而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒(méi)有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。肖特基二極管和穩(wěn)壓二極管的區(qū)別肖特基二極管不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。山東優(yōu)勢(shì)美高森美快恢復(fù)二極管代理商
肖特基勢(shì)壘的特性使得肖特基二極管的導(dǎo)通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。肖特基二極體的導(dǎo)通電壓非常低。一般的二極管在電流流過(guò)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生約，不過(guò)肖特基二極管的電壓降只有，因此可以提升系統(tǒng)的效率。肖特基二極管和一般整流二極管大的差異在于反向恢復(fù)時(shí)間，也就是二極管由流過(guò)正向電流的導(dǎo)通狀態(tài)，切換到不導(dǎo)通狀態(tài)所需的時(shí)間。一般整流二極管的反向恢復(fù)時(shí)間大約是數(shù)百nS，若是高速二極管則會(huì)低于一百nS，肖特基二極管沒(méi)有反向恢復(fù)時(shí)間，因此小信號(hào)的肖特基二極管切換時(shí)間約為數(shù)十pS，特殊的大容量肖特基二極管切換時(shí)間也才數(shù)十pS。由于一般整流二極管在反向恢復(fù)時(shí)間內(nèi)會(huì)因反向電流而造成EMI噪聲。肖特基二極管可以立即切換，沒(méi)有反向恢復(fù)時(shí)間及反相電流的問(wèn)題。山東優(yōu)勢(shì)美高森美快恢復(fù)二極管代理商美國(guó)美高森美集團(tuán)在宇航、醫(yī)療及等高可靠性應(yīng)用領(lǐng)域有出眾且獨(dú)特的 芯片制造工藝技術(shù)。
二極管穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管，具有穩(wěn)定電壓穩(wěn)壓管的作用。穩(wěn)壓管與普通二極管的主要區(qū)別在于，穩(wěn)壓管是工作在PN結(jié)的反向擊穿狀態(tài)。通過(guò)在制造過(guò)程中的工藝措施和使用時(shí)限制反向電流的大小，能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會(huì)因過(guò)熱而損壞。[4]穩(wěn)壓管與一般二極管不一樣，它的反向擊穿是可逆的，只要不超過(guò)穩(wěn)壓管電流的允許值，PN結(jié)就不會(huì)過(guò)熱損壞，當(dāng)外加反向電壓去除后，穩(wěn)壓管恢復(fù)原性能，所以穩(wěn)壓管具有良好的重復(fù)擊穿特性。[4]二極管光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口，光電二極管以便于接受光照。其特點(diǎn)是，當(dāng)光線照射于它的PN結(jié)時(shí)，可以成對(duì)地產(chǎn)生自由電子和空穴，使半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的濃度提高，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而線性增加。[4]當(dāng)無(wú)光照時(shí)，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測(cè)、光電控制、自動(dòng)報(bào)警等方面。當(dāng)制成大面積的光電二極管時(shí)，可當(dāng)作一種能源而稱為光電池。此時(shí)它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。
空穴為少數(shù)載流子。[6]因此，在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和PN結(jié)五價(jià)雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散，它們的擴(kuò)散使原來(lái)交界處的電中性被破壞。[6]二極管PN結(jié)單向?qū)щ娦栽赑N結(jié)外加正向電壓V，在這個(gè)外加電場(chǎng)的作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都要PN結(jié)移動(dòng)，空穴和PN結(jié)P區(qū)的負(fù)離子中和，電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場(chǎng)的增加，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)減弱。當(dāng)外加電壓超過(guò)門(mén)檻電壓，PN結(jié)相當(dāng)于一個(gè)阻值很小的電阻，也就是PN結(jié)導(dǎo)通。[6]二極管主要分類編輯二極管點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積小，不能通過(guò)較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開(kāi)關(guān)電路中使用[5]。二極管面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大，可以通過(guò)較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路中使用[5]。二極管平面型二極管平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開(kāi)關(guān)管使用時(shí)PN結(jié)面積小，用于大功率整流時(shí)PN結(jié)面積較大[5]。20A以上的大功率快恢復(fù)二極管采用頂部帶金屬散熱片的TO-3P塑料封裝。
正向?qū)щ?，反向不?dǎo)電）晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場(chǎng)，當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，因?yàn)閜-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)產(chǎn)生正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)與自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流（也就是導(dǎo)電的原因）。當(dāng)產(chǎn)生反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)與自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流I0（這也就是不導(dǎo)電的原因）。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，p-n結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)。采用不同的摻雜工藝，通過(guò)擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體。山東優(yōu)勢(shì)美高森美快恢復(fù)二極管代理商
快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱FRD）是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管。山東優(yōu)勢(shì)美高森美快恢復(fù)二極管代理商
使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，可分成單管、對(duì)管（亦稱雙管）兩種。對(duì)管內(nèi)部包含兩只快恢復(fù)二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對(duì)管、共陽(yáng)對(duì)管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復(fù)二極管（單管）的外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型（共陰對(duì)管）、MUR1680A型（共陽(yáng)對(duì)管）超快恢復(fù)二極管的外形與構(gòu)造。它們均采用TO-220塑料封裝，主要技術(shù)指標(biāo)見(jiàn)表1。幾十安的快恢復(fù)二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。2．檢測(cè)方法1）測(cè)量反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)量電路如圖3。由直流電流源供規(guī)定的IF，脈沖發(fā)生器經(jīng)過(guò)隔直電容器C加脈沖信號(hào)，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時(shí)刻到IR=Irr時(shí)刻所經(jīng)歷的時(shí)間。設(shè)器件內(nèi)部的反向恢電荷為Qrr，有關(guān)系式trr≈2Qrr/IRM由式()可知，當(dāng)IRM為一定時(shí)，反向恢復(fù)電荷愈小，反向恢復(fù)時(shí)間就愈短。2）常規(guī)檢測(cè)方法在業(yè)余條件下，利用萬(wàn)用表能檢測(cè)快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的單向?qū)щ娦?，以及?nèi)部有無(wú)開(kāi)路、短路故障，并能測(cè)出正向?qū)▔航?。若配以兆歐表，還能測(cè)量反向擊穿電壓。實(shí)例：測(cè)量一只超快恢復(fù)二極管。山東優(yōu)勢(shì)美高森美快恢復(fù)二極管代理商
江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司成立于2022-03-29，同時(shí)啟動(dòng)了以英飛凌,西門(mén)康,艾賽斯,巴斯曼為主的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器產(chǎn)業(yè)布局。業(yè)務(wù)涵蓋了IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等諸多領(lǐng)域，尤其IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器中具有強(qiáng)勁優(yōu)勢(shì)，完成了一大批具特色和時(shí)代特征的電子元器件項(xiàng)目；同時(shí)在設(shè)計(jì)原創(chuàng)、科技創(chuàng)新、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等方面推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。同時(shí)，企業(yè)針對(duì)用戶，在IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等幾大領(lǐng)域，提供更多、更豐富的電子元器件產(chǎn)品，進(jìn)一步為全國(guó)更多單位和企業(yè)提供更具針對(duì)性的電子元器件服務(wù)。江蘇芯鉆時(shí)代始終保持在電子元器件領(lǐng)域優(yōu)先的前提下，不斷優(yōu)化業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)。在IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等領(lǐng)域承攬了一大批高精尖項(xiàng)目，積極為更多電子元器件企業(yè)提供服務(wù)。