浙江可控硅直銷

    選擇價格便宜、性能很好的熱敏元件AD590，將其加裝在調(diào)整管的散熱片上。當(dāng)溫度達60℃左右時，啟動風(fēng)扇降溫，當(dāng)溫度回落至40℃左右時，關(guān)閉風(fēng)扇。當(dāng)溫度高達85℃時，給可控硅觸發(fā)回路發(fā)出***信號，關(guān)斷可控硅，進而關(guān)斷電路，避免調(diào)整管過熱損壞。電路如圖3所示。AD590的外部特性：0℃時，其電流為273μA；溫度每上升1℃，電流增加1μA；溫度每下降1℃，電流減小1μA；工作溫度為－50℃～＋150℃；為避免比較器頻繁動作或誤動作，選擇滯環(huán)寬度為1V。取R＝40kΩ；選擇集成運放由單電源＋5V供電，可由CW78M15分壓得到。設(shè)溫度65℃時比較器基準電壓為EmH，有：設(shè)溫度40℃時比較器基準電壓為EmL，有取：R1=2k;Rf=10k校驗：所以：當(dāng)溫度為61℃時，啟動風(fēng)扇；當(dāng)降低為40℃時，關(guān)閉風(fēng)扇。當(dāng)調(diào)整管溫度達80℃左右時，比較器輸出零電平，***可控硅，進而關(guān)斷電路。該穩(wěn)壓電源中，短路保護的功能為當(dāng)檢測到輸出電壓低于2V并延時2s后時，就判斷為短路。發(fā)出***信號關(guān)斷可控硅，關(guān)斷電路，防止損壞器件。限流保護的作用是當(dāng)負載電流超過20A時，減小調(diào)整管基極電流，使輸出電流減小。3結(jié)束語這種新型跟.蹤式可控硅直流穩(wěn)壓電源成本低，性能較好，精度較高，適于BP機發(fā)射臺使用。一臺儀表可以同時控制多臺觸發(fā)板。浙江可控硅直銷

    摘要：為了深入了解雙向可控硅內(nèi)部電路和工作原理，以運用簡便易懂的三極管為主，依據(jù)雙向可控硅內(nèi)部P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的分布，設(shè)計一種可以被雙向觸發(fā)導(dǎo)通的電路。并從理論上來對其進行論述，通過實際電路制作對其進行了驗證，在實際運用方面達到與雙向可控硅具有同樣的效果。0引言雙向可控硅（TRIAC）在控制交流電源控制領(lǐng)域的運用非常***，如我們的日光燈調(diào)光電路、交流電機轉(zhuǎn)速控制電路等都主要是利用雙向可控硅可以雙向觸發(fā)導(dǎo)通的特點來控制交流供電電源的導(dǎo)通相位角，從而達到控制供電電流的大小[1]。然而對其工作原理和結(jié)構(gòu)的描述，以我們可以查悉的資料都只是很淺顯地提及，大部分都是對它的外圍電路的應(yīng)用和工作方式、參數(shù)的選擇等等做了比較多的描述，更進一步的--哪怕是內(nèi)部方框電路--內(nèi)容也很難找到。由于可控硅所有的電子部件是集成在同一硅源之上，我們根本是不可能通過采用類似機械的拆卸手段來觀察其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。為了深入了解和運用可控硅，依據(jù)現(xiàn)有可查資料所給P型和N型半導(dǎo)體的分布圖，采用分離元器件--三極管、電阻和電容--來設(shè)計一款電路，使該電路在PN的連接、分布和履行的功能上完全與雙向可控硅類似。驅(qū)動可控硅定做整流器還用在調(diào)幅(AM)無線電信號的檢波。

雙向晶閘管的電極引線不規(guī)則，通常G極是在T1極側(cè)引出而不是T2極側(cè)。雙向晶閘管的兩個主電極T1和T2還是有區(qū)別的，雙向晶閘管的觸發(fā)通常是相對與T1與G之間的電流。

可控硅的作用之一就是可控整流，這也是可控硅**基本也**重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒有實現(xiàn)可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構(gòu)成了一個可控整流電路。

 在一個**基本的單相半波可控整流電路中，當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時，可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通，負載上才會有電壓輸出，因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時間，來進一步調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值，達到可控整流的作用。

