可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等。海南代理西門康可控硅代理商
■首先，我們可以把從陰極向上數(shù)的第1、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來分析。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。北京好的西門康可控硅供應商電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。
它的出現(xiàn)，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。一、可控硅的結構和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見圖表-25）。螺旋式的應用較多?！隹煽毓栌腥齻€電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。其結構示意圖和符號見圖表-26?！鰪膱D表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y構和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?！隹煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅?？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理?！鍪紫?，我們可以把從陰極向上數(shù)的第1、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27。
在門極G上加以正電壓或正脈沖信號，則GT0導通；當門極上信號消失后，GTO仍然保持導通狀態(tài)，這與普通SCR性能完全一樣。這時如在門極與陰極之間加入反向電壓或較強的反向脈沖信號，可使GTO關斷。GTO在門極加負脈沖關斷信號時，有一個反向偏置工作安全區(qū)問題。就是指一定條件下GT0能可靠關斷的陽極電流和陽極電壓的軌跡。以上圖可控硅模塊來說，怎么判斷可控硅模塊如下1、這種模塊已經(jīng)標注有詳細的圖，在門極上部也清楚標注有希拉數(shù)字4、5、6、7。也就是說可控硅模塊無需極性判別。簡單的判別，可用數(shù)字萬用表的電阻擋位200Ω，測量一下k1=4、G1=5、k2=7、G2=6，是否一一對應。如不對應表示模塊內部已經(jīng)出現(xiàn)損壞了。正常時k1與G1正反向電阻值都為一樣14Ω。K2與G2的兩個端點的電阻也應該是14Ω。如果測得陰極k與門極G電阻值等于o時，說明元件內部己經(jīng)短路擊穿損壞。上面三個電流緊固電極（1~AK2）、（2~K1）、（3~A）。2、將萬用表200MΩ擋位測量，它們之間的電阻值，均為∞無窮大均為好。如果它們三點之中其中有二點有電阻值，表明模塊已壞。3、可將用于整流作用的模塊可控硅單獨分為一只可控硅看，為安全起見，采用24V直流穩(wěn)壓電源，與一直流24V5W燈泡如下圖進行簡單的判別?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。
答；可控硅有兩種叫法，精細一點叫晶閘管。常用的電力半導體器件有；普通可控硅（SCR）、門極（GTO）關斷可控硅、電力可控硅（GTR）、電力MoS場效應晶體管（MosFET）、絕緣柵雙極型晶體管、（lGBT）、Mos柵控可控硅等等?？煽毓枘K；是根據(jù)不同的用途與技術要求，將單向可控進行組合。兩只單向可控硅的串聯(lián)（一只的陽極A與另一只的陰極K相接）這樣就組成了一個可控硅模塊。常用于大功率三相橋式、單相橋式整流電路之中。兩只單相可控硅反向并聯(lián)（就是一只的陽極A與另一只的陰極K聯(lián)接，另一端點一只陰極k與一只陽極A相接）組成一只雙向可控硅模塊。常用于大功率三相或單相交流調壓電路中。例如軟啟動器中改變電壓控制電動機啟動的電路中。無論是什么結構，它們的控制端都是由陰極K與門極G有二根線引出來控制的。下面簡述一下GT0門極可關斷可控硅的組成。見下面圖門極可關斷晶閘管簡稱可關斷晶閘管，用GTO表示。它是一種耐高電壓大電流全控器件。它屬全控型三端器件。GT0可控硅的基本結構與普通可控硅ScR類似，它的三個極也是陽極A、陰極k、門極G。其內部結構及符號如上圖所示。其陽極伏安特性如下圖所示。當陽極加有正電壓、陰極加有負電壓時。硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化。北京本地西門康可控硅銷售廠家
采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。海南代理西門康可控硅代理商
BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了?？煽毓柽@種通過觸發(fā)信號（小觸發(fā)電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化，此條件見表1應用舉例：可控硅在實際應用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路，概括起來有直流觸發(fā)電路，交流觸發(fā)電路，相位觸發(fā)電路等等。1、直流觸發(fā)電路：如圖2是一個電視機常用的過壓保護電路，當E+電壓過高時A點電壓也變高，當它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時DZ道通，可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路，使保險絲RJ熔斷，從而起到過壓保護的作用。2、相位觸發(fā)電路：相位觸發(fā)電路實際上是交流觸發(fā)電路的一種，如圖3，這個電路的方法是利用RC回路控制觸發(fā)信號的相位。當R值較少時，RC時間常數(shù)較少，觸發(fā)信號的相移A1較少，因此負載獲得較大的電功率；當R值較大時，RC時間常數(shù)較大，觸發(fā)信號的相移A2較大。海南代理西門康可控硅代理商
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