南通逆導(dǎo)可控硅

    可控整流電路的作用是把交流電變換為電壓值可以調(diào)節(jié)的直流電。圖20－1所示為單相半控橋式整流實驗電路。主電路由負(fù)載RL（燈炮）和晶閘管T1組成，觸發(fā)電路為單結(jié)晶體管T2及一些阻容元件構(gòu)成的阻容移相橋觸發(fā)電路。改變晶閘管T1的導(dǎo)通角，便可調(diào)節(jié)主電路的可控輸出整流電壓（或電流）的數(shù)值，這點可由燈炮負(fù)載的亮度變化看出。晶閘管導(dǎo)通角的大小決定于觸發(fā)脈沖的頻率f，由公式圖1單相半控橋式整流實驗電路可知，當(dāng)單結(jié)晶體管的分壓比η（一般在～）及電容C值固定時，則頻率f大小由R決定，因此，通過調(diào)節(jié)電位器Rw，使可以改變觸發(fā)脈沖頻率，主電路的輸出電壓也，從而達到可控調(diào)壓的目的。用萬用電表的電阻檔（或用數(shù)字萬用表二極管檔）可以對單結(jié)晶體管和晶閘管進行簡易測試。圖2為單結(jié)晶體管BT33管腳排列、結(jié)構(gòu)圖及電路符號。好的單結(jié)晶體管PN結(jié)正向電阻REB1、REB2均較小，且REB1稍大于REB2，PN結(jié)的反向電阻RB1E、RB2E均應(yīng)很大，根據(jù)所測阻值，即可判斷出各管腳及管子的質(zhì)量優(yōu)劣。圖2單結(jié)晶體管BT33管腳排列、結(jié)構(gòu)圖及電路符號圖3為晶閘管3CT3A管腳排列、結(jié)構(gòu)圖及電路符號。晶閘管陽極（A）—陰極（K）及陽極（A）—門極（G）之間的正、反向電阻RAK、RKA、RAG、RGA均應(yīng)很大。整流器可以由真空管，引燃管，固態(tài)矽半導(dǎo)體二極管，汞弧等制成。南通逆導(dǎo)可控硅

    2具體電路實現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。該電路選取單向橋式半控整流電路，降低了成本。大功率或大電流的穩(wěn)壓電源，一般采用L－C濾波電路。但是，大電流的濾波電抗器體積大，重量重，價格也較貴，因此，在該穩(wěn)壓電源的設(shè)計中仍采用大電容濾波。線性穩(wěn)壓器部分仍采用串聯(lián)反饋調(diào)整型穩(wěn)壓器原理，構(gòu)成一個閉環(huán)反饋系統(tǒng)。主要包括：調(diào)整管，取樣電路，基準(zhǔn)電壓源，誤差比較放大器。由于該穩(wěn)壓電源輸出電流20A，電流很大，所以，為減小調(diào)整管功耗，采用并聯(lián)形式，在本電源中，調(diào)整管用兩個大功率三極管并聯(lián)，使每管流過電流為10A左右。這樣，每個管子的功耗不大于40W，減小了調(diào)整管功耗。調(diào)整管集電極電流為10A左右，因此應(yīng)采用大功率晶體三極管，選取β＝40～50，這樣，基極電流應(yīng)達2×0．3A，即600mA。而一般集成運算放大器輸出電流只有幾十毫安級，不能讓比較放大電路的輸出端直接來推動調(diào)整管，因此在比較放大電路的輸出端與調(diào)整管的基極之間，加入推動級，此處選擇一個小功率三極管，構(gòu)成復(fù)合管的形式。啟動電阻Rc取2k。防振電容C取10μF。在穩(wěn)壓電路中，基準(zhǔn)源是整個穩(wěn)壓系統(tǒng)工作的參考，穩(wěn)壓的**終效果取決于基準(zhǔn)源的水平。因此，該電源中。逆導(dǎo)可控硅經(jīng)銷 可控硅調(diào)整器能與國內(nèi)外各種控制儀表、微機的輸出信號直接接口。

    其G、K極問PN結(jié)已失去單向?qū)щ娮饔谩y量陽極A與門極G之間的正、反向電阻，正常時兩個阻值均應(yīng)為幾百千歐姆(kΩ)或無窮大，若出現(xiàn)正、反向電阻值不一樣(有類似二極管的單向?qū)щ?。則是G、A極之間反向串聯(lián)的兩個PN結(jié)中的一個已擊穿短路。(3)觸發(fā)能力檢測：對于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管，可用萬用表R×1檔測量。測量時黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，此時表針不動，顯示阻值為無窮大(∞)。用鑷子或?qū)Ь€將晶閘管的陽極A與門極短路(見圖2)，相當(dāng)于給G極加上正向觸發(fā)電壓，此時若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號不同會有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導(dǎo)通。再斷開A極與G極的連接(A、K極上的表筆不動，只將G極的觸發(fā)電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動，則說明此晶閘管的觸發(fā)性能良好。對于工作電流在5A以上的中、大功率普通晶閘管，因其通態(tài)壓降VT維持電流IH及門極觸發(fā)電壓Vo均相對較大，萬用表R×1kΩ檔所提供的電流偏低，晶閘管不能完全導(dǎo)通，故檢測時可在黑表筆端串接一只200Ω可調(diào)電阻和1～3節(jié)1．5V干電池(視被測晶閘管的容量而定，其工作電流大于100A的，應(yīng)用3節(jié)1．5V干電池)，如圖3所示。

