標(biāo)準(zhǔn)MEMS微納米加工的傳感器

MEMS多重轉(zhuǎn)印工藝與硬質(zhì)塑料芯片快速成型：針對(duì)硬質(zhì)塑料芯片的快速開發(fā)需求，公司**MEMS多重轉(zhuǎn)印工藝。通過紫外光固化膠將硅母模上的微結(jié)構(gòu)（精度±1μm）轉(zhuǎn)印至PMMA、COC等工程塑料，10個(gè)工作日內(nèi)即可完成從設(shè)計(jì)到成品的全流程交付。以器官芯片為例，該工藝制造的多層PMMA芯片集成血管網(wǎng)絡(luò)與組織隔室，可模擬肺部的氣體交換功能，用于藥物毒性測(cè)試時(shí)，數(shù)據(jù)重復(fù)性較傳統(tǒng)方法提升80%。此外，COP材質(zhì)芯片憑借**蛋白吸附性（<3ng/cm2），成為抗體篩選與蛋白質(zhì)結(jié)晶的**載體。該技術(shù)還支持復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)加工，例如仿生肝小葉芯片中的正弦狀微流道，可精細(xì)調(diào)控細(xì)胞剪切力，提升原代肝細(xì)胞活性至95%以上。超薄石英玻璃雙面套刻加工技術(shù)，在 100μm 以上基板實(shí)現(xiàn)微流道與金屬電極的高精度集成。標(biāo)準(zhǔn)MEMS微納米加工的傳感器

MEMS制作工藝-太赫茲超導(dǎo)混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術(shù)：

太赫茲波是天文探測(cè)領(lǐng)域的重要波段，太赫茲波探測(cè)對(duì)提升人類認(rèn)知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導(dǎo)混頻接收機(jī)是具有代表性的高靈敏天文探測(cè)設(shè)備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。當(dāng)前，太赫茲超導(dǎo)接收機(jī)多采用單獨(dú)的金屬喇叭天線和金屬封裝，很難進(jìn)行高集成度陣列擴(kuò)展。大規(guī)模太赫茲陣列接收機(jī)發(fā)展很大程度受到天線及芯片封裝技術(shù)的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術(shù)的適合大規(guī)模太赫茲超導(dǎo)接收陣列應(yīng)用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線，及該天線與超導(dǎo)混頻芯片一體化封裝。通過電磁場(chǎng)理論分析、電磁場(chǎng)數(shù)值建模與仿真、低溫超導(dǎo)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證等手段， 廣西MEMS微納米加工服務(wù)電話太赫茲柔性電極以 PI 為基底構(gòu)建雙面結(jié)構(gòu)，適用于非侵入式生物檢測(cè)與材料無損探測(cè)。

射頻MEMS器件分為MEMS濾波器、MEMS開關(guān)、MEMS諧振器等。射頻前端模組主要由濾波器、低噪聲放大器、功率放大器、射頻開關(guān)等器件組成，其中濾波器是射頻前端中重要的分立器件，濾波器的工藝就是MEMS，在射頻前端模組中占比超過50%，主要由村田制作所等國(guó)外公司生產(chǎn)。因?yàn)闆]有適用的國(guó)產(chǎn)5GMEMS濾波器，因此華為手機(jī)只能用4G，也是這個(gè)原因，可見MEMS濾波器的重要性。濾波器（SAW、BAW、FBAR等），負(fù)責(zé)接收通道的射頻信號(hào)濾波，將接收的多種射頻信號(hào)中特定頻率的信號(hào)輸出，將其他頻率信號(hào)濾除。以SAW聲表面波為例，通過電磁信號(hào)-聲波-電磁信號(hào)的兩次轉(zhuǎn)換，將不受歡迎的頻率信號(hào)濾除。