    可控整流電路的作用是把交流電變換為電壓值可以調(diào)節(jié)的直流電。圖20－1所示為單相半控橋式整流實驗電路。主電路由負載RL（燈炮）和晶閘管T1組成，觸發(fā)電路為單結(jié)晶體管T2及一些阻容元件構(gòu)成的阻容移相橋觸發(fā)電路。改變晶閘管T1的導(dǎo)通角，便可調(diào)節(jié)主電路的可控輸出整流電壓（或電流）的數(shù)值，這點可由燈炮負載的亮度變化看出。晶閘管導(dǎo)通角的大小決定于觸發(fā)脈沖的頻率f，由公式圖1單相半控橋式整流實驗電路可知，當(dāng)單結(jié)晶體管的分壓比η（一般在～）及電容C值固定時，則頻率f大小由R決定，因此，通過調(diào)節(jié)電位器Rw，使可以改變觸發(fā)脈沖頻率，主電路的輸出電壓也，從而達到可控調(diào)壓的目的。用萬用電表的電阻檔（或用數(shù)字萬用表二極管檔）可以對單結(jié)晶體管和晶閘管進行簡易測試。圖2為單結(jié)晶體管BT33管腳排列、結(jié)構(gòu)圖及電路符號。好的單結(jié)晶體管PN結(jié)正向電阻REB1、REB2均較小，且REB1稍大于REB2，PN結(jié)的反向電阻RB1E、RB2E均應(yīng)很大，根據(jù)所測阻值，即可判斷出各管腳及管子的質(zhì)量優(yōu)劣。圖2單結(jié)晶體管BT33管腳排列、結(jié)構(gòu)圖及電路符號圖3為晶閘管3CT3A管腳排列、結(jié)構(gòu)圖及電路符號。晶閘管陽極（A）—陰極（K）及陽極（A）—門極（G）之間的正、反向電阻RAK、RKA、RAG、RGA均應(yīng)很大。觸發(fā)板具有過流、缺相、相序、晶閘管過熱等多種保護功能。

    新型跟.蹤式可控硅直流穩(wěn)壓電源信息時代里，BP機已成為常用的通信工具。目前，我國BP機總臺的發(fā)射設(shè)備都采用進口設(shè)備，其輸出電壓為13．8V，電流為15～20A。進口電源不帶可控硅部分，而我國電網(wǎng)波動較大，為此設(shè)計了這種低成本穩(wěn)壓電源。該設(shè)計在串聯(lián)反饋調(diào)整型穩(wěn)壓電源的基礎(chǔ)上加裝了可控硅相位控制裝置，用調(diào)整管兩端壓降來控制可控硅觸發(fā)的導(dǎo)通角，維持調(diào)整管壓降不變，從而設(shè)計出跟.蹤式大功率直流穩(wěn)壓電源。該穩(wěn)壓電源限制了調(diào)整管功耗，實現(xiàn)了大功率。該穩(wěn)壓電源主要由單相半控橋整流濾波、線性穩(wěn)壓器及可控硅相位控制等環(huán)節(jié)組成，并加裝了過流保護、短路保護、過熱保護裝置及顯示部分。在220V電網(wǎng)電壓波動±15％情況下，輸出電壓13．8V，輸出電流可達20A。由于采用了可控硅相位控制技術(shù)，能將調(diào)整管兩端壓降限制在3V左右，功耗不大于40W，提高了電源效率。當(dāng)輸出電流超過20A時，限流保護可減小輸出電流。若輸出短路，短路保護輸出***信號關(guān)斷可控硅。調(diào)整管溫度高于60℃時啟動電扇，溫度低于40℃時關(guān)斷電扇，溫度高于80℃時關(guān)斷可控硅。該電源采用集成可控硅觸發(fā)器，雙運算放大器及具有溫度補償?shù)姆€(wěn)壓管作基準源，并配有三端穩(wěn)壓器作為輔助電源，實現(xiàn)了高精度。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。四川散熱可控硅

整流器/充電機應(yīng)有輸出濾波器以將加在蓄電池的紋波電壓減少到**小。浙江可控硅直銷

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