    該充電器除可為各種鎳鎘電池充電外，也可為干電池充電。其充電電流可調(diào)。充電終止電壓由RP1預(yù)先確定。開始充電時，電池組兩端電壓較低，不足以使晶體管VT導(dǎo)通。由RC組成的移相電路給可控硅提供觸發(fā)電流。移相角度由RP2決定。負(fù)半周時可控硅截止。因此可控硅以可控半波整流方式經(jīng)電池組充電。調(diào)整RP2即可調(diào)整充電電流，比較大充電電流由R1既定。指示燈串在電路中以指示充電情況和充電電流的大小。R3用以調(diào)節(jié)指示燈的亮度。當(dāng)電池組電壓慢慢升高，快到預(yù)定值時，三極管開始導(dǎo)通，可控硅的導(dǎo)通角減小，充電電流下降，直至完全截止，這樣充電自動停止，并使電池組保持在預(yù)定電壓上。因為當(dāng)電壓下降時，晶體管又趨向截止，可控硅重新啟動，不過此時導(dǎo)通角很小，電流出很小，對充電電池有保護作用，防止過充。元器件選擇與制作元器件清單見下表。編號名稱型號數(shù)量R1電阻（需調(diào)整）1R2電阻1R3電阻根據(jù)指示燈選用1RP1電位器100K1RP2電位器2K1C滌綸電容1VD1、VD2晶體二極管2CP類2VT晶體三極管3DG類1VS單向可控硅1A/25V1元器件連接完成，檢查無誤，即可進行調(diào)整。調(diào)整時，將電流表串在輸入回路中，先將R3短路，RP2旋至阻值**小處，調(diào)整R1。觸發(fā)板應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié)，用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等。

    應(yīng)用KY-TSC系列投切開關(guān)是在三相系統(tǒng)中用來投切電容，和其他投切器相比，該投切開關(guān)具有在投切時無涌流，無接觸噪聲以及很高的開關(guān)頻率。這些優(yōu)點是通過觸發(fā)電路，晶閘管，二極管，以及一些輔助電路實現(xiàn)。該投切器適合用在負(fù)載變化較快的場合。組成單元該投切器主要有雙向可控硅，觸發(fā)電路，吸收電路，散熱片，以及冷卻裝置等元件組成。出點電路在電壓過零前后進行判斷是否輸出控制信號(DC12V)，進而使可控硅進行導(dǎo)通或關(guān)斷。觸發(fā)電路能夠可靠的保證控制信號的輸出，散熱片的良好的導(dǎo)熱作用以及散熱風(fēng)機的添加，改善了投切開關(guān)的散熱效果。該裝置有內(nèi)置過溫保護開關(guān)，以及控制風(fēng)機自動運行的溫度開關(guān)，從而為安全的運行提供了良好的條件。 鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。逆導(dǎo)可控硅經(jīng)銷

可控硅觸發(fā)板現(xiàn)場調(diào)試一般不需要示波器即可完成。南通逆導(dǎo)可控硅

    只要用萬用表測出A極和G極即可。將萬用表置于R×1kΩ檔，兩表筆任接被測晶閘管的某兩個引腳(測其正、反向電阻值)，若測出某對引腳為低阻值時，則黑表筆接的陽極A，而紅表筆接的是門極G，另外一個引腳即是陰極K。(2)判斷其好壞：用萬用表R×1kΩ檔測量BTG晶閘管各電極之間的正、反向電阻值。正常時，陽極A與陰極K之間的正、反向電阻均為無窮大；陽極A與門極G之間的正向電阻值(指黑表筆接A極時)為幾百歐姆至幾千歐姆，反向電阻值為無窮大。若測得某兩極之間的正、反向電阻值均很小，則說明該晶閘管已短路損壞。(3)觸發(fā)能力檢測：將萬用表置于R×1Ω檔，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，測得阻值應(yīng)為無窮大。然后用手指觸摸門極G，給其加一個人體感應(yīng)信號，若此時A、K極之間的電阻值由無窮大變?yōu)榈妥柚?數(shù)歐姆)，則說明晶閘管的觸發(fā)能力良好。否則說明此晶閘管的性能不良。南通逆導(dǎo)可控硅

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