新材料或?qū)⒊蔀閲?guó)產(chǎn)MEMS發(fā)展的新機(jī)會(huì)。截止到目前，硅基MEMS發(fā)展已經(jīng)有40多年的發(fā)展歷程，如何提高產(chǎn)品性能、降低成本是全球企業(yè)都在思考的問題，而基于新材料的MEMS器件則成為擺在眼前的大奶酪，PZT、氮化鋁、氧化釩、鍺等新材料MEMS器件的研究正在進(jìn)行中，搶先一步投入應(yīng)用，將是國(guó)產(chǎn)MEMS彎道超車的好時(shí)機(jī)。另外，將多種單一功能傳感器組合成多功能合一的傳感器模組，再進(jìn)行集成一體化，也是MEMS產(chǎn)業(yè)新機(jī)會(huì)。提高自主創(chuàng)新意識(shí)，加強(qiáng)創(chuàng)新能力，也不是那么的遙遠(yuǎn)。MEMS常見的產(chǎn)品-壓力傳感器。

微納結(jié)構(gòu)的多圖拼接測(cè)量技術(shù)：針對(duì)大尺寸微納結(jié)構(gòu)的完整表征，公司開發(fā)了多圖拼接測(cè)量技術(shù)，結(jié)合SEM與圖像算法實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)精度的全景成像。首先通過自動(dòng)平移臺(tái)對(duì)樣品進(jìn)行網(wǎng)格掃描，獲取多幅局部SEM圖像（分辨率5nm，視野范圍10-100μm）；然后利用特征點(diǎn)匹配算法（如SIFT/SURF）進(jìn)行圖像配準(zhǔn)，誤差＜±2nm/100μm；通過融合算法生成完整的拼接圖像，可覆蓋10mm×10mm區(qū)域。該技術(shù)應(yīng)用于微流控芯片的流道檢測(cè)時(shí)，可快速識(shí)別全長(zhǎng)10cm流道內(nèi)的微小缺陷（如5μm以下的毛刺或堵塞），檢測(cè)效率較單圖測(cè)量提升10倍。在納米壓印模具檢測(cè)中，多圖拼接可精確分析100μm×100μm范圍內(nèi)的結(jié)構(gòu)一致性，特征尺寸偏差＜±1%。公司自主開發(fā)的拼接軟件支持實(shí)時(shí)預(yù)覽與缺陷標(biāo)記，輸出包含尺寸標(biāo)注、粗糙度分析的檢測(cè)報(bào)告，為微納加工的質(zhì)量控制提供了高效工具，尤其適用于復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)與大面積陣列的計(jì)量需求。MEMS是一種現(xiàn)代化的制造技術(shù)。標(biāo)準(zhǔn)MEMS微納米加工的傳感器

自研超聲收發(fā)芯片輸出電壓達(dá) ±100V、電流 1A，部分性能指標(biāo)超越國(guó)際品牌 TI。標(biāo)準(zhǔn)MEMS微納米加工的傳感器

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點(diǎn)：

1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長(zhǎng)，它們各自比相應(yīng)的電磁波的傳播速度的波長(zhǎng)小十萬倍。在VHF和UHF波段內(nèi)，電磁波器件的尺寸是與波長(zhǎng)相比擬的。同理，作為電磁器件的聲學(xué)模擬聲表面波器件SAW，它的尺寸也是和信號(hào)的聲波波長(zhǎng)相比擬的。因此，在同一頻段上，聲表面波器件的尺寸比相應(yīng)電磁波器件的尺寸減小了很多，重量也隨之大為減輕。

2.由于聲表面波系沿固體表面?zhèn)鞑ィ由蟼鞑ニ俣葮O慢，這使得時(shí)變信號(hào)在給定瞬時(shí)可以完全呈現(xiàn)在晶體基片表面上。于是當(dāng)信號(hào)在器件的輸入和輸出端之間行進(jìn)時(shí)，就容易對(duì)信號(hào)進(jìn)行取樣和變換。這就給聲表面波器件以極大的靈活性，使它能以非常簡(jiǎn)單的方式去。完成其它技術(shù)難以完成或完成起來過于繁重的各種功能。

3.采用MEMS工藝，以鈮酸鋰LNO和鉭酸鋰LTO為例子的襯底，通過光刻（含EBL光刻）、鍍膜等微納米加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)的SAW器件，在聲表面器件的濾波、波束整形等方面提供了極大的工藝和性能支撐。 標(biāo)準(zhǔn)MEMS微納米加工的傳感器