常州半導(dǎo)體集成電路分類

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-11-19

    調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為通過控制提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對(duì)存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)工作mtj器件提供訪問。在一些實(shí)施例中,調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件,一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件分別包括mtj,mtj具有通過介電遂穿阻擋層b與自由層b分隔開的固定層b。例如,在一些實(shí)施例中,調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括與相關(guān)的工作mtj器件連接的并聯(lián)連接的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj,mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實(shí)施例中,固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑。pt)等。在一些實(shí)施例中,介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(alo)等。在一些實(shí)施例中,自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在其它實(shí)施例中,調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括一個(gè)或多個(gè)電阻器(例如,包括氮化鉭、鉭、氮化鈦、鈦、鎢等的薄膜電阻器)。例如。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR。德州的集成電路渠道,找什么深圳市美信美科技。常州半導(dǎo)體集成電路分類

    然后在開口內(nèi)沉積導(dǎo)電材料(例如,銅和/或鋁),以及隨后的平坦化工藝(例如,化學(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成互連層b。的截面圖所示,可以在存儲(chǔ)單元a,上方形成存儲(chǔ)單元b,。存儲(chǔ)單元b??梢园üぷ鱩tj器件和調(diào)節(jié)訪問裝置,調(diào)節(jié)訪問裝置具有形成在第三互連層c和第四互連層d之間的調(diào)節(jié)mtj器件和。存儲(chǔ)單元b,可以根據(jù)與關(guān)于圖至圖描述的那些類似的步驟形成。出了形成具有存儲(chǔ)器電路的集成芯片的方法的一些實(shí)施例的流程圖,該存儲(chǔ)器電路包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲(chǔ)單元(例如,mram單元),該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問。雖然方法示出和描述為一系列步驟或事件,但是應(yīng)該理解,這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如,一些步驟可以以不同的順序發(fā)生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時(shí)發(fā)生。此外,可能不是所有示出的步驟對(duì)于實(shí)施此處描述的一個(gè)或多個(gè)方面或?qū)嵤├际切枰?,并且此處描述的一個(gè)或多個(gè)步驟可以在一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的步驟和/或階段中實(shí)施。在步驟中,在襯底上方形成互連層。互連層可以形成在襯底上方的ild層內(nèi)。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中。徐州圓形集成電路好的渠道商深圳市美信美科技有限公司,只做原裝進(jìn)口集成電路。

    調(diào)節(jié)mtj器件具有比調(diào)節(jié)mtj器件更大的尺寸。在一些實(shí)施例中,調(diào)節(jié)訪問裝置還包括連接在位線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件,字線連接至字線解碼器,并且位線和位線連接至位線解碼器。在一些實(shí)施例中,工作mtj器件不位于存取晶體管器件正上方。在一些實(shí)施例中,集成芯片還包括連接在調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線。在一些實(shí)施例中。工作mtj器件通過設(shè)置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)與調(diào)節(jié)mtj器件橫向分隔開。在一些實(shí)施例中,集成芯片還包括布置在位于工作mtj器件正上方的存儲(chǔ)單元內(nèi)的工作mtj器件,工作mtj器件被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)。在一些實(shí)施例中,工作mtj器件通過不延伸穿過襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑連接在位線和字線之間。在其它實(shí)施例中,涉及集成電路。集成電路包括布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)內(nèi)的互連層,互連層通過介電結(jié)構(gòu)與襯底分隔開;以及調(diào)節(jié)mtj器件,布置在互連層正上方并且被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài),工作mtj器件通過包括多個(gè)互連層并且不延伸穿過襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑電連接在位線和字線之間。在一些實(shí)施例中,集成電路還包括調(diào)節(jié)訪問裝置,其具有連接在字線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件,調(diào)節(jié)mtj器件具有通過介電阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實(shí)施例中。

