○觸發(fā)板也可接入直流3V電壓和分流器75mV反饋信號進行直流負載的恒電流和恒電壓控制。（請通過JP1和JP3跳線選擇短接S4和S6進行直流閉環(huán)控制）。○觸發(fā)板可跟據不同要求場合取樣。觸發(fā)板還可以與單片機及相應檢測傳感器組成外閉環(huán)自動控制系統(tǒng)。2．可選擇三種的輸入模式：○4-20mA輸入。通過JP4跳線選擇短接S1?！?-10V輸入。通過JP4跳線選擇短接S2?！?-5V輸入。通過JP4跳線選擇短接S3。3．可外接溫控保護開關和復位開關：（請參考接線圖）。4．軟啟動調節(jié)：觸發(fā)板可通過VR3可調電阻設置調節(jié)軟啟動的時間，順時針方向調節(jié)為啟動時間更長。5．限流限壓保護：觸發(fā)板通過調節(jié)VR2設置限電流和限電壓門檻值，順時針方向調節(jié)為低。（如使用限壓功能請短接JP2跳線，不用此功能時斷開即可）。6．過流過壓保護：觸發(fā)板通過調節(jié)VR1設置過電流和過電壓門檻值，順時針方向調節(jié)為低。五、異常狀態(tài)排除法1、在較小的輸入控制信號時SCR接近100%輸出：○可能觸發(fā)器在閉環(huán)工作模式狀態(tài)下，沒有接入反饋信號，導致觸發(fā)器積分系統(tǒng)誤判，請接入閉環(huán)反饋信號。○觸發(fā)器在閉環(huán)工作模式時，負載電流過小。○檢查反饋信號是否接正確。2、SCR無輸出，無電流或電壓：○面板PW指示燈不亮，SCR無法工作。IGBT模塊的優(yōu)點在于它可以提供高效的電力控制。寧夏進口模塊
本實用新型涉及驅動電路技術領域，具體是風電變流器的igbt驅動電路。背景技術：風電變流器系統(tǒng)電壓690v，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開關速度快，產生很高的di/dt和du/dt，帶來emc電磁干擾問題，影響變流器的可靠運行，甚至損壞igbt模塊，為了提高抗干擾能力，有以下兩種解決方案：1）、采用光纖傳遞控制信號，控制電路弱信號與igbt模塊的強信號實現(xiàn)電氣完全隔離，抗干擾能力強，可靠性高，但是光纖成本昂貴；2）、通常采用**的驅動器和驅動芯片，例如風電**驅動器2sd300，采用專業(yè)的調制與解調芯片，通過脈沖變壓器傳遞驅動信號，抗干擾能力強，可靠性高，大量應用于風電變流器領域。以上兩種方案雖然解決了風電變流器emc抗干擾問題，但是成本相對較高，較為經濟的解決方案是采用光耦來實現(xiàn)電氣隔離，但是光耦的原邊一般采用低壓電路（15v或者5v），容易受干擾。另外，大功率igbt模塊在運行過程中產生高的di/dt和du/dt，會導致igbt模塊上下管門極誤觸發(fā)，導致igbt模塊上下管直通，產生短路電流，如果不及時保護就會導致igbt模塊損壞，嚴重影響變流器正常運行。技術實現(xiàn)要素：本實用新型的目的在于提供風電變流器的igbt驅動電路。遼寧模塊檢測對IGBT模塊需求也在逐步擴大，新興行業(yè)的加速發(fā)展將持續(xù)推動IGBT市場的高速增長。
本實用新型涉及半導體領域，具體涉及一種溝槽柵igbt。背景技術：igbt隨著結構設計和工藝技術的升級，主流產品已經從平面柵極(如圖1所示)升級成溝槽柵極(如圖2所示)，現(xiàn)有技術中溝槽柵結構的制作方法如圖3所示，先在半導體襯底上光刻出溝槽，接著在該溝槽內沉積**氧化層23(圖3a所示)，然后去除該**氧化層23(圖3b所示)，然后繼續(xù)在溝槽內沉積***氧化層21(圖3c所示)，接著沉積多晶硅層1(圖3d所示)，接著去除表面多余的多晶硅層1(圖3e所示)，溝槽柵結構雖然相比平面柵結構電流密度大幅度提升，但由于溝槽柵結構帶來的結電容的大幅度上升，造成目前的溝槽柵igbt不能廣泛應用于高頻場景。技術實現(xiàn)要素：本實用新型為解決現(xiàn)有技術中溝槽柵igbt結電容較大的問題，提供了一種新的溝槽柵igbt結構。本實用新型采用的技術方案如下：一種溝槽柵igbt，包括：半導體襯底，所述半導體襯底表面內設置兩個溝槽柵結構；兩個溝槽柵結構，兩個所述溝槽柵結構對稱，溝槽內設置有多晶硅層和包圍所述多晶硅層的氧化層，所述氧化層包括***氧化層和第二氧化層，所述***氧化層設置在溝道區(qū)，所述第二氧化層設置在非溝道區(qū)，所述第二氧化層的厚度大于所述***氧化層的厚度。進一步地。
