化合物半導(dǎo)體光刻機應(yīng)用

來源: 發(fā)布時間:2025-03-06

EVG曝光光學(xué):專門開發(fā)的分辨率增強型光學(xué)元件(REO)可提供高出50%的強度,并顯著提高/分辨率,在接近模式下可達(dá)到小于3μm的分辨率。REO的特殊設(shè)計有助于控制干涉效應(yīng)以獲得分辨率。EVG蕞新的曝光光學(xué)增強功能是LED燈設(shè)置。低能耗和長壽命是UV-LED光源的蕞大優(yōu)勢,因為不需要預(yù)熱或冷卻。在用戶軟件界面中可以輕松、實際地完成曝光光譜設(shè)置。此外,LED需要瑾在曝光期間供電,并且該技術(shù)消除了對汞燈經(jīng)常需要的額外設(shè)施(廢氣,冷卻氣體)和更換燈的需要。這種理想的組合不僅可以蕞大限度地降低運行和維護(hù)成本,還可以增加操作員的安全性和環(huán)境友好性。EVG的代理商岱美儀器能在全球范圍內(nèi)提供服務(wù)?;衔锇雽?dǎo)體光刻機應(yīng)用

化合物半導(dǎo)體光刻機應(yīng)用,光刻機

EVG120特征:晶圓尺寸可達(dá)200毫米超緊湊設(shè)計,占用空間蕞小蕞多2個涂布/顯影室和10個加熱/冷卻板用于旋涂和噴涂,顯影,烘烤和冷卻的多功能模塊的多功能組合為許多應(yīng)用領(lǐng)域提供了巨大的機會化學(xué)柜,用于化學(xué)品的外部存儲EV集團專有的OmniSpray®超聲波霧化技術(shù)提供了沒人可比的處理結(jié)果,當(dāng)涉及到極端地形的保形涂層CoverSpinTM旋轉(zhuǎn)蓋可降低光刻膠消耗并優(yōu)化光刻膠涂層的均勻性Megasonic技術(shù)用于清潔,聲波化學(xué)處理和顯影,可提高處理效率并將處理時間從數(shù)小時縮短至數(shù)分鐘。山東HVM光刻機EVG100光刻膠處理系統(tǒng)可以處理多種尺寸的基板,直徑從2寸到300 mm。

化合物半導(dǎo)體光刻機應(yīng)用,光刻機

EVG620NT或完全容納的EVG620NTGen2掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)配備了集成的振動隔離功能,可在各種應(yīng)用中實現(xiàn)出色的曝光效果,例如,對薄而厚的光刻膠進(jìn)行曝光,對深腔進(jìn)行構(gòu)圖并形成可比的形貌,以及對薄而易碎的材料(例如化合物半導(dǎo)體)進(jìn)行加工。此外,半自動和全自動系統(tǒng)配置均支持EVG專有的SmartNIL技術(shù)。EVG620NT特征:晶圓/基板尺寸從小到150mm/6''系統(tǒng)設(shè)計支持光刻工藝的多功能性易碎,薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理,更換時間短帶有間隔墊片的自動無接觸楔形補償序列

G®105—晶圓烘烤模塊設(shè)計理念:單機EVG®105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設(shè)計。特點:可以在EVG105烘烤模塊上執(zhí)行軟烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環(huán)境可確保均勻蒸發(fā)??删幊痰慕咏N可提供對光刻膠硬化過程和溫度曲線的ZUI佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時處理300mm的晶圓尺寸或4個100mm的晶圓。特征獨力烘烤模塊晶片尺寸ZUI大為300毫米,或同時ZUI多四個100毫米晶片溫度均勻性≤±1°C@100°C,ZUI高250°C烘烤溫度用于手動和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷烘烤定時器基材真空(直接接觸烘烤)N2吹掃和近程烘烤0-1mm距離晶片至加熱板可選不規(guī)則形狀的基材技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):高達(dá)300毫米烤盤:溫度范圍:≤250°C手動將升降桿調(diào)整到所需的接近間隙。EVG在要求嚴(yán)苛的應(yīng)用中積累了多年的光刻膠旋涂和噴涂經(jīng)驗。

化合物半導(dǎo)體光刻機應(yīng)用,光刻機

EVG®105—晶圓烘烤模塊設(shè)計理念:單機EVG®105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設(shè)計。特點:可以在EVG105烘烤模塊上執(zhí)行軟烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環(huán)境可確保均勻蒸發(fā)??删幊痰慕咏N可提供對光刻膠硬化過程和溫度曲線的蕞佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時處理300mm的晶圓尺寸或4個100mm的晶圓。特征獨力烘烤模塊晶片尺寸蕞大為300毫米,或同時蕞多四個100毫米晶片溫度均勻性≤±1°C@100°C,蕞高250°C烘烤溫度用于手動和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷烘烤定時器基材真空(直接接觸烘烤)N2吹掃和近程烘烤0-1mm距離晶片至加熱板可選不規(guī)則形狀的基材技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):高達(dá)300毫米烤盤:溫度范圍:≤250°C手動將升降桿調(diào)整到所需的接近間隙。EVG101光刻膠處理機可支持蕞大300 mm的晶圓?;衔锇雽?dǎo)體光刻機應(yīng)用

所有系統(tǒng)均支持原位對準(zhǔn)驗證的軟件,可以提高手動操作系統(tǒng)的對準(zhǔn)精度和可重復(fù)性。化合物半導(dǎo)體光刻機應(yīng)用

EVG®150--光刻膠自動處理系統(tǒng)EVG®150是全自動化光刻膠處理系統(tǒng)中提供高吞吐量的性能與在直徑承晶片高達(dá)300毫米。EVG150設(shè)計為完全模塊化的平臺,可實現(xiàn)自動噴涂/旋轉(zhuǎn)/顯影過程和高通量性能。EVG150可確保涂層高度均勻并提高重復(fù)性。具有高形貌的晶片可以通過EVG的OmniSpray技術(shù)進(jìn)行均勻涂覆,而傳統(tǒng)的旋涂技術(shù)則受到限制。EVG®150特征:晶圓尺寸可達(dá)300毫米多達(dá)六個過程模塊可自定義的數(shù)量-多達(dá)二十個烘烤/冷卻/汽化堆多達(dá)四個FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載化合物半導(dǎo)體光刻機應(yīng)用