平面結構晶體管的缺點是如果提高額定電壓,漂移層會變厚,因此導通電阻會增加。MOSFET的額定電壓取決于垂直方向的漂移區(qū)的寬度和摻雜參數(shù)。為了提高額定電壓等級,通常增加漂移區(qū)的寬度同時降低摻雜的濃度,但會造成MOSFET的導通電阻大幅增加。同時,也是為了克服平面MOSFET的局限性,超結MOSFET應運而生。超結MOSFET利用了一種創(chuàng)新的結構設計,明顯降低了導通電阻,同時維持了高擊穿電壓。那么,接下來要重點討論超結MOSFET(super junction mosfet)。
超結MOS(Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor,簡稱SJ-MOS)是電力電子領域中廣泛應用的一類功率器件,其主要特征是在傳統(tǒng)MOSFET基礎上引入了超結結構,使其在高電壓、大電流條件下具備更優(yōu)越的性能。超結MOS器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET有著更低的導通電阻和更高的耐壓性能,廣泛應用于高效能電力轉(zhuǎn)換領域,如開關電源、逆變器、電動汽車、光伏發(fā)電等。 它屬于金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的一種,具有驅(qū)動電路簡單、開關速度快、工作頻率高等特點。廣州光伏逆變功率器件MOS產(chǎn)品選型工藝
MOSFET管封裝概述
在完成MOS管芯片的制作后,為保護芯片并確保其穩(wěn)定工作,需要為其加上一個封裝外殼。這一過程即為MOS管封裝,它不僅提供支撐和保護,還能有效冷卻芯片,同時為電氣連接和隔離創(chuàng)造條件,從而構成完整的電路。值得注意的是,不同的封裝設計和規(guī)格尺寸會影響MOS管的電性參數(shù)及其在電路中的應用。封裝的選擇也是電路設計中不可或缺的一環(huán)。
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功率MOSFET的基本特性
靜態(tài)特性MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性。
漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性,ID較大時,ID與UGS的關系近似線性,曲線的斜率定義為跨導Gfs
MOSFET的漏極伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對應于GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對應于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對應于GTR的飽和區(qū))。電力MOSFET工作在開關狀態(tài),即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管,漏源極間加反向電壓時器件導通。電力MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對器件并聯(lián)時的均流有利。
功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),包括計算機領域的筆記本、PC、服務器、顯示器以及各種外設;網(wǎng)絡通信領域的手機、電話以及其它各種終端和局端設備;消費電子領域的傳統(tǒng)黑白家電和各種數(shù)碼產(chǎn)品;工業(yè)控制類中的工業(yè)PC、各類儀器儀表和各類控制設備等。
電力電子器件工作時,會因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命,甚至燒毀,這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此,必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等。 由于這些明顯的優(yōu)點,功率場效應晶體管在電機調(diào)速,開關電源等各種領域應用的非常多。
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TO-3P/247TO247是一種常見的小外形封裝,屬于表面貼封裝類型,其中的“247”是封裝標準的編號。值得注意的是,TO-247封裝與TO-3P封裝都采用3引腳輸出,且內(nèi)部的裸芯片(即電路圖)可以完全相同,因此它們的功能和性能也基本一致,只是在散熱和穩(wěn)定性方面可能略有差異。
TO247通常是非絕緣封裝,這種封裝的管子常用于大功率的POWFR中。作為開關管使用時,它能夠承受較大的耐壓和電流,因此是中高壓大電流MOS管常用的封裝形式。該產(chǎn)品特點包括耐壓高、抗擊穿能力強等,特別適用于中壓大電流場合(電流10A以上,耐壓值在100V以下),以及120A以上、耐壓值200V以上的更高要求場合。 插入式封裝與表面貼裝式封裝各有優(yōu)劣,但隨著表面貼裝技術的進步,提供了更多的安裝和散熱解決方案。湖州電池管理系統(tǒng)功率器件MOS產(chǎn)品選型價格比較
QFN是一種四邊配置有電極接點的封裝方式,其特點是無引線和具備優(yōu)異的熱性能,提供更優(yōu)的散熱能力。廣州光伏逆變功率器件MOS產(chǎn)品選型工藝
單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的,能通過的電流大小也是一定的。因此,由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以,在實用中多用幾個電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件,其耐壓和通流的能力可以成倍地提高,從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時,希望各元件能承受同樣的正、反向電壓;并聯(lián)時則希望各元件能分擔同樣的電流。但由于器件的個異性,串、并聯(lián)時,各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流。所以,在電力電子器件串聯(lián)時,要采取均壓措施;在并聯(lián)時,要采取均流措施。廣州光伏逆變功率器件MOS產(chǎn)品選型工藝