山東USB2.0ESD保護(hù)元件封裝

常見人體帶電過(guò)程如下：(1)人從椅子上站起來(lái)，或擦拭墻壁等過(guò)程(**初的電荷分離發(fā)生在衣物或其他相關(guān)物體外表面，然后，人體由感應(yīng)帶電。(2)人在高電阻率材料制成的地毯等絕緣地板上走動(dòng)(**初的電荷分離發(fā)生在鞋和地板之間，然后，對(duì)于導(dǎo)電性鞋，人體由電荷傳遞而帶電；對(duì)于絕緣鞋，人體是因感應(yīng)而帶電)。(3)脫下外衣時(shí)的靜電。這是發(fā)生在外層衣物與內(nèi)層衣物之間的接觸起電，人體則經(jīng)過(guò)電荷傳遞或感應(yīng)而帶電。(4)液體或粉體從人拿著的容器內(nèi)倒出(該液體或粉體把一種極性的電荷帶走，將等量異性的電荷留在人體上。(5)與帶電材料接觸。如對(duì)高度帶電粉體取樣時(shí)的帶電。當(dāng)存在連續(xù)起電過(guò)程時(shí)，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位被限制在約50kV以下。ESD靜電保護(hù)元件具有單向和雙向之分。山東USB2.0ESD保護(hù)元件封裝

在ESD設(shè)計(jì)中，Diode是一種常見的器件。圖2為Diode的一種典型應(yīng)用情況，在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生PositiveESDPulse時(shí)，Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護(hù)內(nèi)部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過(guò)雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生NegativeESDPulse時(shí)，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向?qū)妷汉苄?，此模式下器件的功耗很小，因此其抗ESD能力非常強(qiáng)。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態(tài)下的ESD能力差別非常大，因此目前在使用二極管作ESD保護(hù)器件時(shí)往往會(huì)采用非常大的器件面積提升二極管反偏狀態(tài)下的ESD能力，如此一來(lái)，缺點(diǎn)是非常明顯的，它增大了ESD器件的面積占用，更為嚴(yán)重的是，對(duì)于高頻引腳而言，此方式會(huì)帶來(lái)較大的寄生電容，使引腳的頻率特性變差。天津以太網(wǎng)接口ESD保護(hù)元件封裝高頻信號(hào)接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計(jì)主要是致力于降低防護(hù)電路的并聯(lián)結(jié)電容和串聯(lián)電感。

ESD靜電放電機(jī)器模型,機(jī)器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容是200pF，等效電阻為0，機(jī)器模型與人體模型的差異較大，實(shí)際上機(jī)器的儲(chǔ)電電容變化較大，但為了描述的統(tǒng)一，取200pF。由于機(jī)器模型放電時(shí)沒有電阻，且儲(chǔ)電電容大于人體模式，同等電壓對(duì)器件的損害，機(jī)器模式遠(yuǎn)大于人體模型。靜電放電充電器件模型,半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們?cè)谘b配、傳遞、試驗(yàn)、測(cè)試、運(yùn)輸及存貯過(guò)程中，由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦，就會(huì)使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個(gè)極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過(guò)管腳與地接觸時(shí)，發(fā)生對(duì)地放電引起器件失效而建立的。

靜電放電ESD接觸放電就是是電荷集中到一點(diǎn)然后通過(guò)可接觸的導(dǎo)體直接轉(zhuǎn)移到測(cè)試產(chǎn)品里面，這個(gè)是有預(yù)期的，一般打在控制板附近，固控制板的螺絲、可接觸的引腳上面。ESD空氣放電是電荷集中到***頭頂端保持5秒，通過(guò)慢慢靠近被測(cè)試產(chǎn)品不能導(dǎo)電的部分看電荷能不能擊穿絕緣部分，或者通過(guò)縫隙擊穿空氣進(jìn)去。這個(gè)觸發(fā)是360度隨機(jī)的。這樣的方式可以找到產(chǎn)品的不足之處。一般擊打屏幕縫隙、按鍵縫隙、還有嵌入式的引腳端口等不能直接接觸到導(dǎo)體的地方。防靜電的四項(xiàng)基本原則一：等電位連接，與敏感器件接觸的導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)等電位連接，避免因?qū)珟ъo電發(fā)生放電。

防靜電的四項(xiàng)基本原則是：原則一：等電位連接，與敏感器件接觸的導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)等電位連接，避免因?qū)珟ъo電發(fā)生放電；原則二：靜電源控制，絕緣材料的靜電通過(guò)連接地和等電位連接無(wú)法消除，因此必須對(duì)敏感器件周邊進(jìn)行靜電源控制；原則三：靜電源包裝，出ESD防護(hù)區(qū)的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響；原則四，ESD防護(hù)措施不能降低安全水準(zhǔn)，如安全與之***，安全第一。靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象，產(chǎn)生的方式多種，如接觸、摩擦、剝離等。靜電防護(hù)技術(shù)，如電子工業(yè)、半導(dǎo)體、石油工業(yè)、兵器工業(yè)、紡織工業(yè)、橡膠工業(yè)以及興航與***領(lǐng)域的靜電危害，尋求減少靜電造成的損失。IEC61000-4-2是系統(tǒng)級(jí)靜電測(cè)試常用的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。河南天線接口ESD保護(hù)元件參數(shù)

來(lái)明電子可提供多種類型的ESD靜電保護(hù)元件，并提供選型替代，國(guó)產(chǎn)化替代，具有較高的性價(jià)比。山東USB2.0ESD保護(hù)元件封裝

由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來(lái)實(shí)現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果。因此對(duì)于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過(guò)一些方法降低，以滿足芯片的保護(hù)要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來(lái)的寄生電容，這一點(diǎn)對(duì)于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利。由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來(lái)實(shí)現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果。因此對(duì)于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過(guò)一些方法降低，以滿足芯片的保護(hù)要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來(lái)的寄生電容，這一點(diǎn)對(duì)于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利。山東USB2.0ESD保護(hù)元件封裝

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