中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)變頻功率器件MOS產(chǎn)品選型聯(lián)系方式

功率MOSFET屬于電壓型控制器件。它依靠多數(shù)載流子工作,因而具有許多優(yōu)點(diǎn):能與集成電路直接相連；開(kāi)關(guān)頻率可在數(shù)兆赫以上（可達(dá)100MHz），比雙極型功率晶體管(GTR)至少高10倍；導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù),器件不易發(fā)生二次擊穿,易于并聯(lián)工作。與GTR相比，功率MOSFET的導(dǎo)通電阻較大，電流密度不易提高，在100kHz以下頻率工作時(shí),其功率損耗高于GTR。此外，由于導(dǎo)電溝道很窄（微米級(jí)）,單元尺寸精細(xì)，其制作也較GTR困難。在80年代中期,功率MOSFET的容量還不大（有100A/60V，75A/100V，5A/1000V等幾種）。MOSFET其優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)在有較寬的安全工作區(qū)而不會(huì)產(chǎn)生熱點(diǎn)，并且具有正的電阻溫度系數(shù)，因此適合進(jìn)行并聯(lián)使用。中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)變頻功率器件MOS產(chǎn)品選型聯(lián)系方式

即是在大功率范圍應(yīng)用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它也稱作功率MOSFET，其優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1. 具有較高的開(kāi)關(guān)速度。2. 具有較寬的安全工作區(qū)而不會(huì)產(chǎn)生熱點(diǎn)，并且具有正的電阻溫度系數(shù)，因此適合進(jìn)行并聯(lián)使用。3. 具有較高的可靠性。4. 具有較強(qiáng)的過(guò)載能力。短時(shí)過(guò)載能力通常額定值的4倍。5. 具有較高的開(kāi)啟電壓，即是閾值電壓，可達(dá)2~6V（一般在1.5V~5V之間）。當(dāng)環(huán)境噪聲較高時(shí)，可以選 用閾值電壓較高的管子，以提高抗干擾能力；反之，當(dāng)噪聲較低時(shí)，選用閾值電壓較低的管子，以降低所需的輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)電壓。給電路設(shè)計(jì)帶來(lái)了極大地方便。6. 由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此其驅(qū)動(dòng)功率很小，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路要求較低。由于這些明顯的優(yōu)點(diǎn)，功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電機(jī)調(diào)速，開(kāi)關(guān)電源等各種領(lǐng)域應(yīng)用的非常多。南通工業(yè)變頻功率器件MOS產(chǎn)品選型晶圓MOSFET具有較高的開(kāi)啟電壓，即是閾值電壓.

超結(jié)MOS的特點(diǎn):

1、低導(dǎo)通電阻通過(guò)在縱向結(jié)構(gòu)中引入多個(gè)P型和N型層的超結(jié)設(shè)計(jì)，極大地降低了功率器件的導(dǎo)通電阻，在高電壓應(yīng)用中尤為明顯。

2、高耐壓性傳統(tǒng)MOSFET在提高耐壓的同時(shí)會(huì)增加導(dǎo)通電阻，而超結(jié)結(jié)構(gòu)通過(guò)優(yōu)化電場(chǎng)分布，使其在保持高耐壓的同時(shí)仍能保持較低的導(dǎo)通電阻。

3、高效率超結(jié)MOS具有較快的開(kāi)關(guān)速度和低損耗特性，適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

4、較低的功耗由于導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗的降低，超結(jié)MOS在工作時(shí)的能量損耗也明顯減少，有助于提高系統(tǒng)的整體能效。

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封裝選擇關(guān)鍵因素

功率需求高功率（>100W）：TO-247、TO-220、D2PAK。

中低功率（<100W）：DPAK、SO-8、QFN。

**功率（信號(hào)級(jí)）：SOT-23、SC-70。

散熱條件

需要強(qiáng)制散熱或大面積PCB銅箔散熱時(shí)，優(yōu)先選帶散熱片的封裝（如TO-247、D2PAK）。

自然散熱場(chǎng)景可選SO-8或QFN（需優(yōu)化PCB散熱設(shè)計(jì)）。

空間限制

緊湊型設(shè)備（如手機(jī)、穿戴設(shè)備）：QFN、SOT-23。

工業(yè)設(shè)備或電源模塊：TO系列或D2PAK。

高頻性能

高頻應(yīng)用（>1MHz）：QFN、DirectFET、SO-8（低寄生電感/電容）。

低頻應(yīng)用（如開(kāi)關(guān)電源）：TO系列或DPAK。

安裝方式

插件焊接（THT）：TO-220、TO-247。

貼片焊接（SMT）：DPAK、SO-8、QFN（適合自動(dòng)化生產(chǎn)）。

成本與量產(chǎn)

低成本需求：TO-220、SOT-23。

高性能需求：DirectFET、QFN（成本較高，但性能優(yōu)）。 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管更好的特性。

按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度分類：

1.半控型器件，例如晶閘管；

2.全控型器件，例如GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），Power MOSFET（電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）；

3.不可控器件，例如電力二極管。

按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)分類：

1.電壓驅(qū)動(dòng)型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（靜電感應(yīng)晶閘管）；

2.電流驅(qū)動(dòng)型器件，例如晶閘管、GTO、GTR。

根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號(hào)波形分類：

1.脈沖觸發(fā)型，例如晶閘管、GTO；

2.電子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。

按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分類：

1.雙極型器件，例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR；

2.單極型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢(shì)壘二極管；

3.復(fù)合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）、IGBT、SITH和IGCT。 功率MOSFET具有較高的可靠性。浙江好的功率器件MOS產(chǎn)品選型廠家價(jià)格

功率器件，也被稱為電力電子器件，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是具有處理高電壓、大電流能力的功率型半導(dǎo)體器件.中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)變頻功率器件MOS產(chǎn)品選型聯(lián)系方式

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。由于它*靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)寫成FET。中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)變頻功率器件MOS產(chǎn)品選型聯(lián)系方式