通過電阻和igbt模塊導通壓降vce-sat的分壓原理：，不檢測故障，vce-sat檢測被禁止，該狀態(tài)下不檢測vce，原因是igbt***狀態(tài)vce電壓為關斷電壓;下管vce-sat檢測電路由r15,d12,r16構成vce-sat采樣電路:當驅動信號drv_l為高電平（15v）時，通過電阻和igbt模塊導通壓降vce-sat的分壓原理：，采樣信號vce_h，r6和r7構成分壓電路(通過r6和r7設定保護值)，比較信號comp_h，通過vce_h與comp_h的比較實現(xiàn)vce飽和壓降的檢測，并輸出故障信號fault_h：當vce_h小于comp_h，fault_h為高電平，正常狀態(tài)；當vce_h大于comp_h，fault_h為低電平，報故障狀態(tài);當驅動信號drv_h為低電平（-15v）時，通過電阻和igbt模塊導通壓降vce-sat的分壓原理：，不檢測故障，vce-sat檢測被禁止，該狀態(tài)下不檢測vce，原因是igbt***狀態(tài)vce電壓為關斷電壓;當fault_h為低電平時,光耦u1_out輸出高電平，經過d5和v5后故障信號fault_p為低電平，對驅動信號進行***。下管vce-sat檢測電路由r15,d12,r16構成vce-sat采樣電路，采樣信號vce_l，r13和r14構成分壓電路(通過r13和r14設定保護值)，比較信號comp_l，通過vce_l與comp_l的比較實現(xiàn)vce-sat的檢測，并輸出故障信號fault_l，當fault_l為低電平時。實質是個復合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體化。
從而使得本實施例可應用與高頻場景。本說明書中的“半導體襯底表面內”是指由半導體襯底表面向下延伸的一定深度的區(qū)域，該區(qū)域屬于半導體襯底的一部分。其中，半導體襯底可以包括半導體元素，例如單晶、多晶或非晶結構的硅或硅鍺，也可以包括混合的半導體結構，例如碳化硅、合金半導體或其組合，在此不做限定。在本實施例中的半導體襯底推薦采用硅襯底，在本實施例中以n型襯底為例進行說明。推薦地，***氧化層21厚度為1000-1200a。推薦地，第二氧化層22厚度為3000-5000a。進一步地，兩個所述溝槽柵結構之間設置有***摻雜區(qū)，所述***摻雜區(qū)的摻雜類型與所述半導體襯底的類型相反，***摻雜區(qū)為pw導電層。進一步地，在所述***摻雜區(qū)的內表面設置兩個第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)的摻雜類型與***摻雜區(qū)的摻雜類型相反，兩個所述第二摻雜區(qū)分別設置在靠近兩個所述溝槽柵結構的一側并且與溝槽柵結構接觸,第二摻雜區(qū)為n+源區(qū)，pw導電層和n+源區(qū)與發(fā)射極金屬接觸。進一步地，所述半導體的底部還設置有緩沖層和集電極，所述集電極設置在比較低層。圖5示出了本實施例提供的一種溝槽柵結構制作方法，與現(xiàn)有技術的制作基本相同，區(qū)別在于以下：s101：在溝槽內沉積第二氧化層22。可以控制電機、變頻器、變壓器、電源、電抗器等電力電子設備。北京哪里有模塊量大從優(yōu)
IGBT模塊是由不同的材料層構成，如金屬，陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內部用硅膠。寧夏進口模塊
KY3-B2型可控硅移相觸發(fā)板一、概述KY3-B2型三相閉環(huán)觸發(fā)器是引進國外**的**可控硅移相觸發(fā)集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱性和穩(wěn)定性，不隨環(huán)境溫度變化，無相序要求。內含完整的缺相、過流、過熱等故障保護功能；具有高精度、功能完善、使用簡單可靠、易調試、抗干擾性強等優(yōu)點。它可***的應用于工業(yè)各領域的電壓電流調節(jié)，適用于電阻性負載、電感性負載、變壓器一次側及各種整流裝置等。其主要應用于大功率電源、高頻設備交直流調壓、鹽浴爐、工頻感應爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制及各種工業(yè)爐；整流變壓器、調工機、電爐變壓器一次側、充磁退磁調節(jié)、直流電機調速控制、電機軟啟動節(jié)能裝置；以鎳、鐵鉻、遠紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等加熱元件的溫度控制等等。二、性能特點○無相序要求限制，可用于電源為220V與380V電源頻率50/60Hz電網。○能與國內外各種控制儀表（溫控儀）、微機的輸出信號直接接口?！疬m用于阻性負載、感性負載、變壓器一次側等各種負載類型?！鹁哂熊泦榆浲Ｖ构δ?，減少對電網的沖擊干擾，使主電路更加安全可靠?！痱寗幽芰姡柯房梢暂敵?00毫安的電流，可以驅動4000A可控硅。○具有缺相、過流、過壓保護功能。寧夏進口模塊
江蘇芯鉆時代電子科技有限公司致力于電子元器件，是一家貿易型公司。公司業(yè)務涵蓋IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等，價格合理，品質有保證。公司從事電子元器件多年，有著創(chuàng)新的設計、強大的技術，還有一批專業(yè)化的隊伍，確保為客戶提供良好的產品及服務。江蘇芯鉆時代憑借創(chuàng)新的產品、專業(yè)的服務、眾多的成功案例積累起來的聲譽和口碑，讓企業(yè)發(fā)展再上新高。