靠譜集成電路，深圳美信美科技只做原裝現(xiàn)貨。
多個導電互連層a至c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲單元a,和存儲單元b,分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件。調(diào)節(jié)訪問裝置連接至限定多條字線wl至wl的互連層a。多條字線wl至wl中的兩個連接至圖的存儲器陣列的一行內(nèi)的相應(yīng)存儲單元。例如，字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元a,，并且字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元b,。在一些實施例中，多條字線wl至wl可以與襯底分隔開非零距離d?；ミB層b布置在調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件之間。工作mtj器件進一步連接至限定位線bl的第三互連層c。位線bl連接至布置在存儲器陣列的一列內(nèi)的存儲單元內(nèi)的工作mtj器件。例如。位線bl連接至圖的存儲器陣列的列內(nèi)的工作mtj器件。在一些實施例中，工作mtj器件通過包括多個導電互連層a至c并且不延伸穿過襯底的連續(xù)導電路徑連接在位線blz(z＝,)和字線wlx(x＝,)之間。在一些實施例中，工作mtj器件不位于被配置為控制對工作mtj器件的訪問的存取晶體管器件正上方。在一些實施例中。調(diào)節(jié)訪問裝置包括調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括垂直布置在底電極通孔和頂電極通孔之間的mtj。在一些實施例中，頂電極通孔可以通過通孔(例如。深圳市美信美科技有限公司，你的穩(wěn)定集成電路供應(yīng)商。上海半導體集成電路芯片
深圳美信美集成電路測試嚴格過關(guān)。上海大規(guī)模集成電路封裝
滿足短聯(lián)結(jié)線路要求，滿足佳導熱要求。上層基板可選的可以只有一層金屬層，此金屬層通過聯(lián)結(jié)pad與元件聯(lián)結(jié)。上層基板可選的可以只有一層金屬層，此金屬層直接暴露在外，加強導熱。上層基板可選的可以有上下兩層金屬層，內(nèi)層金屬層通過聯(lián)結(jié)pad與元件聯(lián)結(jié)，外層金屬層直接暴露在外，加強導熱。上層基板可選的可以有多層金屬層，除了上下兩層金屬層的內(nèi)層金屬層通過聯(lián)接pad與元件聯(lián)結(jié)，外層金屬層直接暴露在外，加強導熱以外，上層基板內(nèi)部還有一層或者多層金屬層，并通過開孔沉金，以完成復雜的集成電路互聯(lián)。下層基板可選的一定有一層金屬層，此金屬層上的聯(lián)結(jié)pad就是此集成電路的聯(lián)結(jié)pad，留待pcb應(yīng)用。下層基板可選的可以有多層金屬層，除了外層金屬層用作此集成電路的聯(lián)結(jié)pad外，下層基板還可以有多層金屬層，并通過開孔沉金互聯(lián)，以完成復雜的集成電路互聯(lián)?？蛇x的中間基板可選的具有上層基板和下層基板的所有特點，通過聯(lián)結(jié)pad與元件和其他基板聯(lián)結(jié)。本申請實施例中，集成電路封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部聯(lián)結(jié)線路短，導流能力強，導熱能力強，寄生電參數(shù)小，可以滿足市場上對集成電路更小型化，更高功率密度的要求。附圖說明為了更清楚地說明本申請實施例中的技術(shù)方案。上海大規(guī)模集成電路封裝