相城區(qū)省電光刻系統(tǒng)按需定制

光刻系統(tǒng)SUSS是一種應用于半導體制造領(lǐng)域的工藝試驗儀器，其比較大基片尺寸為6英寸，可實現(xiàn)0.5μm的分辨率和1μm的**小線寬 [1]。該系統(tǒng)通過精密光學曝光技術(shù)完成微電子器件的圖形轉(zhuǎn)移，為集成電路研發(fā)和生產(chǎn)提供關(guān)鍵工藝支持。比較大基片處理能力：支持直徑6英寸的基片加工（截至2021年1月） [1]圖形分辨率：系統(tǒng)的光學成像系統(tǒng)可實現(xiàn)0.5μm的分辨率 [1]線寬控制：在標準工藝條件下能夠穩(wěn)定實現(xiàn)1μm的**小線寬加工 [1]該系統(tǒng)采用接觸式/接近式曝光原理，通過紫外光源實現(xiàn)掩模圖形向基片光刻膠的精確轉(zhuǎn)移。其精密對準機構(gòu)可保證多次曝光時的套刻精度，適用于半導體器件研發(fā)階段的工藝驗證和小批量試制。當前先進的EUV光刻系統(tǒng)已實現(xiàn)2nm制程芯片量，應用于微納器件加工、芯片制造等領(lǐng)域。相城區(qū)省電光刻系統(tǒng)按需定制

英特爾高級研究員兼技術(shù)和制造部先進光刻技術(shù)總監(jiān)YanBorodovsky在去年說過“針對未來的IC設(shè)計，我認為正確的方向是具有互補性的光刻技術(shù)。193納米光刻是當前能力**強且**成熟的技術(shù)，能夠滿足精確度和成本要求，但缺點是分辨率低。利用一種新技術(shù)作為193納米光刻的補充，可能是在成本、性能以及精確度方面的比較好解決方案。補充技術(shù)可以是EUV或電子束光刻?！?[3]現(xiàn)階段很多公司也在推動納米壓印、無掩膜光刻或一種被稱為自組裝的新興技術(shù)。但是EUV光刻仍然被認為是下一代CPU的比較好工藝?；⑶饏^(qū)本地光刻系統(tǒng)五星服務(wù)光刻系統(tǒng)按光源類型分為紫外（UV）、深紫外（DUV）、極紫外（EUV）、電子束及無掩模激光直寫等類別。

③縮短圖像傳遞鏈，減少工藝上造成的缺陷和誤差，可獲得很高的成品率。④采用精密自動調(diào)焦技術(shù)，避免高溫工藝引起的晶片變形對成像質(zhì)量的影響。⑤采用原版自動選擇機構(gòu)（版庫），不但有利于成品率的提高，而且成為能靈活生產(chǎn)多電路組合的常規(guī)曝光系統(tǒng)。浸入式光刻技術(shù)原理這種系統(tǒng)屬于精密復雜的光、機、電綜合系統(tǒng)。它在光學系統(tǒng)上分為兩類。一類是全折射式成像系統(tǒng)，多采用1/5～1/10的縮小倍率,技術(shù)較成熟；一類是1:1倍的折射-反射系統(tǒng)，光路簡單，對使用條件要求較低。

c、水坑（旋覆浸沒）式顯影（Puddle Development）。噴覆足夠（不能太多，**小化背面濕度）的顯影液到硅片表面，并形成水坑形狀（顯影液的流動保持較低，以減少邊緣顯影速率的變化）。硅片固定或慢慢旋轉(zhuǎn)。一般采用多次旋覆顯影液：***次涂覆、保持10～30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。然后用去離子水沖洗（去除硅片兩面的所有化學品）并旋轉(zhuǎn)甩干。優(yōu)點：顯影液用量少；硅片顯影均勻；**小化了溫度梯度。顯影液：a、正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶液。KOH和NaOH因為會帶來可動離子污染（MIC，Movable Ion Contamination），所以在IC制造中一般不用。如果能量和焦距調(diào)整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。

由于193nm沉浸式工藝的延伸性非常強，同時EUV技術(shù)耗資巨大進展緩慢。EUV（極紫外線光刻技術(shù)）是下一代光刻技術(shù)（<32nm節(jié)點的光刻技術(shù)）。它是采用波長為13.4nm的軟x射線進行光刻的技術(shù)。EUV光刻的基本設(shè)備方面仍需開展大量開發(fā)工作以達到適于量產(chǎn)的成熟水平。當前存在以下挑戰(zhàn)：（1）開發(fā)功率足夠高的光源并使系統(tǒng)具有足夠的透射率，以實現(xiàn)并保持高吞吐量。（2）掩模技術(shù)的成熟，包括以足夠的平面度和良率制**射掩模襯底，反射掩模的光化學檢測，以及因缺少掩模表面的保護膜而難以滿足無缺陷操作要求。（3）開發(fā)高靈敏度且具有低線邊緣粗糙度(LineEdgeRoughness,LER)的光刻膠。 [3]典型售后服務(wù)包括1年保修期、可延長保修期、現(xiàn)場技術(shù)咨詢 [2]。相城區(qū)省電光刻系統(tǒng)按需定制

納米級電子束光刻系統(tǒng)（如JEOL JBX-6300FS）維護需原廠或指定服務(wù)公司提供 [4]。相城區(qū)省電光刻系統(tǒng)按需定制

光刻技術(shù)是現(xiàn)代集成電路設(shè)計上一個比較大的瓶頸?，F(xiàn)cpu使用的45nm、32nm工藝都是由193nm液浸式光刻系統(tǒng)來實現(xiàn)的，但是因受到波長的影響還在這個技術(shù)上有所突破是十分困難的，但是如采用EUV光刻技術(shù)就會很好的解決此問題，很可能會使該領(lǐng)域帶來一次飛躍。但是涉及到生產(chǎn)成本問題，由于193納米光刻是當前能力**強且**成熟的技術(shù)，能夠滿足精確度和成本要求，所以其工藝的延伸性非常強，很難被取代。因而在2011年國際固態(tài)電路會議(ISSCC2011)上也提到，在光刻技術(shù)方面，22/20nm節(jié)點主要幾家芯片廠商也將繼續(xù)使用基于193nm液浸式光刻系統(tǒng)的雙重成像（doublepatterning）技術(shù)。 [2]相城區(qū)省電光刻系統(tǒng)按需定制

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