    圖至圖中公開的結(jié)構(gòu)不限于這種方法,而且可以作為于該方法的結(jié)構(gòu)而單獨(dú)存在。的截面圖所示,在襯底上方形成互連層a。在一些實(shí)施例中,通過在襯底上方形成層間介電(ild)層來形成互連層a。在一些實(shí)施例中,ild層可以通過一個(gè)或多個(gè)附加介電層與襯底分隔開。圖案化ild層以限定溝槽。在一些實(shí)施例中,可以通過在ild層上方形成圖案化的掩模層(未示出)并且實(shí)施蝕刻工藝來去除ild層的未由圖案化的掩模層覆蓋的各部分來圖案化ild層。在溝槽內(nèi)形成導(dǎo)電材料,以及隨后是平坦化工藝(例如?;瘜W(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成互連層a。在各個(gè)實(shí)施例中,襯底可以是任何類型的半導(dǎo)體主體(例如。硅、sige、soi等),諸如半導(dǎo)體晶圓和/或晶圓上的一個(gè)或多個(gè)管芯,以及任何與其相關(guān)的其它類型的半導(dǎo)體和/或外延層。在一些實(shí)施例中,ild層可以包括一種或多種介電材料,諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如,硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實(shí)施例中,導(dǎo)電材料可以包括通過沉積工藝(例如,cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如,鎢、鋁等)。在各個(gè)實(shí)施例中,互連層a可以是互連線層、互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。的截面圖所示。集成電路具有規(guī)模生產(chǎn)能力,可靠性等特點(diǎn)。

    存取晶體管)用于在讀取和/或?qū)懭氩僮髌陂g選擇性地向相關(guān)的mtj器件提供電壓和/或電流。因?yàn)閙ram單元通常對(duì)寫入操作使用相對(duì)高的電壓和/或電流,所以驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸可能相對(duì)較大。雖然可以使mram單元的mtj具有小的尺寸,但是相對(duì)大尺寸的驅(qū)動(dòng)晶體管限制了存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的小型ram單元可以縮小的程度。在一些實(shí)施例中,涉及集成芯片,該集成芯片包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元(例如,mram單元)的存儲(chǔ)器陣列,存儲(chǔ)單元不包括驅(qū)動(dòng)晶體管(即,不使用驅(qū)動(dòng)晶體管來對(duì)存儲(chǔ)單元提供電壓和/或電流)。而且,多個(gè)存儲(chǔ)單元分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置。該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對(duì)存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問。調(diào)節(jié)訪問裝置具有連接至工作mtj器件的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件被配置為通過控制(即。調(diào)節(jié))提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問。通過使用調(diào)節(jié)訪問裝置來選擇性地對(duì)存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問,可以減小存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的存儲(chǔ)單元(例如。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR。集成電路實(shí)力供應(yīng)商有哪些?深圳美信美科技。廣州雙列直插型集成電路報(bào)價(jià)

而根據(jù)處理信號(hào)的不同,可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路、和兼具模擬與數(shù)字的混合信號(hào)集成電路。常州半導(dǎo)體集成電路分類

    每個(gè)系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲(chǔ)模塊之間交錯(cuò)的冷卻管。當(dāng)這些系統(tǒng)板相對(duì)地放置在一起時(shí),每個(gè)系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲(chǔ)模塊由在另一個(gè)系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法,這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲(chǔ)模塊,同時(shí)仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的,并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護(hù),而沒有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關(guān)的溢出。盡管參考雙列直插式存儲(chǔ)模塊描述了不同實(shí)施例,應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到的是,所公開的技術(shù)可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個(gè)或多個(gè)系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個(gè)或多個(gè)元素/部件。圖1是系統(tǒng)100的關(guān)系圖,在該系統(tǒng)中可以實(shí)施不同實(shí)施例。系統(tǒng)100包括計(jì)算部件120,所述計(jì)算部件包括處理器104和存儲(chǔ)器106。存儲(chǔ)器106包括多個(gè)雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108。系統(tǒng)100還包括冷卻回路。所述冷卻回路包括泵110、熱交換器112和儲(chǔ)液器114。泵110將冷卻液體130提供給雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108。由雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108產(chǎn)生的熱量被傳送給液體,加熱液體并且冷卻雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108。泵110將被加熱的液體132從雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108移除。熱交換器112冷卻被加熱的液體132。儲(chǔ)液器114適應(yīng)液體體積的改變。常州半導(dǎo)體集成電路分類

標(biāo)簽: 集成電路 溫度傳感器