晶體二極管晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示,如:D5表示編號(hào)為5的二極管。1、作用:二極管的主要特性是單向?qū)щ娦裕簿褪窃谡螂妷旱淖饔孟?,?dǎo)通電阻很小;而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無窮大。正因?yàn)槎O管具有上述特性,無繩電話機(jī)中常,把它用在整流、隔離、穩(wěn)壓、極性保護(hù)、編碼控制、調(diào)頻調(diào)制和靜噪等電路中。電話機(jī)里使用的晶體二極管按作用可分為:整流二極管(如1N4004)、隔離二極管(如1N4148)、肖特基二極管(如BAT85)、發(fā)光二極管、穩(wěn)壓二極管等。2、識(shí)別方法:二極管的識(shí)別很簡(jiǎn)單,小功率二極管的N極(負(fù)極),在二極管外表大多采用一種色圈標(biāo)出來,有些二極管也用二極管**符號(hào)來表示P極(正極)或N極(負(fù)極),也有采用符號(hào)標(biāo)志為“P”、“N”來確定二極管極性的。發(fā)光二極管的正負(fù)極可從引腳長(zhǎng)短來識(shí)別,長(zhǎng)腳為正,短腳為負(fù)。無錫微原,用匠心精神雕琢每一款電子元器件。淮安通用電子元器件
專門用的材料:
電容器**極板材料/導(dǎo)電材料電極材料/光學(xué)材料/測(cè)溫材料半導(dǎo)體材料/屏蔽材料真空電子材料/覆銅板材料壓電晶體材料/電工陶瓷材料光電子功能材料|強(qiáng)電、 弱電用接點(diǎn)材料激光工質(zhì)/電子元器件**薄膜材料電子玻璃/類金剛石膜膨脹合金與熱雙金屬片/電熱材料與電熱元件其它電子**材料。
電阻
電阻在電路中用“R”加數(shù)字表示,如:R1表示編號(hào)為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置等。1、參數(shù)識(shí)別:電阻的單位為歐姆(Ω),倍率單位有:千歐(KΩ),兆歐(MΩ)等。換算方法是:1兆歐=1000千歐=1000000歐。電阻的參數(shù)標(biāo)注方法有3種,即直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法。a、數(shù)標(biāo)法主要用于貼片等小體積的電路,如:472表示47×100Ω(即4.7K);104則表示100K。b、色環(huán)標(biāo)注法使用**多,現(xiàn)舉例如下:四色環(huán)電阻五色環(huán)電阻(精密電阻)。 新吳區(qū)哪里有電子元器件無錫微原科技,推動(dòng)綠色電子技術(shù)的發(fā)展。
變?nèi)荻O管發(fā)生故障,主要表現(xiàn)為漏電或性能變差:(1)發(fā)生漏電現(xiàn)象時(shí),高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。(2)變?nèi)菪阅茏儾顣r(shí),高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)定,使調(diào)制后的高頻信號(hào)發(fā)送到對(duì)方被對(duì)方接收后產(chǎn)生失真。出現(xiàn)上述情況之一時(shí),就應(yīng)該更換同型號(hào)的變?nèi)荻O管。晶體三極管在電路中常用“Q”加數(shù)字表示,如:Q17表示編號(hào)為17的三極管。1、特點(diǎn):晶體三極管(簡(jiǎn)稱三極管)是內(nèi)部含有2個(gè)PN結(jié),并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類型,這兩種類型的三極管從工作特性上可互相彌補(bǔ),所謂OTL電路中的對(duì)管就是由PNP型和NPN型配對(duì)使用。電話機(jī)中常用的PNP型三極管有:A92、9015等型號(hào);
檢測(cè)10pF~0.01μF固定電容器是否有充電現(xiàn)象,進(jìn)而判斷其好壞。萬用表選用R×1k擋。兩只三極管的β值均為100以上,且穿透電流要選用3DG6等型號(hào)硅三極管組成復(fù)合管。萬用表的紅和黑表筆分別與復(fù)合管的發(fā)射極e和集電極c相接。由于復(fù)合三極管的放大作用,把被測(cè)電容的充放電過程予以放大,使萬用表指針擺幅度加大,從而便于觀察。應(yīng)注意的是:在測(cè)試操作時(shí),特別是在測(cè)較小容量的電容時(shí),要反復(fù)調(diào)換被測(cè)電容引腳接觸A、B兩點(diǎn),才能明顯地看到萬用表指針的擺動(dòng)。C 對(duì)于0.01μF以上的固定電容,可用萬用表的R×10k擋直接測(cè)試電容器有無充電過程以及有無內(nèi)部短路或漏電,并可根據(jù)指針向右擺動(dòng)的幅度大小估計(jì)出電容器的容量。1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管,用來放大電話的聲音電流。
在速率上,商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s,更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實(shí)用化,預(yù)計(jì)到2004年開始商業(yè)應(yīng)用,一些電信公司如阿爾卡特的實(shí)驗(yàn)室已進(jìn)行了160Gbit/s的傳輸實(shí)驗(yàn)。在通道密度方面,通道間的波長(zhǎng)間隙已小到25GHz,還在向12.5GHz努力,使得商用系統(tǒng)的總通道數(shù)現(xiàn)為160~240個(gè),實(shí)驗(yàn)室中比較高達(dá)到1022個(gè)。為得到更大容量,有時(shí)不得不在上述兩者之間折衷考慮,同時(shí)還要采取抑制光纖中色散、非線性效應(yīng)的措施。所有這些要求都涉及到器件的高速、靈活和可靠的問題,而且**終還必須考慮低成本的問題,這使得新原理、新結(jié)構(gòu)和新功能的器件不斷涌現(xiàn)。無錫微原,用嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)確保電子元器件的品質(zhì)。鎮(zhèn)江有什么電子元器件
無錫微原科技,不斷提升電子元器件的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力?;窗餐ㄓ秒娮釉骷?/p>
1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管,用來放大電話的聲音電流。此后,人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件,用來作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開關(guān)。1947年,點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生,在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁。但是,這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn)。在點(diǎn)接觸型晶體管開發(fā)成功的同時(shí),結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出,但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后,結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年,具有使用價(jià)值的**早的鍺合金型晶體管誕生?;窗餐ㄓ秒娮釉骷?/p>
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